Abstract:
PURPOSE: A reflective reticle chuck and a reflective illumination system including the same, a method for increasing the flatness of a reflective reticle, and a method for manufacturing a semiconductor device are provided to accurately control the flatness of the reflective reticle, thereby increasing productivity. CONSTITUTION: A reflective reticle chuck includes a non fluid flowing part(141) and a fluid flowing part(145). The non fluid flowing part is an outer area and the fluid flowing part is a central area. The fluid flowing part is made of cells. A flat frame is fixed to an edge area. Cells comprise an elevator. Some frames are expanded between cells.
Abstract:
PURPOSE: A method for processing image data is provided to measure the linewidth of a bar pattern by using an automatic rotation angle correction algorithm. CONSTITUTION: Image data including at least one bar pattern is obtained(S100). The coordinates of an edge of a bar pattern are detected(S200). The outline curve of the bar pattern is extracted(S300). A major axial direction is set by differentiating the outline curve of the bar pattern. The image data is rotated so that the major axis coincides with the reference axis(S400). The information of the bar pattern is extracted by processing the bar pattern of the image data.
Abstract:
PURPOSE: A method for evaluating a flare is provided to extract a point spread function using direct-current(DC) flare reference data and the change of a photo-resist measuring pattern. CONSTITUTION: DC flare reference data is extracted using an opened dummy mask(S100). A plurality of flare gauge sets including an opaque pad, a measuring pattern, and a flare pattern is prepared(S200). The change of a photo-resist measuring pattern due to the flare pattern and the measuring pattern is detected(S300). A point spread function is extracted using the DC flare reference data and the change of the photo resist measuring pattern(S400).
Abstract:
A multi-layer optical recording medium and a method for fabricating the same are provided to irradiate ultraviolet light to the top reflection layer of the reflection layers from two directions for restricting the tilt which is generated during an ultraviolet hardenable process of the space layers. An optical recording medium(20) having multi layers comprises a substrate(21), a plurality of reflection layers(22,24,26,28), space layers(23,25,27), and a cover layer(29). The reflection layers are deposited on the substrate. The space layers are placed among the reflection layers and are made of ultraviolet hardenable resin. The cover layer is formed on the top reflection layer of the reflection layers. The ultraviolet light is permeated from two directions to the top reflection layer. The ultraviolet light transmissivity to the top reflection layer is at least 10%.
Abstract:
