公开(公告)号：KR100777109B1

公开(公告)日：2007-11-19

申请号：KR1020060059134

申请日：2006-06-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상희 ,  황치선 ,  추혜용 ,  이정익 ,  이진홍 ,  곽호상 ,  이용의 ,  강승열

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 박막을 구성하는 원소를 포함하는 전구체들 간의 표면화학반응을 이용하여 저온에서 형성한 투명한 ZnO 박막을 포함하는 박막 트랜지스터에 관한 것으로, (a) 기판 상에 게이트 금속막을 증착하고, 포토리소그래피와 선택적 식각을 통해 게이트 전극을 형성하는 단계와, (b) 상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 게이트 인슐레이터를 증착하는 단계와, (c) 상기 게이트 인슐레이터 상에 소오스/드레인용 금속막을 증착하고, 포토리소그래피와 선택적 식각을 통해 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계와, (d) 상기 소오스/드레인 전극 상에 원자층 증착법을 이용하여 ZnO 박막을 증착하는 단계를 포함하여 이루어지는데 있다.
투명 트랜지스터, 휘어지는 트랜지스터, ZnO 반도체막, 원자층 증착법

公开(公告)号：KR100750591B1

公开(公告)日：2007-08-20

申请号：KR1020060015362

申请日：2006-02-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상희 ,  추혜용 ,  황치선 ,  이정익 ,  도이미 ,  양용석 ,  정승묵

IPC: H05B33/04 ,  H05B33/10

Abstract: An organic light emitting device, a manufacturing method thereof, and a method of forming an inorganic insulating film are provided to prolong the lifespan of a display device by improving an electrical property of the insulating film. An organic light emitting device(10) includes a pixel electrode(12), an alumina thin film(13), a light emitting layer(15), and a counter electrode(14). The pixel electrode is formed on a flexible substrate(11). The alumina thin film exposes the pixel electrode. The alumina thin film is formed between the substrate and the pixel electrode. The light emitting layer is formed on the pixel electrode. The counter electrode is formed on the light emitting layer.

Abstract translation: 提供有机发光器件，其制造方法和形成无机绝缘膜的方法，以通过改善绝缘膜的电特性来延长显示器件的寿命。 有机发光器件（10）包括像素电极（12），氧化铝薄膜（13），发光层（15）和反电极（14）。 像素电极形成在柔性基板（11）上。 氧化铝薄膜暴露像素电极。 氧化铝薄膜形成在基板和像素电极之间。 发光层形成在像素电极上。 对电极形成在发光层上。

公开(公告)号：KR100742561B1

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：KR1020050119786

申请日：2005-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오지영 ,  이정익 ,  박상희 ,  양용석 ,  추혜용 ,  서경수

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/04 ,  H01L29/786

Abstract: 본 발명은 엔캡슐레이션막의 선택적 형성 방법 및 이를 이용하는 유기 발광 소자 및 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 엔캡슐레이션막의 선택적 형성 방법은 기판을 억제제로 처리한 후 기판상에 유기물층을 구비한 소자를 형성하고, 억제제의 작용에 의해 소자를 선택적으로 덮는 보호막을 형성하는 단계들을 포함한다. 본 발명에 의하면, 유기 발광 소자, 유기 박막 트랜지스터 등의 유기물층을 구비하는 소자의 수명을 향상시킬 수 있다.
유기 박막, 엔캡슐레이션, 파릴렌, 선택적 증착, 억제제, 유기 발광 소자, 유기 박막 트랜지스터

公开(公告)号：KR1020070060973A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020060019774

申请日：2006-03-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정승묵 ,  이정익 ,  황치선 ,  추혜용 ,  양용석 ,  박상희 ,  도이미

IPC: H05B33/22

CPC classification number: H01L51/5237 ,  H01L33/22 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5256 ,  H01L51/56

Abstract: A light emitting device, a fabricating method thereof, and an organic light emitting device passivation of a multi-layered structure are provided to secure a low oxygen permeability and water vapor permeation by using a thin film made of organic and inorganic materials. First electrodes(12) are formed on a substrate, and a light emitting active layer(13) composed of at least one layer is formed on the first electrode. Second electrodes(14) are formed on the light emitting active layer. A multi-layered passivation(15) are formed on the second electrode to protect the first and second electrodes and the active layer. The passivation has a first buffer layer(15a) formed on the second electrode, a second buffer layer(15b) formed on the first buffer layer, and a protective layer(15c) formed on the second buffer layer.

