정렬된 금속산화물 나노구조체 형성 방법
    81.
    发明授权
    정렬된 금속산화물 나노구조체 형성 방법 有权
    配位金属氧化物纳米结构的制备

    公开(公告)号:KR101419531B1

    公开(公告)日:2014-07-14

    申请号:KR1020120152813

    申请日:2012-12-26

    Abstract: 본 발명은 정렬된 금속산화물 나노구조체를 형성하는 방법에 관한 것으로서, 임프린트 리소그래피(Imprint Lithography) 공정 또는 KrF 스텝퍼, KrF 스캐너, i-line 스텝퍼 및 i-line 스캐너를 이용하여 정렬된 금속산화물 나노구조체를 형성하는 방법에 있어서, 기판에 금속산화물 시드층을 형성한 후 임프린팅 공정에 의한 레진패턴층을 형성한 후 건식 식각 공정을 거쳐 상기 금속산화물 시드층을 노출시키거나, KrF 스텝퍼, KrF 스캐너, i-line 스텝퍼 및 i-line 스캐너를 이용하여 레진패턴층을 형성하여 상기 금속산화물 시드층을 노출시켜, 수열 합성법을 이용하여 상기 금속산화물 시드층으로부터 금속산화물 나노구조체를 성장시키는 것을 특징으로 하는 정렬된 금속산화물 나노구조체 형성 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 다양한 형상, 크기 및 패터닝의 금속산화물 나노구조체를 제조할 수 있고, 비교적 저가로 제공할 수 있으며, 대면적의 금속산화물 나노구조체의 정렬을 용이하게 하며, 금속산화물 나노구조체의 유착 또는 변형을 방지하고, 균일한 나노구조체의 형성 및 배열이 가능한 이점이 있다.

    발전 소자의 전극을 전해 도금으로 형성하는 방법
    82.
    发明公开
    발전 소자의 전극을 전해 도금으로 형성하는 방법 有权
    使用电力发电装置的电镀方法

    公开(公告)号:KR1020140087253A

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:KR1020120156765

    申请日:2012-12-28

    CPC classification number: C25D5/022 C25D3/02 C25D7/00 C25D21/12

    Abstract: The present invention relates to a method of forming an electrode of an electric power generation device using self-generated electricity of the electric power generation device. The method of forming the electrode of the electric power generation device includes a first step of immersing a substrate of the electric power generation device, which generates electron-hole pairs when energy is applied, into a plating solution; a second step of transmitting energy by changing an energy transmitting condition required when the electric power generation device generates the electricity; and a third step of plating with the self-generated electricity of the electric power generation device to form the electrode of the electric power generation device. Since a seed metal is not necessary, different from the conventional electrode forming method of a solar cell or the like using a light induced plating process, process time and costs can be shortened. The characteristic of the electric power generation device is improved by the simplified process. In addition, since the light source transmitting condition to generate the electricity is changed to adjust characteristics, such as plating speed, density and structure of the plating electrode, thereby forming the high quality electrode suitable for the characteristic of the electric power generation device to be used.

    Abstract translation: 本发明涉及一种利用发电装置的自发电形成电力发电装置的电极的方法。 形成发电装置的电极的方法包括:将施加能量时产生电子 - 空穴对的发电装置的基板浸渍在电镀液中的第一工序; 通过改变发电装置产生电力所需的能量传递条件来发送能量的第二步骤; 以及第三步骤,利用发电装置的自发电电镀以形成发电装置的电极。 由于不需要种子金属,因此与使用光诱导电镀工艺的太阳能电池等的常规电极形成方法不同,可以缩短处理时间和成本。 通过简化的过程改善了发电装置的特性。 此外,由于改变发光的光源发送条件,能够调整电镀速度,电镀电极的密度,结构等特性,从而形成适合于发电装置特性的高品质电极为 用过的。

    임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법
    83.
    发明授权
    임프린트 리소그래피와 다층 박막을 이용한 패터닝 방법 有权
    使用印记平版印刷和多层膜的Patterninig方法

