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公开(公告)号：KR1019930015151A
公开(公告)日：1993-07-23
申请号：KR1019910025368
申请日：1991-12-30
IPC: H01L39/00
Abstract: 본 발명은 유전상수가 적고(Er=10) 고온 초전도체와 격자상수와 비슷한 1㎜(또는 0.5㎜) 두께의 유전체(Mg, LaAlO3)기판을 사용하여 고온초전도 박막형공진기를 제작하기 위한 금속마스크와 증착법에 의한 마이크로스트립(microstrip)형 고온초전도 공진기(resonator)에 관한 것으로, MDS(microwave desigu system)에 의해 최적 크기를 설계하고 웨트에칭(wetetching)에 따른 YBCO고온초전도 박막의 열화를 방지하기 위해 CAD시스템이 부착된 레이저 가공기로 정밀제작한 금속마스크와 RF 마스네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)장비를 이용한 90° off-axis단일 타겟에 의한 증착법으로 유전체 단결정 기판위에 설계된 회로를 직접 형상화한다.
그런후에 후열처리(post-annealing)공정을 통해 마이크로스트립형의 박막공진기(thin film resonator)를 제작하고, 그 소자의 고주파특성을 살피고자하는 금속 마스크와 증착법에 의한 마이크로스트립형 고온초전도 공진기를 구성한 것이다.-
公开(公告)号：KR1019930013740A
公开(公告)日：1993-07-22
申请号：KR1019910024775
申请日：1991-12-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01R23/00
Abstract: 본 발명은 고온초전도 고주파 수동소자의 저온주파수 특성을 저온장비(Cryogenic Equipment)의 부착없이 액체질소만으로도 측정시스템을 냉각하여 저온주파수 특성의 측정을 할 수 있도록 한 고온초전도 수동소자의 저온고주파 특성 측정용 액체질소 냉각 측정장치(test rixture)에 관한 것으로 LN
2 온도(77K)에서도 고주파 특성을 측정할 수 있도록 절연듀어와 고주파하우징내의 공기를 뽑아내고(진공유지), 퍼지(purge)용으로 헬륨가스를 채워넣을(backfilling)수 있게 벨로즈밸브시스템을 채택함과; 측정주파수 영역은 26.5GHz(K-콘넥터)까지로하되, 주파수 확장은 콘넥터의 교환하면 가능하도록 특수한 유연케이블(flexible cable)을 부착함과; 특수하고 고가인 저온냉동(cryogenic refrigeration)장치없이 액체질소만으로도 고온초전도 고주파 수동소자의 고주파 특정측정이 가능한 테스트픽스춰가 되도록 구성한 것이다.-
公开(公告)号：KR1020130130441A
公开(公告)日：2013-12-02
申请号：KR1020120054267
申请日：2012-05-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 서정대
CPC classification number: G06F3/0304 , G06F3/0425 , G06F2203/04109
Abstract: The present invention relates to a device and a method thereof for sensing an image formed by a fluid like the water of an actual brush. The image sensing device comprises an input part receiving an image using the brush which is wet by the certain fluid; a light source part radiating infrared light for sensing the image to the input part; and a sensing part sensing the light scattered correspondingly the inputted image using the wet brush before imaging the sensed result. [Reference numerals] (AA) Total reflection light;(BB) Scattered light
Abstract translation: 本发明涉及一种用于感测由像实际刷子的水一样的流体形成的图像的装置及其方法。 图像感测装置包括输入部分，其使用由该特定流体湿润的刷子接收图像; 将用于将图像感测到所述输入部分的红外光的光源部分; 以及感测部分，在对感测结果进行成像之前，使用湿刷检测相应地输入的图像散射的光。 （标号）（AA）全反射光;（BB）散射光
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74.发明授权
公开(公告)号：KR101271753B1
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：KR1020090112414
申请日：2009-11-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0445
CPC classification number: H01L21/02422 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/02631 , H01L31/0326 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지의 박막형 광 흡수층 제조 방법이 제공된다. 광 흡수층 제조 방법은, CIGS 결정 분말을 챔버의 증발원에 충전시키는 단계, CIGS 결정 분말을 동시에 증발시키는 단계 및 증발된 CIGS 결정 분말을 기판에 증착시켜 CIGS 박막을 형성하는 단계를 포함한다.