Abstract translation: 提供一种发光器件及其制造方法以及多层结构的有机发光器件钝化，以通过使用由有机和无机材料制成的薄膜来确保低透氧性和水蒸汽渗透性。 第一电极（12）形成在基板上，并且在第一电极上形成由至少一层构成的发光活性层（13）。 第二电极（14）形成在发光有源层上。 在第二电极上形成多层钝化（15）以保护第一和第二电极和有源层。 钝化具有形成在第二电极上的第一缓冲层（15a），形成在第一缓冲层上的第二缓冲层（15b）和形成在第二缓冲层上的保护层（15c）。

公开(公告)号：KR1020070059877A

公开(公告)日：2007-06-12

申请号：KR1020060057815

申请日：2006-06-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 추혜용 ,  이정익 ,  박상희 ,  황치선 ,  양용석 ,  도이미 ,  정승묵 ,  안성덕 ,  강광용

IPC: H05B33/10

CPC classification number: H01L51/0018 ,  H01L51/0016 ,  H01L51/0019 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/56

Abstract: A patterning method of an organic layer of an organic electronic device and an organic thin film transistor and an organic electroluminescence device are provided to prevent deterioration of characteristics of the organic layer by using a lift-off process in micro-patterning the organic layer. A patterning method of an organic layer of an organic electronic device includes the steps of: coating a first photoresist on a substrate(S305); applying a heat process to the coated first photoresist(S310); performing lithography on the first photoresist(S315); depositing a metal film on the first photoresist(S320); coating a second photoresist on the metal film(S325); applying a heat treatment to the coated second photoresist(S330); forming a mask of a desired pattern on a top of the heat-processed second photoresist(S335); performing the lithography on the second photoresist on a top of the mask(S340); developing the first photoresist and the second photoresist(S345); forming an organic layer for an organic electronic device on the patterned substrate and the second photoresist(S350); forming a protection layer on the organic layer(S355); and removing the first photoresist and the second photoresist by a lift-off method(S360).

Abstract translation: 提供有机电子器件和有机薄膜晶体管的有机层和有机电致发光器件的图案化方法，以通过在有机层的微图案化中使用剥离处理来防止有机层的特性劣化。 有机电子器件的有机层的图案化方法包括以下步骤：在基板上涂覆第一光致抗蚀剂（S305）; 对涂覆的第一光致抗蚀剂施加热处理（S310）; 在第一光致抗蚀剂上进行光刻（S315）; 在第一光致抗蚀剂上沉积金属膜（S320）; 在金属膜上涂覆第二光致抗蚀剂（S325）; 对涂布的第二光致抗蚀剂进行热处理（S330）; 在热处理的第二光致抗蚀剂的顶部上形成所需图案的掩模（S335）; 在掩模的顶部上对第二光致抗蚀剂进行光刻（S340）; 显影第一光致抗蚀剂和第二光致抗蚀剂（S345）; 在所述图案化基板和所述第二光致抗蚀剂上形成有机电子器件的有机层（S350）; 在有机层上形成保护层（S355）; 以及通过剥离方法去除第一光致抗蚀剂和第二光致抗蚀剂（S360）。

公开(公告)号：KR1020070044761A

公开(公告)日：2007-04-30

申请号：KR1020060059134

申请日：2006-06-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상희 ,  황치선 ,  추혜용 ,  이정익 ,  이진홍 ,  곽호상 ,  이용의 ,  강승열

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 본 발명은 박막을 구성하는 원소를 포함하는 전구체들 간의 표면화학반응을 이용하여 저온에서 형성한 투명한 ZnO 박막을 포함하는 박막 트랜지스터에 관한 것으로, (a) 기판 상에 게이트 금속막을 증착하고, 포토리소그래피와 선택적 식각을 통해 게이트 전극을 형성하는 단계와, (b) 상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 게이트 인슐레이터를 증착하는 단계와, (c) 상기 게이트 인슐레이터 상에 소오스/드레인용 금속막을 증착하고, 포토리소그래피와 선택적 식각을 통해 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계와, (d) 상기 소오스/드레인 전극 상에 원자층 증착법을 이용하여 ZnO 박막을 증착하는 단계를 포함하여 이루어지는데 있다.
투명 트랜지스터, 휘어지는 트랜지스터, ZnO 반도체막, 원자층 증착법

公开(公告)号：KR100523484B1

公开(公告)日：2005-10-24

申请号：KR1020020069586

申请日：2002-11-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송현우 ,  권오균 ,  한원석 ,  박상희 ,  김종희 ,  신재헌 ,  주영구

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/3095 ,  H01S2301/176

Abstract: 전류 제한 구조(current-confined structure)를 갖는 반도체 광소자의 제조방법를 제공한다. 본 발명은 반도체 기판 상에 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제3 반도층이 순차적으로 적층되는 메사 구조를 형성한 후, 상기 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제3 반도체층을 구성하는 물질층중 적어도 어느 하나의 물질층을 선택적으로 습식에칭하여 측면부에 리세스를 형성한다. 상기 리세스의 일부 혹은 전체를 채우면서 상기 제1 반도체층 내지 제3 반도체층의 측벽면에 산화막 혹은 질화막을 형성하여 상기 리세스된 물질층으로 전류 주입 경로를 갖게 한다. 이상과 같이 제조된 본 발명의 반도체 광소자는 광통신 파장 영역에서 사용 가능하고 역학적으로 안정하고 열전도도가 우수하며 상업성을 갖춘 전류 제한 구조를 갖는다.

