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公开(公告)号：KR1020010077666A
公开(公告)日：2001-08-20
申请号：KR1020000005619
申请日：2000-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/12
Abstract: PURPOSE: A method for controlling a band gap of a semiconductor optical device having the structure of a quantum well is provided to prevent a quantum well substrate damaging by using a silicon nitride film as a dielectric cover layer and by controlling a flow ratio of ammonia gas. CONSTITUTION: A substrate having the structure of a quantum well is grown(S100). A dielectric cover layer is deposited on the substrate by a plasma chemical vapor deposition process(S200). A thermal processing is performed on the dielectric cover layer at a predetermined time(S300). The dielectric cover layer is removed(S400). A fluorescence spectrum is measured(S500).
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制具有量子阱结构的半导体光学器件的带隙的方法，以通过使用氮化硅膜作为电介质覆盖层并通过控制氨气流量来防止量子阱基板损坏 。 构成：生长具有量子阱结构的衬底（S100）。 电介质覆盖层通过等离子体化学气相沉积工艺沉积在衬底上（S200）。 在规定时间对电介质覆盖层进行热处理（S300）。 去除电介质覆盖层（S400）。 测量荧光光谱（S500）。
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公开(公告)号：KR1020010077665A
公开(公告)日：2001-08-20
申请号：KR1020000005618
申请日：2000-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/00
Abstract: PURPOSE: A mounting technology of a semiconductor optical device for anti-reflection coating is provided to perform the mounting technology in a stable and identical condition by preventing a sample from damaging in the anti-reflection coating. CONSTITUTION: A spacer(20), a fixing plate(30) and the second stainless(40) is deposited on the first stainless(10) in turns. A holder coupling unit(50) couples from the second stainless(40) to the first stainless(10) via each hole. A sample fixing unit(55) couples from the second stainless(40) to the fixing plate(30) via each hole. A laser bar(60) is extended at a level with the spacer(20) between the fixing plate(30) and the first stainless(10). The area size of the second stainless(40) is less than that of the first stainless(10).
Abstract translation: 目的：提供用于防反射涂层的半导体光学装置的安装技术，以通过防止样品在抗反射涂层中的损坏来以稳定和相同的状态执行安装技术。 构成：间隔件（20），固定板（30）和第二不锈钢（40）轮流沉积在第一不锈钢（10）上。 保持器联接单元（50）经由每个孔从第二不锈钢（40）连接到第一不锈钢（10）。 样品定影单元（55）经由每个孔从第二不锈钢（40）耦合到固定板（30）。 激光棒（60）在固定板（30）和第一不锈钢（10）之间的间隔件（20）的水平面上延伸。 第二不锈钢（40）的面积小于第一不锈钢（10）的面积。
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公开(公告)号：KR1020010077635A
公开(公告)日：2001-08-20
申请号：KR1020000005561
申请日：2000-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01B9/00
Abstract: PURPOSE: A method for measuring a sectional reflexibility of a field absorption type device is provided to measure easily an optical variable by using an optical current. CONSTITUTION: A lens type fiber(21) transfers a laser beam emitted from a variable wavelength laser(10). The laser beam passing through the lens type filter(21) is irradiated on a section of a device(15). A chopper(11) turns on or off the variable wavelength laser(10). An optical rotator(14) is formed at a position adjacent to a polarization controller(13) in order to control a path of the laser beam. An optical detector(16) is connected with the optical rotator(14) in order to measure a change of reflective intensity of a reflected beam. A lock-in amplifier(17) is connected with the chopper(11) in order to detect a modulated variable wavelength laser beam. A power supply(18) supplies power to each component. A voltage separator(18) separates a signal influence between the device(15) and the lock-in amplifier(17).
