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公开(公告)号：KR100826997B1
公开(公告)日：2008-05-06
申请号：KR1020060068535
申请日：2006-07-21
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 본 발명은 평판표시장치를 구동하기 위한 구동회로 중 게이트 드라이버용 쉬프트 레지스터에 관한 것으로, 입력신호 또는 전단 게이트 신호를 수신하는 제1 트랜지스터와; 쉬프트 레지스터 출력 단에 충전된 값을 방전하기 위해 다음 단의 게이트 신호를 수신하는 제2 트랜지스터와; 입력신호의 로우 값을 출력하는 풀-다운용의 제3 트랜지스터와; 입력신호의 하이 값을 출력하는 풀-업용의 제4 트랜지스터(T4)와; 입력신호의 로우 값을 쉬프트 레지스터의 출력신호의 로우 값으로 부트-스트래핑 시키는 캐패시터를 포함하며, 상기 제3 트랜지스터의 드레인과, 상기 제4 트랜지스터의 소스 및 상기 제1 캐패시터의 일측 끝단이 만나는 노드에 출력단이 접속된 것을 특징으로 한다.
게이트 드라이버, 쉬프트 레지스터, 박막 트랜지스터, 부트-스트래핑.-
公开(公告)号：KR100816471B1
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：KR1020060086208
申请日：2006-09-07
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터를 이용한 표시장치에 관한 것으로, 특히 화소 내의 스위칭 트랜지스터의 누설전류로 인한 휘도의 변화, 줄무늬, 크로스토크 등의 화질 저하 현상을 최소화하기 위한 화소 구조에 관한 것이다.
본 발명의 일실시예에 따른 능동구동형 표시장치의 화소구조는, 데이터 라인과 스캔 라인에 의해 정의되는 단위 화소를 선택하는 스위칭 트랜지스터와, 상기 데이터 라인으로부터 인가되는 화소 전압에 따라 해당 전하를 저장하는 저장용 커패시터를 적어도 구비하는 화소구조에 있어서, 상기 스위칭 트랜지스터가 오프 상태일 때 상기 스위칭 트랜지스터의 누설전류로 인해 누출되는 전하를 공급하는 쉴드 커패시터를 더 포함함을 특징으로 한다.
화소, 유기발광소자, 누설전류, 쉴드 커패시터, 스위칭 트랜지스터-
公开(公告)号：KR100810602B1
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：KR1020060050372
申请日：2006-06-05
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G2300/0819
Abstract: 본 발명은 유기발광소자의 구동을 위한 전압기입방식 화소구조에 관한 것으로, 비정질 박막트랜지스터를 이용한 저소비전력용 능동형 유기발광표시장치의 화소구조에 관한 것이다.
본 발명에 따른 전압기입방식 화소구조는 유기물 발광다이오드(O-LED)와; 외부에서 인가되는 선택 신호에 의해 구동 화소를 선택하는 제1 트랜지스터와; 상기 선택수단에 의해 인가되는 제어전압에 따라 소정의 전하를 저장하는 커패시터와; 상기 커패시터에 저장된 전하에 따른 전압을 수신하여 전류를 상기 유기물 발광다이오드에 인가하는 제2 트랜지스터; 및 발광과정에서는 상기 유기물 발광다이오드에 전류가 흐르도록 하고, 상기 제2 트랜지스터의 문턱전압 보상과정에서는 상기 유기물 발광다이오드로의 전류흐름을 차단하는 문턱전압 보상부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
비정질 실리콘 박막트랜지스터, 문턱전압, 전압기입-
公开(公告)号：KR1020080004181A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：KR1020060062865
申请日：2006-07-05
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H03K19/0175 , G09G3/20 , G09G3/36 , G09G3/30
CPC classification number: H03K3/35613 , G09G3/3611 , G09G3/3648 , G09G2300/0408 , G09G2310/0289 , G09G2310/08
Abstract: A level shifter and a driving method thereof are provided to generate an output signal having a greater amplitude than an input signal, but the same phase as the input signal. A level shifter includes a level shifting part(651) and an amplifying part(654). The level shifting part takes first and second input signals to generate first and second output signals, respectively. The first input signal is a cycle signal. The second input signal is an inverted first input signal. The first output signal is in phase with the first input signal and has a greater voltage than the first input signal. The second output signal is in phase with the second input signal and has a lower voltage than the second input signal. The amplifying part takes the first and second output signals to generate a third output signal. The third output signal is in phase with the first input signal and has greater amplitude than the first input signal.
