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公开(公告)号：KR1020120069487A
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：KR1020100131053
申请日：2010-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01S7/481
Abstract: PURPOSE: An active optical radar apparatus is provided to form focus of lights, reflected from objects in different distances, on light receiving surfaces in the same position of an optical detector by forming the same light path in a light-transmitting optical system and a light-receiving optical system. CONSTITUTION: An optical source unit(110) generates a set optical signal. A light-transmitting lens unit(120) emits the optical signal from the optical source unit into collimated light or angled light. A light scanning unit(130) scans the collimated light or angled light from the light-transmitting lens unit. A light-receiving lens unit(140) condenses optical signals reflected from an object(101). A wide band filter unit(150) passes a set bandwidth of the optical signal input from the light-receiving lens unit. An optical detector unit(160) changes the light condensed by the light-receiving lens unit into the electric signal. A signal processing unit(170) measures the time interval between the transmission and receiving of the optical signal or the intensity of the optical signal reflected from the object by processing the electric signal.
Abstract translation: 目的：提供一种有源光学雷达装置，通过在透光光学系统和光线中形成相同的光路，在光学检测器的相同位置的光接收表面上形成从不同距离的物体反射的光的焦点 接收光学系统。 构成：光源单元（110）产生设定的光信号。 透光透镜单元（120）将来自光源单元的光信号发射为准直光或倾斜光。 光扫描单元（130）扫描来自透光透镜单元的准直光或成角度的光。 光接收透镜单元（140）会聚从物体（101）反射的光信号。 宽带滤波器单元（150）传递从光接收透镜单元输入的光信号的设定带宽。 光检测器单元（160）将由光接收透镜单元聚光的光改变为电信号。 信号处理单元（170）通过处理电信号来测量光信号的发送和接收之间的时间间隔或从对象反射的光信号的强度。
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公开(公告)号：KR101066604B1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：KR1020080130496
申请日：2008-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/107
Abstract: 고속 광 통신에 적합한 아발란치 포토 다이오드의 제조 방법은 다음과 같다. 우선, 제1 도전형 기판의 전면(全面)에 차례로 제1 도전형 버퍼층, 광 흡수층, 그레이딩층, 제1 도전형 전기장 조절층 및 제1 도전형 증폭층을 형성한다. 다음, 제1 도전형 증폭층을 식각하여 제2 폭을 갖는 제2 리세스부와, 제2 리세스부로부터 연장되고 제2 폭보다 작은 제1 폭을 갖는 제1 리세스부를 포함하는 리세스 영역을 형성한다. 다음, 리세스 영역에 제2 도전형 확산 물질을 제공하고 제2 도전형 증폭층으로 확산시켜 제2 도전형 확산층을 형성한다. 다음, 제1 도전형 증폭층 상에 제2 도전형 확산층과 연결되는 제2 도전형 전극을 형성한 후, 제1 도전형 기판의 후면에 제1 도전형 전극을 형성하여 아발란치 포토 다이오드를 제조한다.
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公开(公告)号：KR1020110068041A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：KR1020090124863
申请日：2009-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L31/1075
Abstract: PURPOSE: An c is provided to increase the light receiving efficiency of an optical detector by forming a micro lens in the lower part and upper part of the optical detector. CONSTITUTION: In a light receiving efficiency, a light absorption layer is formed on a semiconductor substrate. An amplification layer(140) is formed on the light absorption layer. A diffusion layer(150) is formed inside the amplification layer. A micro lens(180) is formed to be corresponded to the diffusion layer. The micro lens comprises a first refraction layer and a second refraction layer having lower refractive index than that of the first refraction layer The first refraction layer is adjacent to the diffusion layer. The second refraction layer is formed on the first refraction layer.