광 흡수층, CIGS, 결정 분말-
公开(公告)号：KR1020110098598A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020100081632
申请日：2010-08-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445 , H01L31/0216
Abstract: 본 발명은, CuCl
2 , InCl
3 및 SeC(NH
2 )
2 전구체 용액들을 질소분위기 및 상온에서 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계; 상기 혼합용액을 스프레이 공정을 이용하여 기판 위에 분사시킨 후 건조시켜 박막을 제조하는 단계; 및 상기 박막을 Se 분위기에서 셀렌화하는 단계를 포함하는 스프레이 공정을 이용하여 광흡수층 박막을 제조하는 방법 및 유리기판 위에 스퍼터링 공정으로 하부전극층을 제조하는 단계; 상기 하부전극층 위에 상기 스프레이 고정을 이용하여 광흡수층을 제조하는 단계; 상기 광흡수층 위에 화학기상 증착법으로 버퍼층을 제조하는 단계; 상기 버퍼층 위에 스퍼터링 공정으로 윈도우층을 제조하는 단계; 및 상기 윈도우층 위에 상부전극층을 제조하는 단계를 포함하는 박막 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100068179A
公开(公告)日：2010-06-22
申请号：KR1020090089686
申请日：2009-09-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A biosensor for magnetic resistance measurement and a manufacturing method thereof are provided to manufacture a biosensor for convenient sample application by forming a sample application container in a sample contact metal film through etching of a substrate without a separate process. CONSTITUTION: A method for manufacturing a biosensor for magnetic resistance measurement is as follows. A sample contact metal film(120), a dielectric layer(130), a magneto resistive sensor(150), and an electrode(160) are successively laminated on a substrate(100). The substrate is etched from the bottom so that the sample contact metal film is exposed and the rest unexposed part functions as a sample application container(180). A protective layer(170) for protecting the magneto resistive sensor and the electrode is formed. A metal layer(110) for adhesion enhancement is formed between the substrate and the sample contact metal film or/and between the sample contact metal film and the dielectric layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于磁阻测量的生物传感器及其制造方法，用于通过在不进行单独的工艺的情况下蚀刻基板，通过在样品接触金属膜中形成样品施加容器来方便地进行样品施加。 构成：用于制造用于磁阻测量的生物传感器的方法如下。 在衬底（100）上依次层叠样品接触金属膜（120），电介质层（130），磁阻传感器（150）和电极（160）。 从底部蚀刻衬底，使得样品接触金属膜暴露，其余的未曝光部分用作样品施加容器（180）。 形成用于保护磁阻传感器和电极的保护层（170）。 在基板和样品接触金属膜之间或/以及样品接触金属膜和电介质层之间形成用于粘附增强的金属层（110）。
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公开(公告)号：KR1020090063630A
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：KR1020070131075
申请日：2007-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/82
CPC classification number: H01L43/12 , G01R33/09 , G01R33/1269 , H01L27/22
Abstract: A method for manufacturing a magnetic filed sensing device is provided to detect a bio molecular material on a magnetic bio sensor chip by operating a magnetic field sensing device stably. A large magnetic resistance thin film is deposited on a substrate(1). A magnetic resistance device(20) with a circular ring structure is formed by etching the large magnetic resistance thin film. A metal thin film layer of Au material is deposited on the substrate and the magnetic resistance device. An electrode pad(24) is formed by a dry etching method and a lift up method using a negative light sensitive mask. An insulator thin film layer is deposited on the substrate, the magnetic resistance device, and the electrode pad. An insulator protective layer(28) is formed by partially removing the insulator thin film layer. The light sensitive magnetic bead thin film is deposited on the substrate, the electrode pad, and the insulator protective layer. A magnetic bead confining layer(32) is formed by selectively removing the light sensitive magnetic bead thin film.
