公开(公告)号：KR1020060057301A

公开(公告)日：2006-05-26

申请号：KR1020040096409

申请日：2004-11-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정우

IPC: G09G3/36

CPC classification number: G09G3/006 ,  G09G3/3696 ,  H02M3/04

Abstract: 영상 표시를 위한 구동시보다 표시장치의 테스트시 높은 전원전압을 제공할 수 있는 전원변환장치 및 이를 갖는 표시장치가 개시된다. 전원변환장치는 전원전압 컨버터 및 전원 구동회로부를 포함한다. 전원전압 컨버터는 제1 아날로그 전원전압 및 제2 아날로그 전원전압을 표시장치의 테스트시 및 구동시에 각각 표시장치로 출력한다. 전원 구동회로부는 외부로부터 입력되는 소정의 입력 전원전압을 조절하여 제1 아날로그 전원전압 및 제2 아날로그 전원전압을 생성하기 위한 제1 및 제2 피드백 제어신호를 각각 생성하여 전원전압 컨버터로 출력한다. 따라서, 표시장치의 테스트시에 구동시보다 높은 전압 레벨을 갖는 아날로그 전원전압을 표시장치에 제공하므로, 배선의 불량을 검출할 수 있어 표시품질을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060009744A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：KR1020040058425

申请日：2004-07-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정우

IPC: G02F1/133

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3648

Abstract: 표시 불량을 해결하기 위한 액정표시장치가 개시된다. 스위칭 소자는 게이트 신호를 전달하는 게이트 라인과 데이터 신호를 전달하는 소오스 라인에 연결되고, 액정 캐패시터는 일단이 스위칭 소자에 연결되고, 타단이 공통 전극 전압에 연결되며, 스토리지 캐패시터는 일단이 스위칭 소자에 연결되고, 스토리지 라인은 스토리지 캐패시터의 타단에 연결되어, 저계조에 대응하는 전압과 중간 계조에 대응하는 전압을 반복하는 스토리지 전압을 전달한다. 이에 따라, 저계조 또는 중간 계조를 스토리지 전압으로 이용하므로써, 독립 배선 방식을 갖는 액정표시장치에서 리페어 공정후 발생되는 빛샘이나 잔상 등을 해결할 수 있다.
스토리지 캐패시터, 독립 배선, 리페어, 빛샘, 잔상

公开(公告)号：KR1020060009546A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：KR1020040058172

申请日：2004-07-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정우 ,  이준 ,  이형우

IPC: G11C16/30 ,  G11C5/14

CPC classification number: G11C16/30 ,  G11C5/143 ,  G11C7/02 ,  G11C2207/105

Abstract: A power supply unit (240) has power level detector (246) arranged between the power supply pads (242,244) respectively provided at upper and lower regions of power supply unit. The power level detector is electrically connected to the power supply pads.

公开(公告)号：KR100506943B1

公开(公告)日：2005-08-05

申请号：KR1020030063289

申请日：2003-09-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강기호 ,  오혁상 ,  이정우 ,  박대근

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835

Abstract: 상, 하부 도전층을 연결하는 연결홀 저측면에 식각 정지막을 잔류시켜 경사면을 형성한다. 이를 위해, 하부 전도층을 갖는 반도체 기판 상에 식각정지막 및 층간절연막을 차례로 형성한다. 상기 층간절연막을 선택적으로 식각하여 상기 식각정지막의 일부를 노출시킨다. 상기 노출된 식각정지막의 일부를 제거하여 상기 식각정지막에 단차를 형성한다. 상기 식각정지막의 단차는 상기 노출된 오목부 및 상기 층간절연막으로 덮인 볼록부의 경계로 이루어진다. 상기 층간절연막의 일부분을 제거하여 상기 식각정지막의 볼록부의 일부분을 노출시킨다. 상기 노출된 오목부 및 볼록부를 이방성 식각하여, 상기 하부 전도층을 노출시키며 그 저측면에 잔류된 상기 식각정지막으로부터 제공되는 경사를 갖는 연결홀을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020050058830A