Abstract translation: 目的：提供一种用于测量场吸收型装置的截面反射性的方法，以便通过使用光电流容易地测量光学变量。 构成：透镜型光纤（21）传送从可变波长激光器（10）发射的激光束。 穿过透镜型过滤器（21）的激光束照射在装置（15）的一部分上。 斩光器（11）打开或关闭可变波长激光器（10）。 在与偏振控制器（13）相邻的位置处形成光旋转器（14），以控制激光束的路径。 光学检测器（16）与光学旋转器（14）连接，以便测量反射光束的反射强度的变化。 锁定放大器（17）与斩波器（11）连接，以便检测调制的可变波长激光束。 电源（18）为每个组件供电。 电压分离器（18）分离装置（15）和锁定放大器（17）之间的信号影响。
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公开(公告)号：KR101780943B1
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：KR1020170095244
申请日：2017-07-27
Abstract: 본발명은스핀열전소자및 그제조방법에관한것으로서, YIG 재료를혼합하고, 졸-겔법에의해 YIG 파우더가형성되는단계; 상기 YIG 파우더를칼시네이션공정에의해 1차열처리하여결정화하는단계; 상기열처리된 YIG 파우더가프레싱공정에의해 YIG 필렛으로형성되는단계; 상기 YIG 필렛을신터링공정에의해 2차열처리하여자성특성을갖는열전층을제조하는단계; 및상기열전층상에전극층을형성하는단계;를포함하되, 상기 2차열처리하는단계에서, 상기 2차열처리온도는 1400℃로상기 1차열처리온도보다높은스핀열전소자의제조방법이다.
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75.发明授权고속 에피택셜 리프트오프와 III-V족 직접 성장용 템플릿을 이용한 반도체 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 소자 有权一种使用用于快速外延剥离和III-V族生长的模板和半导体器件制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101743017B1
公开(公告)日：2017-06-05
申请号：KR1020150069836
申请日：2015-05-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/205 , H01L21/78 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/185 , H01L21/6835 , H01L29/267 , H01L29/66219 , H01L29/861 , H01L31/0304 , H01L31/184 , H01L31/1892 , Y02E10/544
Abstract: 반도체소자의제조방법은, 제1 기판및 상기제1 기판상에위치하는패턴된제1 III-V족화합물층을포함하는템플릿(template)을제공하는단계; 상기패턴된제1 III-V족화합물층상에에피택시(epitaxy) 성장방식으로희생층을형성하는단계; 상기희생층상에에피택시성장방식으로제2 III-V족화합물층을형성하는단계; 상기제2 III-V족화합물층상에실리콘으로이루어진제2 기판을접합하는단계; 및상기희생층을제거함으로써상기제2 III-V족화합물층및 상기제2 기판을상기템플릿으로부터분리하는단계를포함한다. 템플릿의패턴된 III-V족화합물층으로부터또 다른 III-V족화합물층이직접성장방식으로제조되므로, III-V족화합물과다른기판사이의결함이제거되며, 대면적의반도체소자를직접성장방식으로제조할수 있고, 웨이퍼(wafer) 크기의제한이나비용증가등의문제점을줄일수 있다.
Abstract translation: 18.一种制造半导体器件的方法，包括：提供包括第一衬底和位于所述第一衬底上的图案化的第一III-V族化合物层的模板; 通过外延生长方法在图案化的第一III-V族化合物层上形成牺牲层; 在牺牲层上以外延生长方式形成第二III-V族化合物层; 在第二III-V族化合物层上键合由硅制成的第二衬底; 通过去除牺牲层将第二III-V族化合物层和第二衬底与模板分离。 由于从在生长的方法直接制备，所述III-V族化合物的模板化合物层的III-V族化合物层图案中的其它III-V和是不同的基片之间的去除缺陷，一种半导体器件的生长方法具有大面积直接 并且可以减少晶圆尺寸限制和成本增加等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101684383B1
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：KR1020150064370
申请日：2015-05-08
IPC: C03C17/36
Abstract: 본발명에따른박막형적외선흡수체제조방법은 (a) 글라스기판을준비하는단계; (b) 글라스기판표면에 Ti를증착하여금속층을형성시키는단계; (c) 금속층표면에 MgF를증착하여유전체층을형성시키는단계; 및 (d) Ti와 MgF의증착을복수회 반복수행하여, 금속층과유전체층를복층으로형성하는단계;를포함하여, 적외선흡수율을 95%이상으로향상킬수 있는효과가있다.