Abstract translation: 提供一种用于制造磁场感测装置的方法，用于通过稳定地操作磁场感测装置来检测磁性生物传感器芯片上的生物分子材料。 在基板（1）上沉积大的磁阻薄膜。 通过蚀刻大的磁阻薄膜形成具有圆环结构的磁阻装置（20）。 Au材料的金属薄膜层沉积在基板和磁阻装置上。 通过干蚀刻法和使用负光敏掩模的提升方法形成电极焊盘（24）。 在衬底，磁阻元件和电极焊盘上沉积绝缘体薄膜层。 通过部分去除绝缘体薄膜层形成绝缘体保护层（28）。 光敏磁珠薄膜沉积在基板，电极焊盘和绝缘体保护层上。 通过选择性地去除光敏磁珠薄膜来形成磁珠限制层（32）。
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公开(公告)号：KR1020060027718A
公开(公告)日：2006-03-28
申请号：KR1020040076633
申请日：2004-09-23
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 대물렌즈의 광축 방향으로 액츄에이터를 움직이게 하는 포커싱 코일을 구비하는 포커싱 자기회로부와 디스크의 래디얼 방향으로 액츄에이터를 움직이게 하는 트래킹 코일을 구비하는 트래킹 자기회로부와 상기 포커싱 자기회로, 트래킹 자기회로 및 대물렌즈 홀더를 구비하는 보빈과 상기 보빈의 일부를 베이스에 지지하기 위한 적어도 하나의 서스펜션을 구비하되, 포커싱 자기회로부와 상기 트래킹 자기회로부는 상기 보빈을 중심으로 좌우로 독립하여 분리된 구조를 갖는 광픽업 액츄에이터를 제공한다. 광픽업 액츄에이터는 휴대용 초소형 광 디스크 드라이브의 핵심 부품으로 응용될 수 있다. 휴대용 전자기기에 광 디스크 드라이브가 사용되기 위해서는 적절한 기록 용량을 가지면서 크기가 작고 두께가 얇아야 한다.
광픽업 액츄에이터, 광 디스크, 대물렌즈, 트래킹, 포커싱-
公开(公告)号：KR1020050063636A
公开(公告)日：2005-06-28
申请号：KR1020040011021
申请日：2004-02-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B5/31
Abstract: 본 발명은 박막 자기 헤드의 제조방법에 관한 것으로, 특히 초미세 자기재생 소자를 제작함에 있어 포토 레지스트의 플로우 공정을 적용하여 하드 마그네트층과 금속다층박막 사이를 분리시킴과 아울러 포토 레지스트를 이용하여 상부전극과 하부전극 사이를 절연시킴으로써, 제조공정을 단순화, 최적화할 수 있을 뿐만 아니라 제조공정의 시간을 효과적으로 단축시킬 수 있는 박막 자기 헤드의 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020000033367A
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019980050207
申请日：1998-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L39/24
CPC classification number: H01L39/2435 , C23C14/087 , C23C14/3464 , C23C14/505 , C23C14/541 , C30B23/02 , C30B29/22 , C30B29/225
Abstract: PURPOSE: To form a thin film of high temperature superconductor on both sides of an oxide substrate having large surface areas. CONSTITUTION: Two sintering targets(1,2) such as high temperature superconductor oxide YBa2Cu3O7-x are placed in a thin film depositing apparatus(11). A mono-crystalline oxide substrate(6) having large surface areas, such as, for example, MgO, SrTiO3, LaAlO3, Al2O3, LaSrGaO4, is fixed to a supporting structure(5), passing through separators(9,10). The substrate(6) is then rotated with the supporting structure(5) between the separators(9,10). While two heater(3,4) applies heat to both sides of the substrate(6), plasma generated from the targets(1,2) is sprayed on both sides of the substrate(6) and thereby a target material is deposited onto the substrate(6).
Abstract translation: 目的：在具有大表面积的氧化物基板的两面上形成高温超导体薄膜。 构成：将两个烧结靶（1,2）如高温超导体氧化物YBa2Cu3O7-x放置在薄膜沉积装置（11）中。 具有大表面积的单晶氧化物衬底（6）例如MgO，SrTiO 3，LaAlO 3，Al 2 O 3，LaSrGaO 4被固定到支撑结构（5）上，通过隔板（9,10）。 然后，基板（6）与分隔件（9,10）之间的支撑结构（5）一起旋转。 当两个加热器（3,4）对基板（6）的两侧施加热量时，从靶（1,2）产生的等离子体喷射在基板（6）的两侧，从而将目标材料沉积到 底物（6）。
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