公开(公告)号：KR1020060012926A

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：KR1020040061646

申请日：2004-08-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남갑진 ,  박영근 ,  김영선 ,  최한메 ,  이승환 ,  박기연 ,  유차영 ,  최대식

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L21/02192 ,  C23C16/40 ,  H01G4/105 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The present invention can provide methods of forming a layer including lanthanum by utilizing a lanthanum precursor existing in a liquid phase at a room temperature. The present invention can further provide methods of forming layers including lanthanum on objects and methods of manufacturing a capacitor.

公开(公告)号：KR100536597B1

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：KR1020030022285

申请日：2003-04-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남갑진 ,  김성태 ,  김영선 ,  권종완 ,  김기철 ,  임재순

IPC: H01L21/8242

Abstract: 캐패시터를 갖는 반도체 소자의 형성방법을 제공한다. 이 방법은 반도체 기판 상에 하부전극을 형성하는 단계 및 하부전극 상에 유전막을 증착하는 단계를 구비한다. 유전막을 갖는 반도체기판에 적어도 처리가스들을 사용하는 확산형 플라즈마 열처리를 수행한다. 확산형 플라즈마 열처리는 플라즈마내의 이온성분들 또는 래디칼성분들이 확산에 의해 유전막에 도포된다. 이에 따라, 종래의 유전막 손상 또는 불균일성을 방지하여 유전막의 특성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050113423A

公开(公告)日：2005-12-02

申请号：KR1020040038058

申请日：2004-05-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종철 ,  임기빈 ,  김성태 ,  김영선 ,  유차영 ,  최한메 ,  남갑진 ,  이승환

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4408

Abstract: 원자층 증착 공정을 이용한 향상된 누설 전류 제어 특성과 우수한 절연 특성을 가지는 박막의 형성 방법 및 이를 이용한 캐패시터의 제조 방법에서, 챔버 내부에 기판을 위치시킨 후, 챔버 내부에 제1 반응물질을 도입한다. 상기 제1 반응물질의 일부를 기판 상에 화학 흡착시킨다. 챔버 내부에 제2 반응물질을 도입하여 상기 기판 상에 박막을 형성한다. 아르곤, 제논, 크립톤과 같은 불활성 가스와 산소, 질소, 아산화질소와 같은 비활성 가스를 사용하여 형성한 불순물 제거용 플라즈마를 이용하여 챔버 내에 잔류하는 반응물질과 상기 박막내의 불순물을 동시에 제거한다. 박막 내의 불순물을 효과적으로 제거할 수 있어 누설 전류를 현저히 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050099723A

公开(公告)日：2005-10-17

申请号：KR1020040024899

申请日：2004-04-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최한메 ,  이종철 ,  임기빈 ,  박기연 ,  김성태 ,  김영선 ,  유차영 ,  남갑진

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45574

Abstract: 본 발명의 원자층증착챔버로의 가스공급장치는, 소스가스(및/또는 반응가스, 이하 동일) 및 퍼지가스를 증착챔버내에 소정의 시간주기로 순차적으로 공급하여 증착챔버내의 기판상에 원자층박막을 형성시키기 위한 것이다. 이 가스공급장치는, 증착챔버에 연결되는 공급라인과, 공급라인에 연결되는 소스가스 공급라인과, 공급라인 및 소스가스 공급라인이 연결되는 곳에 배치되어 오픈시 공급라인과 소스가스 공급라인을 통하게 하고 클로즈시 공급라인과 소스가스 공급라인을 차단시키는 3웨이 밸브와, 공급라인에 연결되어 3웨이 밸브가 클로즈시 공급라인을 통해 증착챔버로 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급라인과, 그리고 3웨이 밸브와 퍼지가스 공급라인 사이의 공급라인에 배치되는 온/오프 밸브를 구비한다. 본 발명에 따르면 3웨이 밸브의 오픈시에도 온/오프 밸브가 오프되어 소스가스의 역류현상이 방지된다.

