公开(公告)号：DE102014118317A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：DE102014118317

申请日：2014-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  MEISER ANDREAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WEBER HANS ,  HIRLER FRANZ ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/24

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst das Ausführen einer anodischen Oxidation einer Oberflächenregion eines Halbleitersubstrats, um eine Oxidschicht an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats durch Erzeugen eines anziehenden, elektrischen Feldes zwischen dem Halbleitersubstrat und einer externen Elektrode innerhalb eines Elektrolyten zu bilden, um oxidierende Ionen des Elektrolyten anzuziehen, was eine Oxidation der Oberflächenregion des Halbleitersubstrats verursacht. Ferner umfasst das Verfahren das Reduzieren der Anzahl von verbleibenden, oxidierenden Ionen innerhalb der Oxidschicht, während sich das Halbleitersubstrat innerhalb eines Elektrolyten befindet.

公开(公告)号：DE102014110450A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：DE102014110450

申请日：2014-07-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS ,  SCHLÖSSER TILL

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L29/78

Abstract: Eine integrierte Schaltung (200) wird in einem Halbleitersubstrat (100) gebildet. Die integrierte Schaltung (200) umfasst einen Trench (270), der in einer ersten Hauptoberfläche (110) des Halbleitersubstrates (100) gebildet ist. Der Trench (270) umfasst einen ersten Trenchteil (271) und einen zweiten Trenchteil (272). Der erste Trenchteil (271) ist mit dem zweiten Trenchteil (272) verbunden. Öffnungen der ersten und zweiten Trenchteile (271, 272) sind benachbart zu der ersten Hauptoberfläche (110). Die integrierte Schaltung (200) umfasst weiterhin eine Trenchtransistorstruktur (301) mit einer Gateelektrode (350), die in dem ersten Trenchteil (271) angeordnet ist, und eine Trenchkondensatorstruktur (210) mit einem Kondensatordielektrikum (240) und einer ersten Kondensatorelektrode (235). Das Kondensatordielektrikum (240) und die erste Kondensatorelektrode (235) sind in dem zweiten Trenchteil (272) angeordnet. Die erste Kondensatorelektrode (235) umfasst eine mit einer Seitenwand des zweiten Trenchteiles (272) konforme Schicht.

公开(公告)号：DE102014107295A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：DE102014107295

申请日：2014-05-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL ,  HIRLER FRANZ

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/167

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung 200, die in einem Halbleitersubstrat (100)) ausgebildet ist, umfasst einen Sourcebereich (210), einen Drainbereich (220), eine Gateelektrode (230) und einen Bodybereich (240), der zwischen dem Sourcebereich (210) und dem Drainbereich (220) angeordnet ist. Die Gateelektrode (230) ist benachbart zu wenigstens zwei Seiten des Bodybereiches (240) vorgesehen, und der Sourcebereich (210) sowie die Gateelektrode (230) sind zu einem Sourceanschluss (260) gekoppelt. Eine Breite (d) des Bodybereiches (240) zwischen zwei Seiten des Bodybereiches (240) ist so gewählt, dass der Bodybereich (240) gestaltet ist, um vollständig verarmt zu sein.

公开(公告)号：DE102014104108A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：DE102014104108

申请日：2014-03-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHLÖSSER TILL ,  MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren umfasst das Herstellen eines Grabens, der sich von einer ersten Oberfläche eines Halbleiterkörpers derart in den Halbleiterkörper erstreckt, der einen ersten Grabenabschnitt und wenigstens einen an den ersten Grabenabschnitt angrenzenden zweiten Grabenabschnitt aufweist, wobei der erste Grabenabschnitt weiter als der zweite Grabenabschnitt ist. Eine erste Elektrode wird in dem wenigstens zweiten Grabenabschnitt hergestellt und ist dielektrisch von Halbleitergebieten des Halbleiterkörpers durch eine erste Dielektrikumsschicht isoliert. Eine Zwischenelektrodendielektrikumsschicht wird in dem wenigstens einen zweiten Grabenabschnitt auf der ersten Elektrode hergestellt. Eine zweite Elektrode wird in dem wenigstens einen zweiten Grabenabschnitt auf der Zwischenelektrodendielektrikumsschicht und in dem ersten Grabenabschnitt derart hergestellt, dass die zweite Elektrode wenigstens in dem ersten Grabenabschnitt durch eine zweite Dielektrikumsschicht dielektrisch von dem Halbleiterkörper isoliert ist.

公开(公告)号：DE102014100877A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：DE102014100877

申请日：2014-01-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS ,  THIELE STEFFEN

IPC: H01L27/06 ,  G01R19/00 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/62 ,  H01L29/78

Abstract: Eine integrierte Schaltung mit einer Halbleitervorrichtung umfasst eine Leistungskomponente (200) mit einer Vielzahl von Trenches (3001, ..., 300n) in einem Zellarray, wobei die Vielzahl von Trenches (3001, ..., 300n) in einer ersten Richtung (x) verlaufen, und eine Sensorkomponente (250), die in das Zellarray der Leistungskomponente (200) integriert ist und eine Sensorzelle mit einer Fläche aufweist, die kleiner ist als eine Fläche des Zellarrays der Leistungskomponente (200). Die integrierte Schaltung umfasst außerdem Isolationstrenches (205), die zwischen der Sensorkomponente (250) und der Leistungskomponente (200) angeordnet sind, wobei ein isolierendes Material in den Isolationstrenches (205) vorgesehen ist. Die Isolationstrenches (205) verlaufen in einer zweiten, von der ersten Richtung (x) verschiedenen Richtung (y).

