公开(公告)号：KR101283539B1

公开(公告)日：2013-07-15

申请号：KR1020070087306

申请日：2007-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 후아샹잉 ,  박영수 ,  김선일

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1203

Abstract: 적층을 통해서 고집적이 가능한 비휘발성 메모리 소자, 그 스택 모듈 및 그 제조 방법이 제공된다. 이 비휘발성 메모리 소자에서, 하나 이상의 바닥 게이트 전극은 기판 상에 제공된다. 하나 이상의 전하 저장층은 상기 하나 이상의 바닥 게이트 전극 상에 제공된다. 그리고, 하나 이상의 반도체 채널층은 상기 하나 이상의 전하 저장층 상에 제공된다.
역전 구조, 버추얼 그라운드, 전하 저장층

公开(公告)号：KR3006510500000S

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：KR3020100056597

申请日：2010-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 박영수 ,  이재명 ,  허영순

公开(公告)号：KR101155176B1

公开(公告)日：2012-06-11

申请号：KR1020050062923

申请日：2005-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  박영수 ,  타카시노구치 ,  조세영 ,  장샤오신 ,  후아샹잉

IPC: H01L21/335

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B25/005 ,  C30B29/08 ,  C30B29/60

Abstract: 나노 와이어의 제조 및 이를 이용한 트랜지스터의 제조방법에 관해 개시된다. 제조방법은:
기판에 제1측면과 제 1 측면에 대향 하는 제 2 측면을 가지는 템플리트층을 형성하는 단계; 상기 템플리트층의 제 1 측면과 제 2 측면 사이에 마련되는 것으로 제 1 측면에 제 1 개구부를 가지는 세공(細孔, pore)을 상기 템플리트층에 형성하는 단계; 상기 템플리트층의 제 1 측면의 마련된 제 1 개구부에 접촉되는 단결정 물질층을 형성하는 단계; 상기 제 2 측면에 마련되는 세공에 통하는 제 2 개구부를 형성한 후, 제 2 개구부를 통해 기체 상태의 결정성장 물질을 공급하여, 상기 세공 내에 상기 단결정 물질층으로부터의 결정 성장에 의해 상기 세공 내에 결정성 와이어를 형성하는 단계;를 포함한다. 본 발명에 따르면, Si 또는 SiGe 등의 결정물질에 의한 나노와이어를 기판 에 나란하게 형성할 수 있으며, 특히 방향성이 제어될 수 있는 고 품질의 나노 와이어를 제조할 수 있다. 또한 이러한 나노 와이어의 제조방법의 응용에 의해 고품질의 트랜지스터를 기판 상에 형성할 수 있다.
전계효과, 트랜지스터, 단결정, 나노 와이어

公开(公告)号：KR1020110123118A

公开(公告)日：2011-11-14

申请号：KR1020100042589

申请日：2010-05-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정형수 ,  박영수 ,  채수희 ,  민복기 ,  김준연 ,  홍현기 ,  탁영조 ,  이재원

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/0025 ,  H01L27/156 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

Abstract: PURPOSE: A vertical type light emitting device which includes a patterned light emitting part is provided to arrange an electrode on a region eliminated by patterning, thereby reducing light emitting loss due to the electrode. CONSTITUTION: A first electrode layer(120) is arranged on a substrate(110). A bonding metal layer(112) is arranged between the substrate and first electrode layer. A patterned third group nitride semiconductor layer(130) is arranged on the first electrode layer. A semiconductor layer comprises a semiconductor layer(131), an active layer(132), and a second semiconductor layer(133). A transparent electrode(150) is arranged as a flat shape on the semiconductor layer. A second electrode(160) is arranged on the transparent electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种包括图案化发光部分的垂直型发光器件，用于通过图案化将电极排列在消除的区域上，从而减少由于电极引起的发光损失。 构成：第一电极层（120）布置在衬底（110）上。 在基板和第一电极层之间布置有接合金属层（112）。 图案化的第三组氮化物半导体层（130）布置在第一电极层上。 半导体层包括半导体层（131），有源层（132）和第二半导体层（133）。 透明电极（150）在半导体层上被设置为平坦的形状。 第二电极（160）布置在透明电极上。

公开(公告)号：KR1020110083934A

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：KR1020100003927

申请日：2010-01-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김선일 ,  박재철 ,  김상욱 ,  박영수 ,  김창정

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L27/1214

Abstract: PURPOSE: A transistor, a manufacturing method thereof, and an electronic device including the same are provided to suppress the property variation of a transistor due to light and moisture by including a second passivation layer including fluorine. CONSTITUTION: A source(S1) and a drain(D1) are connected to both ends of a channel layer(C1). A gate(G1) corresponds to the channel layer. A gate insulation layer(Gl1) is formed between the channel layer and the gate. A first passivation layer(P11,P12) covers the source, the drain, the gate, and the gate insulation layer, and the channel layer. The second passivation layer is formed on the first passivation layer and includes fluorine.