Abstract translation: 目的：提供一种通过在光学检测器的下部和上部形成微透镜来提高光学检测器的光接收效率的c。 构成：在光接收效率下，在半导体衬底上形成光吸收层。 在光吸收层上形成放大层（140）。 扩散层（150）形成在放大层的内部。 形成与扩散层对应的微透镜（180）。 微透镜包括具有比第一折射层低的折射率的第一折射层和第二折射层。第一折射层邻近扩散层。 第二折射层形成在第一折射层上。
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公开(公告)号：KR1020100063632A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020090043174
申请日：2009-05-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3742 , H01L27/14603 , H01L27/14641 , H04N5/3741 , H04N5/37457
Abstract: PURPOSE: A share photo diode image sensor is provided to improve a resolution by simultaneously driving a transfer transistor more than two adjacent to the photo diode. CONSTITUTION: Diffusion areas(311,316) focus an electronics from a photo diode(300). Transfer transistors(310,315) connect the photo diode with the diffusion area. A read-out circuit reads out a signal from the diffusion area. The neighboring unit pixel forms a share photo diode. A sensing signal is created by simultaneously sanctioning a turn on signal in the share photo diode connecting with a plurality of transfer transistors.
Abstract translation: 目的：提供共享光电二极管图像传感器，通过同时驱动与光电二极管相邻的传输晶体管两个以上来提高分辨率。 构成：扩散区（311,316）聚焦光电二极管（300）的电子。 传输晶体管（310,315）将光电二极管与扩散区域连接。 读出电路从扩散区读出信号。 相邻单元像素形成共享光电二极管。 感测信号是通过同时处理与多个传输晶体管连接的共享光电二极管中的导通信号来产生的。
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公开(公告)号：KR100889483B1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：KR1020070064194
申请日：2007-06-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04N5/357 , H04N5/3745
CPC classification number: H04N5/3745 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H04N5/361
Abstract: 본 발명은 일반적인 4-트랜지스터 씨모스 이미지센서 또는 이와 유사한 구조의 픽셀 구조에 있어서 반드시 공핍이 되어야 하는 기존의 리셋 방법과는 달리 리셋이 충분하지 않은 상태에서도 픽셀내의 트랜스퍼 트랜지스터가 리셋 및 트랜스퍼 동작구간에서 항상 유사 핀치오프 조건에서 동작하도록 구동회로를 구성함으로써 포토다이오드의 리셋전압 감소 및 픽셀간 특성불일치에 의해 발생하는 암전류 및 고정패턴 잡음(fixed pattern noise)을 감소시키는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지 센서는, 신호의 턴온전압을 낮추거나 파형을 바꾸는 기능을 하는 변환모듈, 필요에 따라 음의 전압을 발생시켜 공급하는 모듈, 출력신호의 기울기를 제한하는 모듈을 적어도 하나 이상 포함하며, 상기 트랜스퍼 트랜지스터가 유사 핀치-오프 모드로 동작하도록 하여 특성을 개선하는 것을 특징으로 한다.
CMOS, CIS, 이미지 센서, 핀치-오프, 트랜스퍼 트랜지스터-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100833498B1
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：KR1020060102036
申请日：2006-10-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/2257 , H01L33/0037
Abstract: 스트레인드 베리드 채널 (strained buried channel) 영역을 구비하는 광소자에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 광소자는 제1 도전형의 반도체 기판과, 게이트 절연막과, 제2 도전형의 게이트와, 게이트의 아래에 형성되고 반도체 기판보다 더 높은 농도의 제1 도전형 불순물로 도핑된 고농도 불순물 확산 영역을 포함한다. 게이트 절연막과 반도체 기판과의 사이에는 고농도 불순물 확산 영역에 접촉되는 스트레인드 베리드 채널 영역이 연장되어 있다. 스트레인드 베리드 채널 영역은 반도체 기판 구성 물질과는 다른 격자 상수를 가지는 반도체 재료로 구성된다. 게이트 절연막과 상기 스트레인드 베리드 채널 영역과의 사이에는 반도체 캡층이 형성되어 있다.