Abstract translation: 提供电平移位器及其驱动方法以产生具有比输入信号更大幅度但与输入信号相同相位的输出信号。 电平移位器包括电平移位部分（651）和放大部分（654）。 电平移位部分分别采用第一和第二输入信号来产生第一和第二输出信号。 第一输入信号是一个周期信号。 第二输入信号是反相第一输入信号。 第一输出信号与第一输入信号同相，并且具有比第一输入信号更大的电压。 第二输出信号与第二输入信号同相，并且具有比第二输入信号更低的电压。 放大部分采取第一和第二输出信号以产生第三输出信号。 第三输出信号与第一输入信号同相，并具有比第一输入信号更大的振幅。
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公开(公告)号：KR1020070116389A
公开(公告)日：2007-12-10
申请号：KR1020060050372
申请日：2006-06-05
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G2300/0819 , G09G3/3241 , G09G2300/043
Abstract: A voltage programming type pixel structure is provided to suppress deterioration of a threshold voltage of amorphous silicon thin film transistors by applying clock and control signals in addition to selection and data signals. A voltage programming type pixel structure includes an organic light emitting diode(OLED), a first transistor(T1), a capacitor(Cst), a second transistor(T2), and a threshold voltage compensator. The first transistor selects a driving pixel according to a selection signal from outside. The capacitor stores charges according to a control voltage from a selector. The second transistor receives voltage corresponding to the charges and outputs corresponding current to the organic light emitting diode. The threshold voltage compensator supplies current to the organic light emitting diode during illumination and blocks a current flowing to the organic light emitting diode during compensation of the threshold voltage in the second transistor.
Abstract translation: 提供电压编程类型像素结构，以通过除选择和数据信号之外施加时钟和控制信号来抑制非晶硅薄膜晶体管的阈值电压的劣化。 电压编程型像素结构包括有机发光二极管（OLED），第一晶体管（T1），电容器（Cst），第二晶体管（T2）和阈值电压补偿器。 第一晶体管根据来自外部的选择信号选择驱动像素。 电容器根据来自选择器的控制电压存储电荷。 第二晶体管接收对应于电荷的电压，并输出对应于有机发光二极管的电流。 阈值电压补偿器在照明期间向有机发光二极管提供电流，并且在补偿第二晶体管中的阈值电压期间阻断流向有机发光二极管的电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100761867B1
公开(公告)日：2007-09-28
申请号：KR1020060051439
申请日：2006-06-08
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/318 , H01L29/45 , H01L29/47
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02592 , H01L21/043 , H01L21/324 , H01L2924/1033
Abstract: A nitride-based semiconductor device is provided to improve a forward current-voltage characteristic by decreasing the ohmic junction resistance of a GaN device. An ohmic junction layer is formed on a GaN-based semiconductor layer(102). A silicon atomic diffusion layer is formed between the GaN-based semiconductor layer and the ohmic junction layer. The GaN-based semiconductor layer can be one of a horizontal GaN schottky barrier diode, a vertical bulk schottky barrier diode, an MESFET(metal semiconductor field effect transistor) or an HEMT(high electron mobility transistor).
Abstract translation: 提供氮化物基半导体器件，以通过降低GaN器件的欧姆结电阻来改善正向电流 - 电压特性。 在GaN基半导体层（102）上形成欧姆结层。 在GaN基半导体层和欧姆结层之间形成硅原子扩散层。 GaN系半导体层可以是水平GaN肖特基势垒二极管，立体积肖特基势垒二极管，MESFET（金属半导体场效应晶体管）或HEMT（高电子迁移率晶体管）之一。
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公开(公告)号：KR1020070057574A
公开(公告)日：2007-06-07
申请号：KR1020050117198
申请日：2005-12-02
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/325 , G09G3/3291 , G09G2300/0426 , G09G2300/0465 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0866 , G09G2310/0262 , G09G2310/06 , G09G2320/043
Abstract: A display device and a driving method thereof are provided to implement high resolution of the display device by minimizing the number of signal lines so as to increase PPI(Pixel Per Inch). A display device includes a light emitting element(OLED), a driving thin film transistor(Qd), a capacitor(Cst), and first and second switching units(SI,SII). The light emitting element is driven by a driving current(IOLED). The driving thin film transistor controls the magnitude of the driving current. The capacitor, which is charged with a voltage depending on threshold and data voltages of the driving thin film transistor, maintains a voltage corresponding to the difference between the data voltage and a gate voltage of the driving thin film transistor. The first switching unit supplies the data voltage to the capacitor in response to a scan signal. The second switching unit applies a light emitting signal to the driving thin film transistor.