公开(公告)号：KR1020040103213A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：KR1020030035146

申请日：2003-05-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최한메 ,  김희석 ,  정은애 ,  김성태 ,  김영선 ,  임기빈 ,  남갑진

IPC: H01L27/108

Abstract: PURPOSE: A method of forming a resistor in a semiconductor device is provided to obtain the resistor without the degradation of a capacitor due to a high temperature by performing a low temperature process using P or B doped poly Si1-xGex. CONSTITUTION: A doped poly Si1-xGex layer is formed on a substrate. A resist with a doped poly Si1-xGex pattern(120a) is formed by patterning selectively the doped poly Si1-xGex layer. The doped poly Si1-xGex layer is doped with P or B. The doped poly Si1-xGex layer is formed by using an ALD(Atomic Layer Deposition) or a CVD(Chemical Vapor Deposition) in a temperature range of 350 to 500°C.

Abstract translation: 目的：提供一种在半导体器件中形成电阻器的方法，以通过使用P或B掺杂的多晶Si1-xGex进行低温工艺，由于高温而获得电阻器而不会导致电容器劣化。 构成：在衬底上形成掺杂的多晶Si1-xGex层。 通过对掺杂的多晶Si1-xGex层选择性地构图，形成具有掺杂多晶Si1-xGex图案（120a）的抗蚀剂。 掺杂的多晶Si1-xGex层掺杂有P或B.掺杂的多晶Si1-xGex层通过在350至500℃的温度范围内使用ALD（原子层沉积）或CVD（化学气相沉积）形成 。

公开(公告)号：KR1020040103023A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：KR1020030034905

申请日：2003-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기철 ,  김영선 ,  남갑진 ,  권종완 ,  최한메 ,  임재순

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: An in-situ dielectric film forming apparatus and method are provided to prevent impurities from diffusing into a dielectric film and to restrain a native oxide layer from being formed on the dielectric film by forming the dielectric film using in-situ processing. CONSTITUTION: A dielectric film forming apparatus includes a loadlock chamber, a transfer chamber, a first and second CVD(Chemical Vapor Deposition) chamber, and a heat treatment chamber(113). The loadlock chamber(101) is used for storing a wafer cassette. The transfer chamber(103) is connected with the loadlock chamber to load/unload a wafer to/from the cassette. The first CVD chamber(109) and the second CVD chambers(111) are connected with the transfer chamber. Each CVD chamber is capable of forming a different dielectric film. The apparatus is capable of performing all the corresponding processes on the wafer by using in-situ processing.

Abstract translation: 目的：提供一种原位电介质膜形成装置和方法，以通过使用原位处理形成电介质膜来防止杂质扩散到电介质膜中并抑制在电介质膜上形成的自然氧化物层。 构成：电介质膜形成装置包括负荷锁定室，转移室，第一和第二CVD（化学气相沉积）室和热处理室。 负载锁定室（101）用于存储晶片盒。 传送室（103）与负载锁定室连接，以将/从盒装载/卸载晶片。 第一CVD室（109）和第二CVD室（111）与传送室连接。 每个CVD室能够形成不同的电介质膜。 该装置能够通过使用原位处理在晶片上执行所有相应的处理。

公开(公告)号：KR1020040103020A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：KR1020030034902

申请日：2003-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권종완 ,  김성태 ,  김영선 ,  남갑진 ,  임재순 ,  김기철 ,  최한메

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A bit of ALD(Atomic Layer Deposition) equipment is provided to induce a degraded source pulse waveform to a predetermined source pulse waveform adequate for ALD by correcting the degraded source pulse waveform using a buffer canister and a pneumatic valve. CONSTITUTION: A bit of ALD equipment is used for forming a thin film by vaporizing a source and supplying the vaporized source to a chamber through a gas delivery line(200). A buffer canister(310) and a pneumatic valve(400) are installed on the gas delivery line in order to correct a source pulse waveform(100).