스트레인드 베리드 채널, 광소자, MOS 커패시터형, 전하, 이동도, 광 변조-
公开(公告)号：KR100825733B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020060096455
申请日：2006-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/3133 , G02F2001/0152 , G02F2203/15
Abstract: 본 발명은 링 광변조기의 PIN 구조의 변조속도제한 문제를 해결하고 광 구속률을 향상시켜 작은 전류 인가를 통해서도 고속으로 광변조 할 수 있는 실리콘 반도체 기반의 고속 링 광변조기를 제공한다. 그 고속 링 광변조기는 굴절률 변화부분이 형성되어 있는 링 광도파로, 및 굴절률의 변화가 없는 광도파로를 포함하고, 굴절률 변화부분은 바이폴라 트랜지스터를 이용하여 형성된다. 본 발명에 의한 실리콘 반도체 기반의 고속 링 광변조기는 굴절률 변화부분에 바이폴라 트랜지스터 구조가 이용됨으로써, 빛이 통과되는 영역으로의 캐리어의 공급과 배출을 고속으로 수행할 수 있고 그에 따라 광변조 속도를 향상시킬 수 있다. 또한, 광 구속률을 향상시켜 작은 전류 인가를 통해서도 고속으로 광변조 수행할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100825723B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020060071657
申请日：2006-07-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/00
CPC classification number: G02F1/025 , G02F2203/50 , G11C13/04
Abstract: 광소자의 동적특성을 저하시키지 않고 위상변화와 전파손실을 증대시킬 수 있는 에지 효과를 용이하게 구현하는 광소자를 제공한다. 그 광소자는 제1의 도전형의 불순물로 도핑되고 상부에 리세스된 홈이 형성된 제1 반도체층 상의 일부를 덮는 게이트절연막 및 게이트절연막의 상부면을 덮고 제1 도전형과 반대되는 제2 도전형으로 도핑된 제2 반도체층을 구비한다
광소자, 위상변화, 전파손실, 에지효과-
公开(公告)号：KR1020080035386A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：KR1020060102036
申请日：2006-10-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/2257 , H01L33/0037
Abstract: An optical device with a strained buried channel is provided to guarantee a desired switching speed and an improved operation speed by increasing modulation efficiency while avoiding a light attenuation phenomenon. A gate insulation layer(120) is formed on a semiconductor substrate of a first conductivity type. A gate(122) of a second conductivity type opposite to the first conductivity type is formed on the gate insulation layer. A high-density impurity diffusion region(132,134) is formed under the gate in the semiconductor substrate, doped with first conductive impurities having a higher density than that of the semiconductor substrate. A strained buried channel region(140) is extended to a portion between the gate insulation layer and the semiconductor substrate to come in contact with the high-density impurity diffusion region, made of a semiconductor material having a different lattice constant from that of a material constituting the semiconductor substrate. A semiconductor cap layer(142) is formed between the gate insulation layer and the strained buried channel region. The first conductivity type can be a p-type, having compressive stress.
Abstract translation: 提供具有应变埋入通道的光学器件，以通过提高调制效率同时避免光衰减现象来保证期望的开关速度和改善的操作速度。 在第一导电类型的半导体衬底上形成栅绝缘层（120）。 在栅极绝缘层上形成与第一导电类型相反的第二导电类型的栅极（122）。 在半导体衬底的栅极下形成高浓度杂质扩散区（132,134），掺杂有比半导体衬底的密度高的第一导电杂质。 应变埋入沟道区域（140）延伸到栅极绝缘层和半导体衬底之间的部分，以与由与材料不同的晶格常数的半导体材料制成的高密度杂质扩散区域接触 构成半导体基板。 在栅极绝缘层和应变埋入沟道区之间形成半导体盖层（142）。 第一导电类型可以是具有压应力的p型。
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公开(公告)号：KR1020080029614A
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：KR1020060096455
申请日：2006-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/3133 , G02F2001/0152 , G02F2203/15
Abstract: A silicon semiconductor-based high-speed ring optical modulator is provided to supply or discharge carriers at a high-speed mode by using a structure of a bipolar transistor at a refractive index changing part. A ring optical waveguide using a bipolar transistor includes a substrate(100), an insulating layer(120), and a semiconductor active layer. The semiconductor active layer is composed of an emitter region(140), a base region(150), a collector region(160), and a sub-collector region(130). The light penetrates the sub-collector region. The substrate is composed of a silicon substrate. The insulating layer is composed of a silicon oxide layer. The semiconductor active layer is composed of a carrier-doped silicon layer.
Abstract translation: 提供一种基于硅半导体的高速环形光调制器，通过使用折射率变化部分的双极晶体管的结构，以高速模式供给或放电载流子。 使用双极晶体管的环形光波导包括基板（100），绝缘层（120）和半导体活性层。 半导体有源层由发射极区域（140），基极区域（150），集电极区域（160）和子集电极区域（130）构成。 光穿过子集电极区域。 基板由硅基板构成。 绝缘层由氧化硅层构成。 半导体有源层由载流子掺杂硅层组成。
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