公开(公告)日：2005-06-17

申请号：KR1020030090811

申请日：2003-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김병석 ,  이정우

IPC: G02F1/1345

Abstract: 본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 특히 선 간격을 확보할 수 있는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
복수의 화소, 상기 화소의 스위칭 소자에 게이트 신호를 공급하는 복수의 게이트 구동 IC, 복수의 제어 신호를 공급하는 신호 제어부를 포함하는 데이터 PCB, 상기 데이터 PCB에 연결되어 있는 복수의 데이터 FPC, 그리고 상기 데이터 FPC 각각에 구비되어 있는 복수의 데이터 구동 IC를 포함하며, 상기 복수의 데이터 FPC 중 첫 번째 데이터 FPC는 나머지 데이터 FPC와 길이가 다르며, 상기 첫 번째 데이터 FPC의 길이는 48mm이고, 나머지 데이터 FPC의 길이는 35mm이다.
이런 방식으로, 게이트 제어 신호가 전달되는 배선이 형성되어 있는 첫 번째 데이터 FPC만의 길이를 크게 함으로써, 전체적으로 원가를 절감하는 한편 데이터 구동 IC의 채널간 선 간격을 확보할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040099579A

公开(公告)日：2004-12-02

申请号：KR1020030031605

申请日：2003-05-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김봉철 ,  이정우 ,  권형신

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A bake apparatus and a method of forming a photoresist pattern of a semiconductor device using the same are provided to prevent a profile of the pattern from deforming by heating a substrate with the pattern under upside-down condition. CONSTITUTION: A bake apparatus includes a heating plate, a plurality of substrate support pins, and a temperature controller. The heating plate(210) has a heat-radiation section. The heat-radiation section faces to a gravity direction. A plurality of substrate support pins(230) face the heat-radiation section of the heating plate and load a semiconductor substrate(220) to the heating plate. At this time, an upper surface of the substrate faces to the gravity direction. The temperature controller(250) keeps the heating plate having predetermined temperature.

Abstract translation: 目的：提供一种烘烤装置和使用其形成半导体器件的光致抗蚀剂图案的方法，以通过在倒置状态下以图案加热衬底来防止图案的轮廓变形。 构成：烘烤装置包括加热板，多个基板支撑销和温度控制器。 加热板（210）具有散热部。 热辐射部分面向重力方向。 多个基板支撑销（230）面对加热板的散热部分，并将半导体基板（220）加载到加热板。 此时，基板的上表面朝向重力方向。 温度控制器（250）保持加热板具有预定的温度。

公开(公告)号：KR100450660B1

公开(公告)日：2004-11-16

申请号：KR1019970052113

申请日：1997-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정우

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A material storage receptacle is provided to remove fully residual materials from a bottom part by separating the bottom part from a main body and rotating the bottom part. CONSTITUTION: A separation unit(45) is connected to a main body or a bottom part of a material storage receptacle in order to separate the bottom part from the main body. A rotation unit(35) is connected to the bottom part of the material storage receptacle in order to rotate the bottom part of the material storage receptacle separated by the separation unit. The bottom part is formed with a convex part having an inclined part from an inside to an outside.

公开(公告)号：KR1020040075639A

公开(公告)日：2004-08-30

申请号：KR1020030011226

申请日：2003-02-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정우 ,  차기석

IPC: G02F1/1345

CPC classification number: G02F1/1345 ,  G02F2001/133334 ,  H05K1/189 ,  H05K2201/05

Abstract: PURPOSE: An LCD device which reduces a harmful electromagnetic wave is provided to change a shape of signal lines for transmitting signals to a driving IC from an FPC(Flexible Printed Circuit), and to offset harmful electromagnetic waves generated from the signal lines, thereby remarkably reducing the generation of the harmful electromagnetic waves. CONSTITUTION: Pixel electrodes(110) are disposed on the first substrate(100). A TFT(Thin Film Transistor)(120) for applying a driving voltage is disposed on each pixel electrode(110). Signal lines(150) are connected to a gate electrode(G) and a source electrode(S) of the TFT(120). A gate line(140) is connected to the gate electrode(G), and a data line(130) is connected to the source electrode(S). Pads(160) are formed in a section of the gate line(140) and a section of the data line(130). The second substrate(200) is overlapped with the first substrate(100), is formed with a color filter corresponding to each pixel electrode(110), and comprises a common electrode faced with the pixel electrodes(110).