公开(公告)号：DE102014100707A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：DE102014100707

申请日：2014-01-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  SCHWETLICK WERNER

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung ist in einem Halbleitersubstrat (100) mit einer ersten Hauptoberfläche (110) gebildet und umfasst ein Steuergate (210), das in einem unteren Teil eines ersten Trenches (130) gebildet ist, der in der ersten Hauptoberfläche (110) ausgeführt ist, ein Floating-Gate (320), das in dem ersten Trench (130) oberhalb des Steuergates (210) und von dem Steuergate (210) isoliert angeordnet ist, einen Sourcebereich (230) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen Bodybereich (250) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und einen Drainbereich (240) des ersten Leitfähigkeitstyps.

公开(公告)号：DE102013113284A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：DE102013113284

申请日：2013-11-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Transistor (200), der in einem Halbleitersubstrat (100) mit einer ersten Hauptoberfläche (110) ausgebildet ist. Der Transistor (200) umfasst einen Sourcebereich (201), einen Drainbereich (205), einen Kanalbereich (220), eine Driftzone (260) und eine Gateelektrode (210), die benachbart zu dem Kanalbereich (220) ist. Die Gateelektrode (210) ist gestaltet, um eine Leitfähigkeit eines in dem Kanalbereich (220) gebildeten Kanals zu steuern, wobei der Kanalbereich (220) und die Driftzone (260) längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) angeordnet sind, wobei die erste Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche (110) ist. Der Kanalbereich (220) hat eine Gestalt eines ersten Kammes bzw. Grates, der sich längs der ersten Richtung erstreckt, und der Transistor umfasst eine erste Feldplatte (250), die benachbart zu der Driftzone (260) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102013213734A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：DE102013213734

申请日：2013-07-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  THIELE STEFFEN ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  G01R19/00 ,  H01L21/336 ,  H01L23/58 ,  H01L29/06

Abstract: Ein Halbleiterbauelement ein Feld von in einen Halbleiterkörper integrierten Transistorzellen. Eine Anzahl der Transistorzellen, die einen Leistungstransistor bildet, und mindestens eine der Transistorzellen, die einen Sense-Transistor bildet. Eine erste Source-Elektrode ist auf dem Halbleiterkörper aufgebracht, mit der/den Transistorzelle(n) des Sense-Transistors elektrisch verbunden, jedoch von den Transistorzellen des Leistungstransistors elektrisch isoliert. Eine zweite Source-Elektrode ist auf dem Halbleiterkörper aufgebracht und bedeckt die Transistorzellen sowohl des Leistungstransistors als auch des Sense-Transistors und bedeckt die erste Source-Elektrode mindestens teilweise derart, dass die zweite Source-Elektrode nur mit den Transistorzellen des Leistungstransistors elektrisch verbunden, jedoch von den Transistorzellen des Sense-Transistors elektrisch isoliert ist.

公开(公告)号：DE102018010387B3

公开(公告)日：2022-08-25

申请号：DE102018010387

申请日：2018-05-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL ,  KOZLOWSKI GRZEGORZ

IPC: H01L27/08 ,  G05F1/56 ,  H01L21/762 ,  H01L27/06 ,  H02M3/00 ,  H02M7/44

Abstract: Halbleitervorrichtung (100), die aufweist:ein Halbleitersubstrat (102) von einem ersten Leitfähigkeitstyp;eine Halbleiterschicht (104) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp auf dem Halbleitersubstrat (102), wobei der zweite Leitfähigkeitstyp verschieden ist vom ersten Leitfähigkeitstyp;eine Isolationsstruktur (106), die einen ersten Bereich (1041) der Halbleiterschicht (104) von einem zweiten Bereich (1042) der Halbleiterschicht (104) elektrisch isoliert;eine Flachgrabenisolationsstruktur (108), die sich von einer Oberfläche (110) der Halbleiterschicht (104) in den ersten Bereich (1041) der Halbleiterschicht (104) vertikal erstreckt;einen elektrischen Widerstand (112) auf der Flachgrabenisolationsstruktur (108);eine elektrische Kontaktstruktur (126), die an der Oberfläche (110) der Halbleiterschicht (104) mit dem ersten Bereich (1041) der Halbleiterschicht (104) elektrisch verbunden ist, und wobei die Kontaktstruktur (126) mit einem Zwischenabgriff (1281) des elektrischen Widerstands (112) elektrisch verbunden ist.

公开(公告)号：DE102014113946B4

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：DE102014113946

申请日：2014-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VIELEMEYER MARTIN ,  MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL ,  HIRLER FRANZ ,  PÖLZL MARTIN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Integrierte Schaltung (1), umfassend einen Transistor (200) in einem Halbleitersubstrat (100), das eine Hauptoberfläche (110) hat, wobei der Transistor (200) umfasst:einen Sourcebereich (201),einen Drainbereich (205),einen Kanalbereich (220),eine Driftzone (260),eine Gateelektrode (210),ein Gatedielektrikum (211) benachbart zu der Gateelektrode (210) ,eine benachbart zur Driftzone (260) angeordnete Feldplatte (250), undein Felddielektrikum (251) benachbart zur Feldplatte (250) ,wobei die Gateelektrode (210) benachbart zu wenigstens zwei Seiten des Kanalbereiches (220) angeordnet ist, der Kanalbereich (220) und die Driftzone (260) längs einer ersten Richtung parallel zu der Hauptoberfläche (110) zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) angeordnet sind und das Gatedielektrikum (211) eine Dicke hat, die sich an verschiedenen Positionen oder Stellen der Gateelektrode (210) verändert, unddie Feldplatte (250) von der Gateelektrode (210) elektrisch getrennt ist.