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公开(公告)号：KR100725113B1
公开(公告)日：2007-06-04
申请号：KR1020050119254
申请日：2005-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A method of manufacturing a particle adsorbed sample wafer is provided to obtain a substrate with uniformly adsorbed particles by preventing the deposition or agglomeration of particle powder in a particle solution using an ultrasonic treatment. A particle solution(14) is formed by adding particle powder(10) into a predetermined solvent(12), wherein the predetermined solvent contains isopropyl alcohol of 0.5 to 10 volume%, hydrogen peroxide of 0.5 to 10 volume% and water. An ultrasonic treatment is performed on the particle solution. A wafer(18) is dipped into the particle solution in order to adsorb particles. Then, a drying process is performed on the wafer. The ultrasonic treatment is performed for 1 to 30 minutes.
Abstract translation: 提供一种制造颗粒吸附样品晶片的方法，以通过使用超声波处理防止颗粒粉末在颗粒溶液中的沉积或附聚来获得具有均匀吸附颗粒的基材。 通过将颗粒粉末（10）加入到预定溶剂（12）中形成颗粒溶液（14），其中预定溶剂包含0.5-10体积％的异丙醇，0.5-10体积％的过氧化氢和水。 对颗粒溶液进行超声波处理。 晶片（18）浸入颗粒溶液中以吸附颗粒。 然后，在晶片上进行干燥处理。 超声波处理进行1至30分钟。
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公开(公告)号：KR100670919B1
公开(公告)日：2007-01-19
申请号：KR1020050002991
申请日：2005-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/31133 , H01L21/31053
Abstract: 경제적인 저유전율막 제거 방법 및 이를 이용한 웨이퍼 재생 방법에서, 저유전율막이 형성된 대상물을 불산으로 처리한 후, 상기 저유전율막을 대상물로부터 제거한다. 저유전율막을 대상물로부터 제거하기에 앞서, 상기 저유전율막에 포함된 실리콘-산소 결합을 약화시킴으로써 효율적으로 저유전율막을 제거할 수 있어 전체적인 반도체 제조 공정의 생산성을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100512183B1
公开(公告)日：2005-09-02
申请号：KR1020040083684
申请日：2004-10-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 반도체기판의 세정/건조 공정에 사용되는 웨이퍼 가이드를 제공한다. 이 웨이퍼 가이드는 수평면과 평행한 지지판넬 및 상기 지지판넬의 일면에 부착된 적어도 3개의 평행한 수직판넬들을 구비한다. 상기 수직 판넬들의 각각은 수직한 바디판넬 및 상기 바디 판넬의 상부면으로부터 상부로 연장된 복수개의 돌출부들을 갖는다. 상기 돌출부들 사이의 갭 영역들은 웨이퍼들을 홀딩하는 슬롯들의 역할을 한다. 상기 슬롯들의 측벽들은 평면적으로 보여질 때 볼록한 형태의 프로파일(convex shaped profile)을 갖고, 상기 슬롯들의 바닥면들 역시 상기 수직판넬들을 가로지르는 단면으로부터 보여질 때 볼록한 형태의 프로파일을 갖는다. 이에 따라, 상기 웨이퍼들 및 상기 웨이퍼 가이드 사이의 접촉면적을 최소화시키어 상기 웨이퍼들의 건조효율을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100487541B1
公开(公告)日：2005-05-03
申请号：KR1020020053755
申请日：2002-09-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67326 , B65D25/103 , H01L21/67057 , Y10S134/902
Abstract: 반도체기판의 세정/건조 공정에 사용되는 웨이퍼 가이드를 제공한다. 이 웨이퍼 가이드는 수평면과 평행한 지지판넬 및 상기 지지판넬의 일면에 부착된 적어도 3개의 평행한 수직판넬들을 구비한다. 상기 수직 판넬들의 각각은 수직한 바디판넬 및 상기 바디 판넬의 상부면으로부터 상부로 연장된 복수개의 돌출부들을 갖는다. 상기 돌출부들 사이의 갭 영역들은 웨이퍼들을 홀딩하는 슬롯들의 역할을 한다. 상기 슬롯들의 측벽들은 평면적으로 보여질 때 볼록한 형태의 프로파일(convex shaped profile)을 갖고, 상기 슬롯들의 바닥면들 역시 상기 수직판넬들을 가로지르는 단면으로부터 보여질 때 볼록한 형태의 프로파일을 갖는다. 이에 따라, 상기 웨이퍼들 및 상기 웨이퍼 가이드 사이의 접촉면적을 최소화시키어 상기 웨이퍼들의 건조효율을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100471190B1
公开(公告)日：2005-02-21
申请号：KR1020040083686
申请日：2004-10-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 반도체기판의 세정/건조 공정에 사용되는 웨이퍼 가이드를 제공한다. 이 웨이퍼 가이드는 수평면과 평행한 지지판넬 및 상기 지지판넬의 일면에 부착된 적어도 3개의 평행한 수직판넬들을 구비한다. 상기 수직 판넬들의 각각은 수직한 바디판넬 및 상기 바디 판넬의 상부면으로부터 상부로 연장된 복수개의 돌출부들을 갖는다. 상기 돌출부들 사이의 갭 영역들은 웨이퍼들을 홀딩하는 슬롯들의 역할을 한다. 상기 돌출부들은 소수성 물질(hydrophobic material)로 이루어지고, 상기 수직한 바디 판넬은 친수성 물질(hydrophilic material)로 이루어진다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100456527B1
