公开(公告)号：TWI466174B

公开(公告)日：2014-12-21

申请号：TW095103699

申请日：2006-02-03

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 波爾 麥特喜愛斯 ,  BAUER, MATTHIAS ,  威克斯 基斯 多倫 ,  WEEKS, KEITH DORAN ,  托馬西尼 皮爾瑞 ,  TOMASINI, PIERRE ,  寇帝 奈爾 ,  CODY, NYLES

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

公开(公告)号：TWI445836B

公开(公告)日：2014-07-21

申请号：TW096141034

申请日：2007-10-31

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 艾爾斯 凱 艾瑞克 ,  ELERS, KAI-ERIK

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/283

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

公开(公告)号：TWI445117B

公开(公告)日：2014-07-11

申请号：TW097143524

申请日：2008-11-11

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 波爾 麥特喜愛斯 ,  BAUER, MATTHIAS

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/54 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B33/12 ,  C30B35/00

公开(公告)号：TWI439680B

公开(公告)日：2014-06-01

申请号：TW097118365

申请日：2008-05-19

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 雅可布斯 勞恩 ,  JACOBS, LOREN ,  海爾賓 邁克 ,  HALPIN, MIKE

IPC: G01K1/14 ,  G01K7/02 ,  G01K1/08 ,  H01L35/00

CPC classification number: G01K1/08 ,  G01K7/02 ,  G01K7/04

公开(公告)号：TWI424084B

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：TW096102030

申请日：2007-01-19

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 普羅文撤 提莫西J. ,  PROVENCHER, TIMOTHY J. ,  希克森 克魯閣B. ,  HICKSON, CRAIG B.

IPC: C23C16/455 ,  C30B25/14 ,  C30B25/10

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  F16K27/003 ,  F16K51/02 ,  Y10T137/87684

公开(公告)号：TWI417949B

公开(公告)日：2013-12-01

申请号：TW095130234

申请日：2006-08-17

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 小帕格里亞羅 羅伯特H. ,  PAGLIARO, JR., ROBERT H.

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02052 ,  Y10S438/906

公开(公告)号：TW201327637A

公开(公告)日：2013-07-01

申请号：TW101148792

申请日：2012-12-20

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 寇帝 奈爾W ,  CODY, NYLES W. ,  湯瑪斯 蕭恩 ,  THOMAS, SHAWN ,  托馬西尼 皮爾瑞 ,  TOMASINI, PIERRE

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02661

Abstract: 用於在現場沈積之前進行低溫清潔一半導體表面之方法具有高產量及消耗非常少之熱預算。GeH4在該表面上沈積Ge且將任何表面氣轉換為GeOx。諸如Cl2或HCl之一蝕刻劑移除Ge及任何GeOx且之後係磊晶沈積。可因至該基板中之擴散而在該基板上剩下Ge濃度之一尖峰。可在比習知烘焙步驟更低之溫度下循序現場地進行所有三個步驟。

Abstract in simplified Chinese: 用于在现场沉积之前进行低温清洁一半导体表面之方法具有高产量及消耗非常少之热预算。GeH4在该表面上沉积Ge且将任何表面气转换为GeOx。诸如Cl2或HCl之一蚀刻剂移除Ge及任何GeOx且之后系磊晶沉积。可因至该基板中之扩散而在该基板上剩下Ge浓度之一尖峰。可在比习知烘焙步骤更低之温度下循序现场地进行所有三个步骤。

公开(公告)号：TWI394862B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：TW093112463

申请日：2004-05-04

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 馬伊夫 維基 ,  VERGHESE, MOHITH ,  艾立克J. 雪洛 ,  SHERO, ERIC J.

IPC: C23C16/54

CPC classification number: B82Y30/00 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45525 ,  C23C22/68 ,  C30B25/14 ,  H01J37/32477

公开(公告)号：TW201220367A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：TW100138473

申请日：2011-10-24

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 米利根 羅伯特B ,  李 東 ,  馬庫斯 史蒂芬

IPC: H01L ,  C23C

CPC classification number: H01J37/32009 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45542

Abstract: 提供形成三元金屬合金的方法與設備。在一些實施例中,將基板暴露於有機金屬鉭前驅物(包括氮和碳及氫電漿)的交替脈衝之下,藉以沈積碳氮化鉭薄膜。藉由調整電漿參數(特別是電漿强度),膜之化學計量由富含碳變為富含氮。如此,可由相同的前驅物形成具不同特性的膜。例如,可使用相同前驅物在相同模組中沈積n型及p型材料。

Abstract in simplified Chinese: 提供形成三元金属合金的方法与设备。在一些实施例中,将基板暴露于有机金属钽前驱物(包括氮和碳及氢等离子)的交替脉冲之下,借以沉积碳氮化钽薄膜。借由调整等离子参数(特别是等离子强度),膜之化学计量由富含碳变为富含氮。如此,可由相同的前驱物形成具不同特性的膜。例如,可使用相同前驱物在相同模块中沉积n型及p型材料。

公开(公告)号：TW201042074A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：TW099112155

申请日：2010-04-19

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 懷特 卡爾 ,  雪洛 艾立克 ,  沛薩 瑪寇

IPC: C23C

CPC classification number: C23C16/45527 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45561

Abstract: 本發明提供了一種在基板上成長薄膜的裝置以及方法，其包括根據ALD方法將基板放入反應室中以及將基板與多個氣相反應物進行表面反應。非完全閉合閥被放入到ALD系統的反應物饋入管道以及背部吸氣管道中。操作非完全閉合閥，從而在ALD過程的清洗或者脈衝循環期間，打開一個閥以及關閉另一個閥。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供了一种在基板上成长薄膜的设备以及方法，其包括根据ALD方法将基板放入反应室中以及将基板与多个气相反应物进行表面反应。非完全闭合阀被放入到ALD系统的反应物馈入管道以及背部吸气管道中。操作非完全闭合阀，从而在ALD过程的清洗或者脉冲循环期间，打开一个阀以及关闭另一个阀。