Abstract translation: 目的：提供晶体管及其制造方法以及包括该晶体管的电子器件，以通过包括含氟的第二钝化层来抑制由于光和水分导致的晶体管的特性变化。 构成：源极（S1）和漏极（D1）连接到沟道层（C1）的两端。 栅极（G1）对应于沟道层。 在沟道层和栅极之间形成栅极绝缘层（Gl1）。 第一钝化层（P11，P12）覆盖源极，漏极，栅极和栅极绝缘层以及沟道层。 第二钝化层形成在第一钝化层上并且包括氟。

公开(公告)号：KR100979710B1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：KR1020030032882

申请日：2003-05-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  박영수 ,  이원태

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 소자 및 제조방법에 관하여 개시한다. 개시된 반도체 메모리 소자는 트랜지스터 및 데이타 저장부 사이에 배치된 발열부; 및 상기 데이타 저장부에 연결된 금속배선;을 구비하며, 상기 데이타 저장부는 상기 발열부의 발열에 의해서 상변화가 일어나서 데이타가 저장되는 칼코게나이드 물질층을 포함한다. 이에 따르면, 칼코게나이드 물질층의 하부에 발열물질층을 배치하고, 발열물질층의 표면을 플라즈마 산화시켜서 저항치를 높임으로써 적은 전류 사용으로 칼코게나이드 물질층에 필요한 열량을 전달할 수 있다. 따라서, 반도체 메모리 소자에 사용되는 전류의 량을 감소시킬 수 있는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020100020309A

公开(公告)日：2010-02-22

申请号：KR1020080079030

申请日：2008-08-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김창정 ,  유인경 ,  박영수

IPC: G06K19/07 ,  B42D25/305

CPC classification number: G06K19/07354 ,  B42D25/305 ,  B42D25/313 ,  G06K19/0718 ,  G06Q20/40

Abstract: PURPOSE: A structure of a credit card capable of displaying and a method of providing a differential service thereof are provided to solve a problem that card members have to connect to the credit card company through the internet. CONSTITUTION: A communication unit(250) receives a settlement history and service information through a settlement terminal providing from the credit card company. The communication unit requests additional information corresponding to the user input through the settlement terminal to the credit card company. A display unit(260) displays the settlement history and the service information received from the communication unit. The first storage(220) stores the settlement history and the service information received from the communications unit. A power supply unit(280) provides the power supply to a control unit(230) and a display unit.

Abstract translation: 目的：提供能够显示的信用卡结构和提供差分服务的方法，以解决卡成员必须通过互联网连接到信用卡公司的问题。 构成：通信单元（250）通过从信用卡公司提供的结算终端接收结算历史和服务信息。 通信单元通过结算终端向信用卡公司请求与用户输入对应的附加信息。 显示单元（260）显示从通信单元接收的结算历史和服务信息。 第一存储器（220）存储从通信单元接收的结算历史和服务信息。 电源单元（280）向控制单元（230）和显示单元提供电源。

公开(公告)号：KR100935936B1

公开(公告)日：2010-01-11

申请号：KR1020080047092

申请日：2008-05-21

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박재철 ,  권기원 ,  박영수 ,  이승훈 ,  안승언

IPC: G11C17/00 ,  H01L21/8239 ,  H01L23/12

Abstract: 본 발명은 적층 메모리 장치에 관한 것이다. 적층 메모리 장치에 있어서, 적층된 다수의 메모리층을 각각 포함하는 두 개 이상의 메모리부와 메모리부들 사이에 형성된 것으로, 디코더를 구비하는 적어도 하나의 능동회로부 포함하는 적층 메모리 장치를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020100003322A

公开(公告)日：2010-01-08

申请号：KR1020080060226

申请日：2008-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경국 ,  박영수

IPC: H01L33/48

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: PURPOSE: A multi-chip package for an LED and a multi-chip package LED device are provided to make the LED device with small heat by including a light emitting device for emitting the light from the multi-chip package to the outside. CONSTITUTION: A plurality of light emitting diode chips(20a,20b,20c) are formed on one wafer substrate(11). A first clad layer(12) is formed on the wafer substrate. An active layer(13a,13b,13c) are partially formed on the upper side of the first clad layer. A second clad layer(14a,14b,14c) are formed on the active layer. A first electrode(15a,15b,15c) are partially formed on the upper side of the first clad layer. A second electrode is formed on the second clad layer. The plurality of light emitting diodes share one wafer substrate and the first clad layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于LED和多芯片封装LED器件的多芯片封装，通过包括用于将来自多芯片封装的光发射到外部的发光器件来使LED器件具有小的热量。 构成：在一个晶片基板（11）上形成多个发光二极管芯片（20a，20b，20c）。 第一覆盖层（12）形成在晶片衬底上。 有源层（13a，13b，13c）部分地形成在第一覆盖层的上侧。 在有源层上形成第二覆盖层（14a，14b，14c）。 第一电极（15a，15b，15c）部分地形成在第一包层的上侧。 第二电极形成在第二覆盖层上。 多个发光二极管共享一个晶片衬底和第一覆盖层。

公开(公告)号：KR1020090111619A

公开(公告)日：2009-10-27

申请号：KR1020080037318

申请日：2008-04-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영수

IPC: G11C17/00

CPC classification number: G11C17/165 ,  G11C5/02 ,  G11C5/025 ,  G11C17/06 ,  G11C17/146 ,  G11C17/16 ,  G11C29/72 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/1021

Abstract: PURPOSE: A memory device, a display apparatus and a method of operating the memory device are provided to write once and reproduce repeatedly. CONSTITUTION: A memory device which can repetitively reproduce and record once includes a memory module and a spare area. The memory module is vertically laminated with at least 2 memory modules. The spare area includes the plurality of memory cells. The spare area exists in the place discrete from the memory module.

Abstract translation: 目的：提供存储装置，显示装置和操作存储装置的方法，以一次写入并重复进行再生。 构成：可以重复地再现和记录一次的存储器件包括存储器模块和备用区。 内存模块垂直层压至少2个内存模块。 备用区域包括多个存储单元。 备用区存在于与内存模块分离的位置。