Abstract translation: 目的：提供一点ALD（原子层沉积）设备，通过使用缓冲罐和气动阀校正劣化的源脉冲波形，将ALD（原子层沉积）设备引导到适合于ALD的预定源脉冲波形的劣化源脉冲波形。 构成：通过蒸发源并通过气体输送管线（200）将蒸发的源供应到室，通过一点ALD设备来形成薄膜。 缓冲罐（310）和气动阀（400）安装在气体输送管线上，以便校正源脉冲波形（100）。

公开(公告)号：KR1020040102277A

公开(公告)日：2004-12-04

申请号：KR1020030033651

申请日：2003-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기철 ,  김영선 ,  남갑진 ,  권종완 ,  최한메 ,  임재순

IPC: H01L21/31

Abstract: PURPOSE: A method of forming a dielectric film is provided to reduce leakage current by obtaining the dielectric film with a desired thickness using alternately a dielectric film deposition and a heat treatment. CONSTITUTION: A first dielectric film is formed on a predetermined layer. A first heat treatment is performed thereon. A second dielectric film is formed on the heat-treated first dielectric film. A second heat treatment is performed thereon. The heat treatments are performed under a predetermined gas atmosphere or under a vacuum condition. The predetermined gas is one selected from a group consisting of O2, O3, N2, Ar, He, O2 plasma, and NH3 plasma.

Abstract translation: 目的：提供一种形成电介质膜的方法，通过交替使用电介质膜沉积和热处理获得所需厚度的电介质膜来减少漏电流。 构成：在预定层上形成第一电介质膜。 对其进行第一热处理。 在热处理的第一介电膜上形成第二电介质膜。 在其上进行第二次热处理。 热处理在预定的气体气氛或真空条件下进行。 预定气体是从由O 2，O 3，N 2，Ar，He，O 2等离子体和NH 3等离子体组成的组中选择的气体。

公开(公告)号：KR100297722B1

公开(公告)日：2001-10-29

申请号：KR1019980049507

申请日：1998-11-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 형용우 ,  박영욱 ,  남갑진 ,  원석준

IPC: H01L27/04

Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 커패시터를 제조하는 방법으로서, 본 발명에 따르면, 반도체 기판의 활성 영역상에 하부 적극막을 형성한다. 그리고 하부 적극막표면에 반구형 입자층을 형성한 후에, 이 반구형 입자층상에 산화막을 20Å 이하의 두께로 형성한다. 이를 위하여 하부 전극막을 대기중에 일정 시간동안 노출시켜 자연 산화막을 형성하거나, 또는 반응 챔버내에서의 일정 가스 분위기에서 산화막을 형성할 수도 있다. 이어서, 산화막상에 산화 억제막으로서의 질화막, 유전체막으로서의 탄탈륨 산화막 및 상부 전극막을 순차적으로 형성한다.
본 발명에서와 같이, 하부 전극막을 형성한 후에 산화막을 인위적으로 형성함으로써 누설 전류 특성이 개선된다.

公开(公告)号：KR1020010074367A

公开(公告)日：2001-08-04

申请号：KR1020000003397

申请日：2000-01-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박기연 ,  남갑진 ,  원석준 ,  형용우

IPC: H01L21/316

Abstract: PURPOSE: A method for forming a tantalum oxide capacitor is provided to improve step coverage and the roductivity of the deposition equipment by reducing the incubation time of a tantalum oxide layer. CONSTITUTION: The method includes the four steps. The first step is to form a lower electrode(3) on a emiconductor ubstrate(1). After the first step, an overall processing film(5) is formed on the lower electrode. The second step is to orm a tantalum oxide film seed(7) on the lower electrode at a process condition of a short incubation time. The rocess condition of the short incubation time has a process temperature of 450-550 degree centigrade and a rocess ressure of 1.0-10.0 torr. The third step is to form a tantalum oxide film on the lower electrode as a dielectric film by using the tantalum oxide film seed as a growing core. The fourth step is to form an upper electrode on the tantalum xide film.

Abstract translation: 目的：提供一种形成氧化钽电容器的方法，通过减少氧化钽层的孵育时间来提高沉积设备的台阶覆盖率和生产率。 规定：该方法包括四个步骤。 第一步是在半导体基板（1）上形成下电极（3）。 在第一步之后，在下电极上形成整体处理膜（5）。 第二步是在较短的孵育时间的工艺条件下，在下部电极上淀积氧化钽薄膜晶种（7）。 孵化时间短的过程条件为450-550摄氏度，加工温度为1.0-10.0乇。 第三步是通过使用氧化钽膜晶种作为生长核心，在下电极上形成氧化钽膜作为电介质膜。 第四步是在钽硅膜上形成上电极。