公开(公告)日：2004-11-09
申请号：KR1020010078159
申请日：2001-12-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67034
Abstract: A drying system for drying a semiconductor substrate is provided. The drying system includes: a chamber for housing a vapor distributor and a fluid bath, said fluid bath being disposed in a lower portion of the chamber and said distributor being disposed in an upper portion of the chamber for distributing vapor for drying the substrate; and a fluid flow system for supplying fluid flow into said fluid bath for cleaning and drying the substrate and for draining said fluid from the fluid bath, wherein the chamber includes a plurality of exhaust vents disposed at the upper portion for venting the vapor.
Abstract translation: 提供了用于干燥半导体衬底的干燥系统。 所述干燥系统包括：用于容纳蒸气分配器和流体浴的腔室，所述流体浴布置在所述腔室的下部中，并且所述分配器布置在所述腔室的上部中以分配用于干燥所述基底的蒸气; 以及流体流动系统，用于将流体流供应到所述流体浴中以用于清洁和干燥所述基体并用于从所述流体浴排出所述流体，其中所述室包括布置在所述上部用于排出所述蒸气的多个排气口。
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公开(公告)号：KR1020040093652A
公开(公告)日：2004-11-06
申请号：KR1020040083684
申请日：2004-10-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/68785
Abstract: PURPOSE: A wafer guide used for cleaning/drying processes of a semiconductor substrate is provided to minimize contact surface between wafers by forming roundly a sidewall and a bottom of a guide slot. CONSTITUTION: A wafer guide includes a support panel and at least two vertical panels attached to one side of the support panel. Each vertical panel has a body part and a plurality of protrusions(5a,5b,5c) for defining a plurality of slots. Both sidewalls(5s) and a bottom of each slot have convex shaped profiles. A central panel is located between the two vertical panels.
Abstract translation: 目的：提供用于半导体衬底的清洁/干燥工艺的晶片引导件，以通过圆形地形成引导槽的侧壁和底部来最小化晶片之间的接触表面。 构成：晶片引导件包括支撑面板和至少两个连接到支撑面板一侧的垂直面板。 每个垂直面板具有用于限定多个槽的主体部分和多个突起（5a，5b，5c）。 两个侧壁（5s）和每个槽的底部具有凸形轮廓。 中央面板位于两个垂直面板之间。
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公开(公告)号：KR1020040091607A
公开(公告)日：2004-10-28
申请号：KR1020040083688
申请日：2004-10-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/02052
Abstract: PURPOSE: Wafer guides used in a process for cleaning and drying a semiconductor substrate are provided to improve drying efficiency of wafers by minimizing a contact area between a wafer guide and the wafers and by uniformly controlling the intervals between the wafers while using an auxiliary wafer guide broader than a main wafer guide or a wafer aligning unit. CONSTITUTION: The main wafer guide(10) holds semiconductor wafers(63). The auxiliary wafer guide(61) has a width greater than that of the main wafer guide. The auxiliary wafer guide includes an auxiliary supporter and a pair of parallel wafer supporters. The auxiliary supporter has a width greater than that of the main wafer guide. The pair of parallel wafer supporters additionally hold the semiconductor wafers, positioned on both edges of the auxiliary supporter, respectively.
