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公开(公告)号：KR101291319B1
公开(公告)日：2013-07-30
申请号：KR1020090088664
申请日：2009-09-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
CPC classification number: G01J3/10 , G01J3/42 , G01J5/0837
Abstract: 본 발명은 생산성을 향상시킬 수 있는 테라헤르츠파 발생/검출기 및 그의 제조방법을 개시한다. 그 발생/검출기는, 기판; 상기 기판 상의 전면에 형성된 포토 컨덕티브 층; 상기 포토 컨덕티브 층 상에 형성되고, 소정 간극을 갖고 서로 이격되는 제 1 전극과 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 상에서 형성되고, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극사이의 상기 간극 내부를 매립시키는 렌즈를 포함한다.
렌즈, 테라헤르츠(THz), 포토 컨덕티브(photo-conductive), 안테나(antenna)-
公开(公告)号：KR1020130053894A
公开(公告)日：2013-05-24
申请号：KR1020110119596
申请日：2011-11-16
Applicant: 한국전자통신연구원 , 주식회사 나노신소재
IPC: H01L21/203 , C23C14/14 , C23C14/08
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/086 , H01J37/3429
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a sputtering target for an oxide thin film transistor is provided to increase mobility by doping tantalum to indium tin oxide. CONSTITUTION: Indium oxide powder, tin oxide powder, and tantalum powder are prepared(S10). Powders are pulverized and mixed(S20). Slurry is dried by a mixing and a pulverization process(S30). The dried powder is shaped. The shaped powder is sintered. [Reference numerals] (S10) Prepare; (S20) Mix and pulverize powder; (S30) Dry slurry; (S40) Shape and sinter the powder; (S50) Polish sintered body and bond a backing plate; (S60) End
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造用于氧化物薄膜晶体管的溅射靶的方法，以通过将钽掺杂到氧化铟锡来增加迁移率。 构成：制备氧化铟粉末，氧化锡粉末和钽粉末（S10）。 将粉末粉碎并混合（S20）。 通过混合和粉碎处理干燥浆料（S30）。 干燥的粉末成型。 成型粉末烧结。 （附图标记）（S10）准备; （S20）混合粉碎粉末; （S30）干浆; （S40）形成并烧结粉末; （S50）抛光烧结体并粘合背板; （S60）结束
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公开(公告)号：KR1020120129670A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020110048064
申请日：2011-05-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06F17/50 , G06F17/10 , H01L29/772
CPC classification number: G06F17/5036 , G06F17/10 , G06F17/5045 , H01L29/772
Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus of modeling a transistor are provided to model a drain current value of a transistor by applying modeling variables to a drain current modeling function. CONSTITUTION: A reference mobility value of a channel layer of a transistor is extracted by using a reference gate voltage value and a reference drain current value(S20). A modeling variable is extracted by fitting a mobility function to a mobility value(S30). The modeling variable is applied to a drain current modeling function to calculate a drain current value(S40). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S10) Measuring a reference drain current value by applying a reference gate voltage value and a reference drain voltage value; (S20) Extracting reference mobility values by using the reference gate voltage value and the reference drain current value; (S30) Extracting modeling variables by fitting a mobility function to the reference mobility values; (S40) Drain current modeling
Abstract translation: 目的：提供一种对晶体管进行建模的方法和装置，以通过将建模变量应用于漏极电流建模功能来建模晶体管的漏极电流值。 构成：通过使用参考栅极电压值和参考漏极电流值来提取晶体管的沟道层的参考迁移率值（S20）。 通过将移动性函数拟合为移动性值来提取建模变量（S30）。 建模变量应用于漏极电流建模功能以计算漏极电流值（S40）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S10）通过施加基准栅极电压值和基准漏极电压值来测量参考漏极电流值; （S20）使用参考栅极电压值和参考漏极电流值提取参考迁移率值; （S30）通过将移动性函数拟合为参考迁移率值来提取建模变量; （S40）排水电流建模
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公开(公告)号：KR1020110066625A
公开(公告)日：2011-06-17
申请号：KR1020090123357
申请日：2009-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/067
CPC classification number: H01S3/06791 , H01S1/02 , H01S3/06712 , H01S3/0675 , H01S3/1304 , H01S3/1608 , H01S3/1618 , H01S2302/02
Abstract: PURPOSE: An optical fiber laser is provided to oscillate a laser beam which has two independent wavelengths using first and second resonators. CONSTITUTION: A light source(30) oscillate a laser beam. First and second resonators(10,20) resonate the laser beam with first and second wavelengths. A coupler(40) provides the laser beam oscillated from the light source to the first and second resonators. The coupler feeds the laser beams of the first and second wavelengths which are resonated in the first and second resonators respectively back to the light source.