Abstract translation: 根据本发明的制造薄膜红外线吸收剂的方法包括以下步骤：（a）制备玻璃基板; （b）在玻璃基板的表面上沉积Ti以形成金属层; （c）在金属层的表面上沉积MgF 2以形成电介质层; 和（d）通过进行Ti和氟化镁怀疑反复安装多次，所述方法包括：形成金属层和多层yujeonchecheungreul;包括，存在由超过95％的改善kilsu的红外吸收的效果。
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公开(公告)号：KR1020160135126A
公开(公告)日：2016-11-25
申请号：KR1020150064370
申请日：2015-05-08
IPC: C03C17/36
Abstract: 본발명에따른박막형적외선흡수체제조방법은 (a) 글라스기판을준비하는단계; (b) 글라스기판표면에 Ti를증착하여금속층을형성시키는단계; (c) 금속층표면에 MgF를증착하여유전체층을형성시키는단계; 및 (d) Ti와 MgF의증착을복수회 반복수행하여, 금속층과유전체층를복층으로형성하는단계;를포함하여, 적외선흡수율을 95%이상으로향상킬수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101665309B1
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：KR1020150037305
申请日：2015-03-18
IPC: H02S10/30 , H01L35/02 , H01L31/04 , H01L31/054 , H02S40/22 , H01L35/32 , H01L35/14 , H01L31/0304 , H01L35/30
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 본발명은집광형태양전지모듈과수평형열전모듈의결합을통해집광형태양전지모듈에인가되는열을수평형열전모듈에효과적으로전달함과함께수평형열전모듈에의한기전력발생을최대화하여집광형태양전지모듈과수평형열전모듈각각에의한전기에너지생산을향상시킬수 있는광전열전융합발전소자및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른광전열전융합발전소자는집광형태양전지모듈및 수평형열전모듈을포함하여이루어지며, 상기수평형열전모듈은, 기판과, 상기기판의중심부에구비되는열 흡수층과, 상기열 흡수층의둘레를따라구비되며, 상기기판상에원형또는다각형의띠 형태로배치되는복수의열전셀과, 상기기판의주변부에구비된히트싱크를포함하여구성되며, 상기집광형태양전지모듈은, 태양광을집광하는집광장치와, 상기집광장치에의해집광된태양광을광전변환하는태양전지를포함하여구성되며, 상기태양전지는상기열 흡수층상에구비되며, 상기태양전지의열은상기열 흡수층을매개로상기수평형열전모듈로수직확산되며, 상기수평형열전모듈로전달된열은수평형열전모듈의기판을따라수평확산되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种光电热融合发电元件及其制造方法。 光电热融合发电元件可以通过耦合收集型太阳能电池模块和水平热电模块，有效地将施加于集光型太阳能电池模块的热量传递给水平热电模块，并使水平热电产生的电动势最大化 模块，用于单独地通过集光型太阳能电池模块和水平热电模块来增强电能产生。 根据本发明，光电热融发电元件包括集光型太阳能电池模块和水平热电模块。 水平热电模块包括：基板; 布置在所述基板的中心的吸热层; 多个热电元件沿着吸热层的周边布置并且被布置在基板上的圆形或多边形条中; 以及布置在基板附近的散热器。 集光型太阳能电池模块包括：收集太阳光的光收集装置; 以及将由光采集装置收集的太阳光转换成光电能的太阳能电池。 太阳能电池布置在吸热层上。 太阳能电池的热量通过吸热层垂直扩散到水平热电模块。 传输到水平热电模块的热量沿着水平热电模块的衬底在水平方向上扩散。
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公开(公告)号：KR101540311B1
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：KR1020130140803
申请日：2013-11-19
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은태양전지에관한것으로서, 찰코파이라이트형화합물을나노임프린트리소그래피공정을통해광결정구조로제조함으로써태양입사광의훕수를증폭시키므로우수한광전환효율을나타내고, 또한, Cu, In, Ga 전구체페이스트또는잉크를이용하여 CiGS 또는 CIS 박막을제조하여금속원료의소모를최소화함으로써공정비용을절감할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150057433A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020130140803
申请日：2013-11-19
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/04
Abstract: 본발명은태양전지에관한것으로서, 찰코파이라이트형화합물을나노임프린트리소그래피공정을통해광결정구조로제조함으로써태양입사광의훕수를증폭시키므로우수한광전환효율을나타내고, 또한, Cu, In, Ga 전구체페이스트또는잉크를이용하여 CiGS 또는 CIS 박막을제조하여금속원료의소모를최소화함으로써공정비용을절감할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池。 本发明通过纳米压印光刻工艺制造具有光子晶体结构的黄铜矿化合物，通过增加来自太阳的入射光的吸收来获得高的光转换效率。 此外，本发明通过使用Cu，In，Ga前体浆料或油墨制造CiGS或CIS薄膜来最小化金属材料的消耗来降低加工成本。
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