公开(公告)号：DE102013108518B4

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：DE102013108518

申请日：2013-08-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WOOD ANDREW ,  PÖLZL MARTIN ,  VIELEMEYER MARTIN ,  BLANK OLIVER

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleitervorrichtung (10) mit: einem Halbleiterkörper (12) mit einer Oberfläche (14), einer polykristallines Silizium (32) aufweisenden Gateelektrodenstruktur (20) eines IGFETs (22) in einem ersten Graben (28), der sich von der Oberfläche (14) in den Halbleiterkörper (12) hinein erstreckt, und einem von der Gateelektrodenstruktur (20) des IGFETs (22) verschiedenen und polykristallines Silizium (32) aufweisenden Halbleiterelement (26) in einem zweiten Graben (30), der sich von der Oberfläche (14) in den Halbleiterkörper (12) hinein erstreckt, wobei das polykristalline Silizium (32) des IGFETs (22) und des hiervon verschiedenen Halbleiterelements (26) unterhalb einer Oberseite (34) einer an die Oberfläche (14) des Halbleiterkörpers (12) angrenzenden Isolationsschicht (36) endet, und wobei das Halbleiterelement (26) eine Diode, einen Widerstand, einen Kondensator, eine Sensorstruktur, eine Schmelzverbindung und/oder Schmelzisolation, oder eine Randabschlussstruktur des IGFETs (22) umfasst.

公开(公告)号：DE102014113946A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：DE102014113946

申请日：2014-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VIELEMEYER MARTIN ,  MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL ,  HIRLER FRANZ ,  PÖLZL MARTIN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Eine integrierte Schaltung (1) umfasst einen Transistor (200) in einem Halbleitersubstrat (100), das eine Hauptoberfläche (110) hat. Der Transistor (200) umfasst einen Sourcebereich (201), einen Drainbereich (205), einen Kanalbereich (220), eine Driftzone (260), eine Gateelektrode (210) und ein Gatedielektrikum (211) benachbart zu der Gateelektrode (210). Die Gateelektrode (210) ist benachbart zu wenigstens zwei Seiten des Kanalbereiches (220) angeordnet. Der Kanalbereich (220) und die Driftzone (260) sind längs einer ersten Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche (110) zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) vorgesehen. Das Gatedielektrikum (211) hat eine Dicke, die sich an verschiedenen Positionen bzw. Stellen der Gateelektrode (210) verändert.

公开(公告)号：DE112013005770T5

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：DE112013005770

申请日：2013-12-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEIS ROLF ,  IRSIGLER PETER ,  MEISER ANDREAS ,  HIRLER FRANZ ,  VIELEMEYER MARTIN ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Transistor, der in einem Halbleiterkörper gebildet ist, der eine erste Hauptoberfläche hat. Der Transistor umfasst einen Sourcebereich, einen Drainbereich, einen Kanalbereich, eine Driftzone, einen Sourcekontakt, der elektrisch mit dem Sourcebereich verbunden ist, einen Drainkontakt, der elektrisch mit dem Drainbereich verbunden ist, und eine Gateelektrode an dem Kanalbereich. Der Kanalbereich und die Driftzone sind längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich und dem Drainbereich angeordnet, wobei die erste Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche ist. Der Kanalbereich hat eine Gestalt eines ersten Kammes, der sich längs der ersten Richtung erstreckt. Ein Kontakt aus dem Sourcekontakt und dem Drainkontakt ist benachbart zu der ersten Hauptoberfläche, und der andere Kontakt aus dem Sourcekontakt und dem Drainkontakt ist benachbart zu einer zweiten Hauptoberfläche, die entgegengesetzt zu der ersten Hauptoberfläche ist.

公开(公告)号：DE102013108518A1

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：DE102013108518

申请日：2013-08-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WOOD ANDREW ,  PÖLZL MARTIN ,  VIELEMEYER MARTIN ,  BLANK OLIVER

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper mit einer ersten Oberfläche, einer polykristallines Silizium aufweisenden Gateelektrodenstruktur eines IGFETs in einem ersten Graben, der sich von der ersten Oberfläche in den Halbleiterkörper hinein erstreckt, und einem von der Gateelektrodenstruktur des IGFETs verschiedenen und polykristallines Silizium aufweisenden Halbleiterelement in einem zweiten Graben, der sich von der ersten Oberfläche in den Halbleiterkörper hinein erstreckt, wobei das polykristalline Silizium des IGFETs und des hiervon verschiedenen Halbleiterelements unterhalb einer Oberseite einer an die erste Oberfläche des Halbleiterkörpers angrenzenden Isolationsschicht endet.