Abstract translation: 目的：提供光纤激光器来振荡具有使用第一和第二谐振器的两个独立波长的激光束。 构成：光源（30）振荡激光束。 第一和第二谐振器（10,20）使具有第一和第二波长的激光束共振。 耦合器（40）将从光源振荡的激光束提供给第一和第二谐振器。 耦合器将第一和第二谐振器中谐振的第一和第二波长的激光束分别馈送回光源。
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公开(公告)号：KR1020110030975A
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：KR1020090088664
申请日：2009-09-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/10
CPC classification number: G01J3/10 , G01J3/42 , G01J5/0837
Abstract: PURPOSE: A device for generating/detecting tera Hz wave and a manufacturing method thereof are provided to lower costs for parts using an inexpensive plastic lens. CONSTITUTION: An etch stopper layer(22) and a photo conductive layer(20) are formed on a substrate(10) with a first opening(12). First and second antenna electrodes(32,34) are formed on the photo conductive layer. A lens(40) is buried in the gap between the first and second antenna electrodes. The lens is bonded with an exposed surface of the photo conductive layer and surfaces of the first and second antenna electrodes. The lens is strongly bonded by a petrochemistrical adhesive.
Abstract translation: 目的：提供一种用于产生/检测tHz Hz波的装置及其制造方法，以降低使用廉价的塑料透镜的部件的成本。 构成：在具有第一开口（12）的基板（10）上形成蚀刻停止层（22）和光导电层（20）。 第一和第二天线电极（32,34）形成在光导电层上。 透镜（40）埋在第一和第二天线电极之间的间隙中。 透镜与光导电层的暴露表面和第一和第二天线电极的表面结合。 透镜通过石墨化学粘合剂强力粘合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100974887B1
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：KR1020070132753
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 투명 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 하부 게이트 구조 투명 박막 트랜지스터의 장기적 안정성을 확보하고 공정 중의 특성 변화를 최소화하며, 박막 트랜지스터의 투명성을 유지하기 위하여 폴리머 물질의 보호막을 비교적 낮은 온도의 공정으로 형성하는 방법을 제공한다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 폴리머 보호막이 형성된 투명 박막 트랜지스터는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 상에 형성된 반도체 활성층; 상기 반도체 활성층의 양단에 각각 형성된 소오스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 반도체 활성층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 덮는 폴리머 물질의 보호막을 포함한다.
폴리머 보호막, 하부 게이트 구조, 투명 박막 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020100010888A
公开(公告)日：2010-02-02
申请号：KR1020080113381
申请日：2008-11-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L29/26 , H01L29/78693
Abstract: PURPOSE: A method for preparing a ZTO thin film, a thin film transistor using the same and method for preparing the thin film transistor are provided increase the uniformity of a device by using an amorphous ZTO thin film as a channel layer. CONSTITUTION: In a method for preparing a ZTO thin film, a thin film transistor using the same and method for preparing the thin film transistor. The ZTO thin film is processed under 150- 450°C. An atomic ratio of the zinc is 4:1 or 2:1 at a deposition temperature less than 300°C and it is 4:1 to 1:4 under at a deposition temperature of 300 - 450°C. A source electrode, a drain electrode, a channel layer, a gate isolation layer, and a gate electrode are formed on the substrate.