公开(公告)号：KR100507463B1

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：KR1020020060108

申请日：2002-10-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박상희 ,  윤선진 ,  이용의 ,  김용신

IPC: H05B33/04

Abstract: 본 발명은 보호막의 구성원소를 포함하는 전구체들간의 표면화학반응을 통하여 원자층증착법으로 보호막을 형성하는 평판 디스플레이 소자 및 평판 디스플레이 소자의 보호막 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명은 평판 디스플레이 소자를 기판 상에 제조하는 단계, 보호막을 형성하기 위해 기판 상에 제조된 평판 디스플레이 소자를 챔버내에 배치하는 단계, 보호막을 구성하는 원소를 포함하는 전구체들을 상기 챔버에 주입하는 단계 및 전구체들간의 표면화학반응을 통하여 원자층증착법으로 20 내지 220℃ 의 온도에서 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 평판 디스플레이 소자의 보호막 형성방법 및 그 평판 디스플레이 소자를 제공한다.
이러한 구성을 통하여, 저온에서 양질의 보호막을 비교적 간단한 공정으로 제조할 수 있어, 유기발광소자 또는 디지털페이퍼 등 수분 및 산소에 민감한 소자의 보호막으로 이용하면 소자의 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020050051743A

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：KR1020030085359

申请日：2003-11-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송현우 ,  한원석 ,  김종희 ,  주영구 ,  권오균 ,  박상희

IPC: H01S5/18

CPC classification number: H01S5/18341 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18363

Abstract: 본 발명은 반도체 반사경 또는 광학 필터로 이용될 수 있는 반도체 광소자의 제작 방법에 대해 개시한다. 에칭비가 서로 다른 두가지 이상의 반도체층들을 교대로 적층한 후 적어도 한 종류의 반도체층들을 선택적으로 에칭하여 에어갭(air gap)을 형성하고, 에어갭이 매립되도록 열전달 특성이 양호한 산화물 혹은 질화물을 증착한다. 에어갭에 매립된 산화물 혹은 질화물과 반도체층의 큰 굴절률 차이로 인하여 적은 주기로도 효과적으로 높은 반사율을 갖는 반도체 반사경 또는 광학 필터를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR100464007B1

公开(公告)日：2005-01-03

申请号：KR1020020025366

申请日：2002-05-08

Applicant: 엘지전자 주식회사 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 박상희 ,  윤선진 ,  이용의 ,  김용신 ,  강남석

IPC: H01J1/30

Abstract: PURPOSE: A metal-insulator-metal emitter and a method for manufacturing the same are provided to reduce procedures and shorten the process time, while achieving improved characteristics. CONSTITUTION: A method for manufacturing a metal-insulator-metal emitter comprises the steps of forming a first electrode on a substrate; forming an insulating film on the first electrode through an atomic layer deposition; and forming a second electrode on the insulating film. The step of forming the insulating film includes a first step(S101) of disposing the substrate with the first electrode in a chamber; a second step(S103) of injecting a carrier gas and trimethyl aluminum in the chamber; a third step(S105) of removing the residual particles by injecting nitrogen or inert gas; a fourth step(S107) of forming an aluminum oxide thin film by injecting water or ozone for surface chemical reaction between the water and the trimethyl aluminum; and a fifth step(S109) of removing the residual particles by injecting nitrogen or inert gas.

Abstract translation: 目的：提供一种金属 - 绝缘体 - 金属发射体及其制造方法，以减少程序并缩短处理时间，同时实现改进的特性。 构成：用于制造金属 - 绝缘体 - 金属发射体的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一电极; 通过原子层沉积在第一电极上形成绝缘膜; 以及在绝缘膜上形成第二电极。 形成绝缘膜的步骤包括：第一步骤（S101），将具有第一电极的基板布置在腔室中; 第二步骤（S103），在腔室中注入载气和三甲基铝; 通过注入氮气或惰性气体除去残留颗粒的第三步骤（S105） 第四步骤（S107），通过注入水或臭氧以形成氧化铝薄膜，用于水和三甲基铝之间的表面化学反应; 和通过注入氮气或惰性气体除去残留颗粒的第五步骤（S109）。