公开(公告)号：DE102014113946B4

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：DE102014113946

申请日：2014-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VIELEMEYER MARTIN ,  MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL ,  HIRLER FRANZ ,  PÖLZL MARTIN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Integrierte Schaltung (1), umfassend einen Transistor (200) in einem Halbleitersubstrat (100), das eine Hauptoberfläche (110) hat, wobei der Transistor (200) umfasst:einen Sourcebereich (201),einen Drainbereich (205),einen Kanalbereich (220),eine Driftzone (260),eine Gateelektrode (210),ein Gatedielektrikum (211) benachbart zu der Gateelektrode (210) ,eine benachbart zur Driftzone (260) angeordnete Feldplatte (250), undein Felddielektrikum (251) benachbart zur Feldplatte (250) ,wobei die Gateelektrode (210) benachbart zu wenigstens zwei Seiten des Kanalbereiches (220) angeordnet ist, der Kanalbereich (220) und die Driftzone (260) längs einer ersten Richtung parallel zu der Hauptoberfläche (110) zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) angeordnet sind und das Gatedielektrikum (211) eine Dicke hat, die sich an verschiedenen Positionen oder Stellen der Gateelektrode (210) verändert, unddie Feldplatte (250) von der Gateelektrode (210) elektrisch getrennt ist.

公开(公告)号：DE102016105699B4

公开(公告)日：2019-12-12

申请号：DE102016105699

申请日：2016-03-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  SCHLÖSSER TILL ,  VIELEMEYER MARTIN

IPC: H01L29/78

Abstract: Halbleitervorrichtung, die aufweist:Gatestrukturen (150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Halbleiterteil (100) erstrecken,einen Finnen- bzw. Gratabschnitt (170) zwischen benachbarten Gatestrukturen (150), wobei der Finnenabschnitt (170) einen Bodybereich (120) aufweist, der einen ersten pn-Übergang (pn1) mit einer Drainstruktur (130) und einen zweiten pn-Übergang (pn2) mit einer Sourcestruktur (110) bildet, wobei die Sourcestruktur (110) einen Sourceteil (112) und einen Durchgriffs- bzw. Punch-Through-Teil (114) aufweist,eine Kontaktstruktur (315) direkt angrenzend an den Sourceteil (112) und den Punch-Through-Teil (114) und von dem Bodybereich (120) durch den Punch-Through-Teil (114) getrennt.

公开(公告)号：DE102016105699A1

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：DE102016105699

申请日：2016-03-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  SCHLÖSSER TILL ,  VIELEMEYER MARTIN

IPC: H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (500) umfasst Gatestrukturen (150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Halbleiterteil (100) erstrecken. Ein Finnen- bzw. Gratabschnitt (170) zwischen benachbarten Gatestrukturen (150) umfasst einen Bodybereich (120), der einen ersten pn-Übergang (pn1) mit einer Drainstruktur (130) und einen zweiten pn-Übergang (pn2) mit einer Sourcestruktur (110) bildet. Die Sourcestruktur (110) umfasst einen Sourceteil (112) und einen Punch-Through-Teil (114). Eine Kontaktstruktur (315) grenzt direkt an den Sourceteil (112) und den Punch-Through-Teil (114) an. Der Punch-Through-Teil (114) trennt die Kontaktstruktur (315) von dem Bodybereich (120).

公开(公告)号：DE112013005770B4

公开(公告)日：2022-12-01

申请号：DE112013005770

申请日：2013-12-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  WEIS ROLF ,  HIRLER FRANZ ,  VIELEMEYER MARTIN ,  ZUNDEL MARKUS ,  IRSIGLER PETER

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/417

Abstract: Halbleitervorrichtung, die einen ersten Transistor (200, 3002) in einem Halbleiterkörper (100) umfasst, der eine erste Hauptoberfläche (110) hat, wobei der erste Transistor (200, 3002) aufweist:einen benachbart zur ersten Hauptoberfläche (110) angeordneten Sourcebereich (201, 301, 501),einen benachbart zur ersten Hauptoberfläche (110) angeordneten Drainbereich (205, 305, 505),einen Kanalbereich (220, 320, 520),eine Driftzone (260, 360, 560),einen elektrisch mit dem Sourcebereich (201, 301, 501) verbundenen Sourcekontakt (267, 3672, 502),einen elektrisch mit dem Drainbereich (205, 305, 505) verbundenen Drainkontakt (277, 3772, 506),eine Gateelektrode (210, 310, 510) an dem Kanalbereich (220, 320, 520), wobei der Kanalbereich (220, 320, 520) und die Driftzone (260, 360, 560) längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich (201, 301, 501) und dem Drainbereich (205, 305, 505) angeordnet sind, die erste Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche (110) ist und der Kanalbereich (220, 320, 520) eine Gestalt eines ersten Kammes hat, der sich längs der ersten Richtung erstreckt,wobei der Sourcekontakt (267, 3672, 502) benachbart zu der ersten Hauptoberfläche (110) ist und der Drainkontakt (277, 3772, 506) benachbart zu einer zweiten Hauptoberfläche (120) ist, die entgegengesetzt zu der ersten Hauptoberfläche (110) ist.