Abstract translation: 目的：制备ZTO薄膜的方法，使用该薄膜晶体管的薄膜晶体管和制备薄膜晶体管的方法通过使用无定形ZTO薄膜作为沟道层来提高器件的均匀性。 构成：在制备ZTO薄膜的方法中，使用该薄膜晶体管的薄膜晶体管和制备薄膜晶体管的方法。 ZTO薄膜在150-450℃下加工。 在300〜450℃的沉积温度下，在低于300℃的沉积温度下，锌的原子比为4:1或2:1，淀积温度为4:1至1:4。 在基板上形成源电极，漏电极，沟道层，栅极隔离层和栅电极。
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公开(公告)号：KR1020090065246A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020070132724
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: An apparatus and a method for modeling a source-drain current of a thin film transistor are provided to performing the modeling for an oxide thin film transistor and an organic thin film transistor. A modeling formula executing unit inputs various input values to a modeling formula when modeling variables are determined in modeling formula fitting unit(110). The modeling formula executing unit predicts an actual result according to the modeling formula. By applying the actually determined modeling variables to the modeling formula, a modeling formula applying unit(111) settles the modeling formula. In order to obtain an actual output value, the modeling formula executing unit input actual input data.
Abstract translation: 提供了用于对薄膜晶体管的源极 - 漏极电流进行建模的装置和方法，以对氧化物薄膜晶体管和有机薄膜晶体管进行建模。 建模公式执行单元在建模公式拟合单元（110）中确定建模变量时，将各种输入值输入到建模公式。 建模公式执行单元根据建模公式预测实际结果。 通过将实际确定的建模变量应用于建模公式，建模公式应用单元（111）确定建模公式。 为了获得实际的输出值，建模公式执行单元输入实际的输入数据。
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公开(公告)号：KR1020090065182A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020070132649
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L27/323
Abstract: An organic light-emitting diode touch screen device and a manufacturing method thereof are provided to ensure a thin organic light-emitting diode touch screen device and to simplify a manufacturing process by using an infrared sensor. An organic light-emitting diode touch screen device comprises a display light-emitting unit and a touch sensing unit. The display light-emitting unit(200) includes a thin film transistor and an organic light-emitting diode controlled by the thin film transistor. The touch sensing unit(210) includes an infrared sensor and an infrared filter filtering and transmitting only infrared signals generated in the infrared sensor. The display light-emitting unit is arranged on the planar surface of the organic light-emitting diode touch screen device. The touch sensing unit is arranged between the display light-emitting units evenly.
Abstract translation: 提供一种有机发光二极管触摸屏装置及其制造方法，以确保薄的有机发光二极管触摸屏装置，并且通过使用红外传感器简化制造工艺。 有机发光二极管触摸屏装置包括显示发光单元和触摸感测单元。 显示发光单元（200）包括薄膜晶体管和由薄膜晶体管控制的有机发光二极管。 触摸感测单元（210）包括红外传感器和红外滤光器，其仅对红外传感器中产生的红外信号进行滤波和透射。 显示发光单元设置在有机发光二极管触摸屏装置的平面上。 触摸感测单元均匀地布置在显示发光单元之间。
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公开(公告)号：KR100899811B1
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：KR1020070040045
申请日：2007-04-24
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 유기물 고굴절 재료를 포함하는 공진 반사광 필터와 이를 구비한 광 바이오센서에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 공진 반사광 필터는 기판상에 형성되어 있는 회절 격자에서 상기 기판의 반대측 상면에 노출되어 있는 유기층을 포함한다. 유기층은 회절격자의 적어도 일부를 구성하거나 회절격자의 상면을 덮는 별도의 유기 고굴절 박막으로 이루어질 수 있다. 본 발명에 따른 광 바이오센서는 상면에 유기층이 노출되어 있는 공진 반사광 필터를 포함한다. 검사 대상의 샘플에 포함되어 있는 항원에 특이적으로 결합 가능한 항체가 공진 반사광 필터의 유기층에 높은 친화력으로 직접 흡착 또는 결합되어 있다.
고굴절, 유기층, 회절 격자, 나노점, 공진 반사광 필터, 광 바이오센서
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