기판 및 시트 제조시 각각의 외주부에 편심 제어용 정보를 형성하여 편심을 용이하게 제어할 수 있는 광디스크 제조 방법이 개시되어 있다. 개시된 편심 제어를 위한 광디스크 제조 방법은, 최종적으로 완성될 디스크의 직경보다 큰 직경을 갖는 기판을 준비하는 단계; 상기 기판의 외주부에 편심 제어용 제1정보를 형성하는 단계; 소정 두께의 시트를 준비하는 단계; 상기 시트의 외주부에 상기 기판의 편심 제어용 제1정보에 대응되는 제2정보를 형성하는 단계; 상기 제1정보에 제2정보를 맞추어 상기 기판과 상기 시트를 접합하는 단계; 상기 시트가 접합된 기판의 외주부를 절삭하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 하여 최종적으로 얻고자 하는 디스크의 직경보다 큰 기판의 외주부에 편심 제어용 정보를 기록하고, 이를 기준으로 기판에 시트를 접합함으로써 용이하게 편심을 제어할 수 있다. 뿐만 아니라, 편심 제어용 정보를 기록하는 영역을 데이터가 기록되는 영역과 별도로 마련하여 기록 용량을 감소시키지 않으면서 편심을 조절하여 보다 양호한 디스크를 제조할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 광기록 매체의 표면 위에 형성되는 커버층의 두께를 균일하게 할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 양호한 실시예에 따른 광기록 매체의 커버층 형성 방법은, 광기록 매체의 상면에 광폴리머 수지를 토출하는 단계; 평평한 표면을 갖는 가압 플레이트로 상기 광폴리머 수지를 가압하는 동시에 상기 광기록 매체를 회전시킴으로써, 상기 광폴리머 수지를 상기 광기록 매체 상에 균일한 두께로 분포시키는 단계; 상기 광폴리머 수지를 경화시켜 상기 광기록 매체 상에 커버층을 형성하는 단계; 및 상기 가압 플레이트를 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
스토리지 전극(storage node)과의 접촉 면적을 보다 확보하기 위해서 비트 라인(bit line) 방향으로 확장된 콘택체(contact body)를 포함하는 반도체 소자 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 관점에 의한 제조 방법은, 반도체 기판 상에 게이트 라인(gate line)들 및 제1절연층을 형성하고, 제1절연층을 관통하여 반도체 기판 상에 전기적으로 연결되는 제1콘택 패드(first contact pad)들 및 제2콘택 패드들을 형성한다. 제1콘택 패드들 및 상기 제2콘택 패드들을 덮는 제2절연층을 형성하고, 제2절연층 상에 게이트 라인들 상을 가로지르고 제2절연층을 관통하여 제2콘택 패드들에 각각 전기적으로 연결되는 비트 라인들을 형성한다. 비트 라인들을 덮는 제3절연층을 형성한다. 제3절연층을 선택적으로 식각하여 비트 라인들을 다수 개 가로지고 적어도 제1콘택 패드들을 노출하는 밴드(band) 형태의 오프닝(opening)을 형성한다. 제3절연층 상에 오프닝을 채우는 도전층을 형성하고, 도전층을 패터닝하여 비트 라인 방향으로 제3절연층 상으로 확장된 확장부와 제1콘택 패드에 전기적으로 연결되는 몸체부를 일체로 포함하는 개개의 스토리지 전극 콘택체들로 분리한다. 개개의 스토리지 전극 콘택체들 상에 실린더(cylinder) 형태의 스토리지 전극들을 각각 형성한다.
Abstract:
메인 칩의 면적 축소 없이, 반도체 제조 공정시 사용되는 모든 노광 설비의 얼라인먼트 키를 모두 웨이퍼 상에 형성하여, 패턴 불량을 방지할 수 있는 반도체 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 반도체 소자는, 에지 영역 및 상기 에지 영역에 의해 둘러싸여진 중심 영역을 포함하는 반도체 웨이퍼, 및 상기 웨이퍼 에지 영역에 형성되는 다수의 얼라인먼트 키로 구성되는 통합 얼라인먼트 키 그룹을 포함한다. 상기 통합 얼라인먼트 키 그룹은, 반도체 소자를 제조하는 공정시 이용되는 노광 설비의 특정 얼라인먼트 키를 모두 포함하며, 상기 얼라인먼트 키는 서로 다른 구조를 갖는 얼라인먼트 키가 교대로 배치된다.
Abstract:
An optical disk is provided to include one data recording layer, and to dispose lead-in zones, data zones, and lead-out zones at the recording layer, thereby more reliably recording more control data. The first control data zone is disposed in a lead-in zone of a recording layer, while the second control data zone is disposed in a lead-out zone of the recording layer. Control data for using an optical disk are repeatedly recorded in the first control data zone and the second control data zone. The same control data are repeatedly recorded in either the first control data zone or the second control data zone. The control data are recorded in the control data zones by using bi-phase modulated wobble signals.
Abstract:
PURPOSE: A semiconductor device, a fabricating method of the same, an SRAM device, and a method of fabricating the same are provided to secure a high degree of integration by increasing a photo process margin. CONSTITUTION: A P-type doping region and an N-type doping region are formed within a unit cell region of a semiconductor substrate. A plurality of active patterns(102) having a first pitch are arranged in the P-type doping region and the N-type doping region. A plurality of gate patterns having a second pitch are arranged vertically to the active patterns. The first and the second pitches are formed with same size. A length of a first side of the unit cell region corresponds to integer times of the first pitch.