Abstract translation: 提供了一种显示装置及其驱动方法，以通过使信号线的数量最小化来实现显示装置的高分辨率，从而增加PPI（每英寸像素）。 显示装置包括发光元件（OLED），驱动薄膜晶体管（Qd），电容器（Cst）以及第一和第二开关单元（SI，SII）。 发光元件由驱动电流（IOLED）驱动。 驱动薄膜晶体管控制驱动电流的大小。 充电电压取决于驱动薄膜晶体管的阈值和数据电压的电容器保持对应于数据电压和驱动薄膜晶体管的栅极电压之间的差的电压。 第一开关单元响应于扫描信号将数据电压提供给电容器。 第二开关单元向驱动薄膜晶体管施加发光信号。
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公开(公告)号：KR100679717B1
公开(公告)日：2007-02-06
申请号：KR1020050067265
申请日：2005-07-25
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G09G3/30
Abstract: 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 유기발광 표시장치의 화소 회로에 있어서, 유기발광소자와, 게이트 선택 신호를 게이트 단에 인가받으며 데이터 신호를 입력받는 제1트랜지스터와, 제1트랜지스터와 게이트 단이 연결되며 유기발광소자의의 전류를 구동하는 제2트랜지스터와, 데이터 신호를 게이트 단에 인가받으며 제어 신호를 입력받는 제3트랜지스터와, 제3트랜지스터와 제2트랜지스터의 게이트 단을 연결하는 제1커패시터와, 제1커패시터와 직렬 구성을 가지며 양자간의 커패시턴스 비율에 따라 설정되는 스케일링 팩터를 구성하는 제2커패시터를 포함함을 특징으로 한다.
OLED, 단위 화소, 구동, 전류 편차-
公开(公告)号：KR1020060084665A
公开(公告)日：2006-07-25
申请号：KR1020050005441
申请日：2005-01-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/73
CPC classification number: H01L27/0266 , H01L29/7371
Abstract: 본 발명은 보호회로를 내장한 절연게이트 바이폴라 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor; 이하 IGBT라 칭함)에 관한 것이다. 본 발명의 절연 게이트형 반도체 장치는 제1 도전형의 반도체층과; 상기 반도체층의 제1 영역에 형성된 주 IGBT 소자와; 상기 주 IGBT 소자에서 비정상적인 고전류가 흐를 경우 이를 감지하기 위해 상기 제1 영역에 인접하여 상기 반도체층의 제2 영역에 형성된 플로팅 웰과; 상기 플로팅 웰로부터 인가되는 감지신호에 따라 상기 주 IGBT 소자에 흐르는 전류를 감소시키기 위해 상기 제2 영역에 인접하여 상기 반도체층의 제3 영역에 형성된 MOSFET 소자를 구비하는 보호회로를 포함함을 특징으로 한다.
절연게이트 바이폴라 트랜지스터, 스위칭 소자, 애벌런치 에너지, 플로팅 웰-
公开(公告)号：KR1020060055855A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：KR1020040095023
申请日：2004-11-19
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G09G3/20 , G09G3/3225 , G09G3/3688 , G09G2310/0291 , H03F3/72
Abstract: 본 발명은 아날로그 버퍼회로에 관한 것으로, 제1 전원전압(V
DD )을 수신하며, 노드 A에서 게이트 전극과 드레인 전극이 접속된 제1 트랜지스터와; 상기 제1 트랜지스터의 소스/드레인 전류 통로에 자신의 소스/드레인 전류통로가 직렬 접속되며, 제2 전원전압(V
SS )을 수신하는 제2 트랜지스터와; 입력전압을 수신하고, 상기 타이밍 제어부에 의해 제어되며, 노드 B에서 자신의 드레인 전극과 상기 제2 트랜지스터의 게이트 전극이 접속된 제3 트랜지스터와; 타이밍 제어부에 의해 제어되며, 소스 전극이 상기 노드 A에 접속된 제4 트랜지스터와; 상기 타이밍 제어부에 의해 제어되며, 상기 제1 전원전압(V
DD )과 상기 노드 B 사이에 소스/드레인 전류통로가 접속된 제5 트랜지스터와; 상기 제1 전원전압(V
DD )과 출력단 사이에 접속된 커패시터를 포함하며, 상기 출력단에서의 전압은 상기 입력전압과 함수관계에 있음을 특징으로 한다.
박막트랜지스터, 아날로그 버퍼회로, 포화영역, 함수관계Abstract translation: 本发明涉及一种模拟缓冲电路，其中第一电源电压V
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