Abstract translation: 目的：提供一种减少有害的电磁波的LCD装置，以从FPC（柔性印刷电路）改变用于将信号传输到驱动IC的信号线的形状，并且用于抵消由信号线产生的有害的电磁波，从而显着地 减少有害电磁波的产生。 构成：像素电极（110）设置在第一基板（100）上。 用于施加驱动电压的TFT（薄膜晶体管）（120）设置在每个像素电极（110）上。 信号线（150）连接到TFT（120）的栅电极（G）和源电极（S）。 栅极线（140）连接到栅电极（G），并且数据线（130）连接到源电极（S）。 垫片（160）形成在栅极线（140）的一部分和数据线（130）的一部分中。 第二基板（200）与第一基板（100）重叠，形成有与每个像素电极（110）相对应的滤色器，并且包括面对像素电极（110）的公共电极。

公开(公告)号：KR100374643B1

公开(公告)日：2003-03-04

申请号：KR1020000082054

申请日：2000-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유지용 ,  이대엽 ,  이정우 ,  이석주 ,  이재한

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76829

Abstract: A photoresist pattern is formed, without being exposed, by using photoresist having a residual layer proportion characteristic by which the photoresist dissolves at a suitable rate in a developing solution. First, a target layer to be patterned and a photoresist layer are sequentially formed on a substrate having a pattern that defines a step on the substrate. Some of the photoresist layer is treated with the developing solution, to thereby form a photoresist pattern whose upper surface is situated beneath the step and hence, exposes part of the target layer. Next, the exposed part of the target layer, and the photoresist pattern are removed. A silicidation process may be carried out thereafter on the area(s) from which the target layer has been removed. The method is relatively simple because it does not involve an exposure process. Furthermore, the method can be used to manufacture devices having very fine linewidths, i.e., a small design rule, because it is not subject to the misalignment errors which can occur during a conventional exposure process.

Abstract translation: 通过使用具有残留层比例特性的光刻胶形成光致抗蚀剂图案而不暴露，光致抗蚀剂图案以适当的比例溶解在显影液中。 首先，在具有在基板上限定台阶的图案的基板上依次形成要被图案化的目标层和光致抗蚀剂层。 用显影液处理一些光致抗蚀剂层，由此形成光致抗蚀剂图案，其上表面位于台阶下方，并因此暴露目标层的一部分。 接下来，去除目标层的曝光部分和光致抗蚀剂图案。 此后可以在已经去除目标层的区域上执行硅化工艺。 该方法相对简单，因为它不涉及曝光过程。 此外，该方法可用于制造具有非常精细的线宽的装置，即小的设计规则，因为它不受在常规曝光过程期间可能发生的未对准误差的影响。

公开(公告)号：KR1020030015543A

公开(公告)日：2003-02-25

申请号：KR1020010049317

申请日：2001-08-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이대엽 ,  남정림 ,  유도열 ,  이정우

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F1/50

Abstract: PURPOSE: Provided is a method for forming photoresist pattern, capable of controlling a residual film rate, which can provide a photolithography process obtaining a doping angle capable of forming a non-uniform channel by controlling the residual film rate of the photoresist pattern. CONSTITUTION: The method contains the steps of: forming a photoresist layer by spreading a photoresist for controlling the residual film rate, containing a compound represented by the formula 1 and a compound represented by the formula 2, on a semiconductor substrate, wherein the compound represented by the formula 1 has a molecular weight of 3000-30000g/mol and the compound represented by the formula 2 has a molecular weight of 1000-5000g/mol; exposing and developing the photoresist layer to form the residual film rate controlled photoresist pattern. The residual film rate of the photoresist pattern is 40-85%. In the formula, R is acetal or ter-butyloxy carbonyl(t-BOC), n and m are integers, n/(m+n) is 0.01-0.8, m/(m+n) is 1-£n/(m+n)|, and r is an integer of 8-40.

Abstract translation: 目的：提供一种能够控制残留膜速率的光致抗蚀剂图案的形成方法，其可以通过控制光致抗蚀剂图案的残留膜率来提供能够形成不均匀通道的掺杂角的光刻工艺。 方案：该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成光致抗蚀剂层，该光致抗蚀剂层通过将含有由式1表示的化合物和由式2表示的化合物控制残留膜速率的光致抗蚀剂铺展在其上， 式1的分子量为3000-30000g / mol，由式2表示的化合物的分子量为1000-5000g / mol; 曝光和显影光致抗蚀剂层以形成残留膜速度控制的光致抗蚀剂图案。 光致抗蚀剂图案的残留膜率为40-85％。 式中，R为缩醛或叔丁氧基羰基（t-BOC），n和m为整数，n /（m + n）为0.01-0.8，m /（m + n）为1〜 m + n）|，r为8〜40的整数。