Abstract translation: 目的：提供用于清洁和干燥半导体衬底的工艺中的晶片引导件，以通过使晶片引导件和晶片之间的接触面积最小化并且通过在使用辅助晶片引导件的同时均匀地控制晶片之间的间隔来提高晶片的干燥效率 比主晶片引导件或晶片对准单元宽。 构成：主晶片引导件（10）保持半导体晶片（63）。 辅助晶片引导件（61）的宽度大于主晶片引导件的宽度。 辅助晶片引导件包括辅助支撑件和一对平行晶片支撑件。 辅助支架的宽度大于主晶片导轨的宽度。 该对平行晶片支架分别保持位于辅助支架的两个边缘上的半导体晶片。
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公开(公告)号：KR100434491B1
公开(公告)日：2004-06-05
申请号：KR1020010049601
申请日：2001-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/32
CPC classification number: C11D1/526 , C11D11/0047 , G03F7/425
Abstract: Resist-removing composition comprises an N-hydroxyalkyl alkoxyalkanamide (I) and a swelling agent. An independent claim is also included for a process for removing a resist layer from a substrate, comprising contacting the substrate with a composition as above.
Abstract translation: 抗蚀剂去除组合物包含N-羟烷基烷氧基链烷酰胺（I）和溶胀剂。 还包括独立权利要求用于从基材去除抗蚀剂层的方法，包括使基材与如上所述的组合物接触。
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公开(公告)号：KR1020040030290A
公开(公告)日：2004-04-09
申请号：KR1020030062357
申请日：2003-09-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/32
CPC classification number: H01L21/02071 , G03F7/422 , G03F7/425 , H01L21/31133
Abstract: PURPOSE: Provided are a composition for stripping a photoresist pattern to form a pad, which can perform exfoliation and dissolution of the photoresist pattern in balance and dose not leave stitch shaped residues after removing the photoresist pattern, and a process for producing the composition. CONSTITUTION: The composition for stripping the photoresist pattern contains 10-90wt%(based on the total amount of the composition) of ethoxy(N-hydroxyalkyl)alkanamide(CH3CH2-O-R3-CO-N-R1R2OH), 0.01-40wt%(based on the total amount of the composition) of alkanolamine(NHR1R2OH), and 0.01-50wt%(based on the total amount of the composition) of a polar material being at least one selected from water, methanol, and dimethylsulfoxide. And the process for producing the composition for stripping the photoresist pattern contains the steps of: mixing alkyl alkoxy alkanoate(R4-O-R3-COOR5) with the alkanolamine(NHR1R2OH) and additionally the polar material; stirring the mixture and removing alcohol; and cooling the resultant. In the formula, R1 is H, C1-C5 hydrocarbon or C1-C3 aromatic hydrocarbon, R2 is C1-C5 hydrocarbon or C1-C3 aromatic hydrocarbon, and R3, R4, and R5 are C1-C5 hydrocarbon.
Abstract translation: 目的：提供剥离光致抗蚀剂图案以形成垫的组合物，其可以平衡地进行光刻胶图案的剥离和溶解，并且在除去光致抗蚀剂图案之后不会留下缝合残留物，以及制备该组合物的方法。 构成：剥离光致抗蚀剂图案的组合物含有10-90wt％（基于组合物的总量）乙氧基（N-羟烷基）烷酰胺（CH 3 CH 2 -O-R 3 -CO-N-R 1 R 2 OH），0.01-40wt％ （基于组合物的总量）的链烷醇胺（NHR 1 R 2 OH）和0.01-50重量％（基于组合物的总量）极性材料为选自水，甲醇和二甲基亚砜中的至少一种。 制备用于剥离光致抗蚀剂图案的组合物的方法包括以下步骤：将烷基烷氧基链烷酸酯（R 4 -O-R 3 -COOR 5）与链烷醇胺（NHR 2 R 2 OH）和另外的极性材料混合; 搅拌混合物并除去醇; 并冷却所得物。 在该式中，R 1为H，C 1 -C 5烃或C 1 -C 3芳烃，R 2为C 1 -C 5烃或C 1 -C 3芳烃，R 3，R 4和R 5为C 1 -C 5烃。
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