    公开(公告)号:KR101327310B1

    公开(公告)日:2013-11-11

    申请号:KR1020110066691

    申请日:2011-07-06

    Abstract: 본 발명은 다단 스탬프(Multi-Level Stamp)를 이용한 임프린트 리소그래피(Imprint Lithography) 공정으로 박막이 형성된 기판에 미세 패턴을 형성하는 임프린트 리소그래피(Imprint Lithography) 및 다층 박막을 이용한 패터닝 방법에 관한 것으로, 몰드용 기판 상부에 전자 빔 리소그래피(E-Beam Lithography) 또는 포토 리소그래피(Photo Lithography) 공정으로 패턴을 형성한 후, 식각을 통해 임프린트 리소그래피(Imprint Lithography)를 위한 마이크로 또는 나노 패턴이 형성된 마스터 몰드를 제작하여 다단 스탬프(Multi-Level Stamp)를 취득하는 단계, 기판의 상부에 고분자 물질, 절연체 물질 또는 금속 물질 중 하나 이상으로 이루어진 희생층 막(Sacrificial Layer)을 증착 또는 코팅하는 단계, 희생층 막(Sacrificial Layer)의 상부에 임프린트용 레진(Imprint Resin)을 코팅하며, 임프린트용 레진(Imprint R esin) 상부에 다단 스탬프(Multi-Level Stamp)를 이용하여, 복수의 상이한 패턴깊이 또는 복수의 상이한 패턴형태를 형성하며 이루어진 다단 패턴(Multi-Level Pattern)을 형성하는 단계, 건식 식각(Dry Etching) 공정으로 다단 패턴(Multi-Level Pattern) 중 패턴 깊이가 상대적으로 얕은 영역은 희생층 막이 노출되도록 식각하고, 패턴 깊이가 상대적으로 깊은 영역은 기판이 노출되도록 식각하는 단계, 건식 식각 공정 후 다단 패턴(Multi-Level Pattern)된 기판, 희생층 막 및 임프린트용 레진 표면에 금속층(Metal Layer)을 증착하는 단계, 건식 식각 후 잔류하는 상기 임프린트용 레진을 리프트 오프(Lift-Off) 공정으로 제거하는 단계, 금속층을 에칭 마스크(Etching Mask)로 이용하여 희생층 막을 식각하는 단계, 희생층 막을 제거하는 단계를 포함한다.

    임프린트 리소그래피를 이용한 3차원 나노구조체 제조방법 및 이에 의해 제조된 3차원 나노구조체
    84.
    发明公开
    임프린트 리소그래피를 이용한 3차원 나노구조체 제조방법 및 이에 의해 제조된 3차원 나노구조체 有权
    通过印刷图和三维纳米结构制造三维纳米结构的方法

    公开(公告)号:KR1020130068668A

    公开(公告)日:2013-06-26

    申请号:KR1020110135977

    申请日:2011-12-16

    CPC classification number: G03F7/0002 B82Y40/00

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a 3-dimensional nanostructure using the imprint lithography and the 3-dimensional nanostructure manufactured thereby are provided to form a 3-dimensional polymer nanostructure or a metallic oxide nanostructure by processing an imprint process as a multi-stage using two or more kinds of stamp. CONSTITUTION: A method for manufacturing a 3-dimensional nanostructure comprises: a step of forming a photosensitive metal-organic precursor layer or an imprint resin layer on an upper part of a thin film or a substrate; a step of pressurizing the photosensitive metal-organic precursor layer or the imprint resin layer by a first imprint stamp and forming a first resin pattern layer or a first metallic oxide thin film pattern layer; a step of pressurizing the first resin pattern layer or the first metallic oxide thin film pattern layer by a second imprint stamp and forming a second resin pattern layer or a second metallic oxide thin film pattern layer; and a step of forming a resin pattern layer or a metallic oxide thin film pattern layer with the different kinds of line width and pattern shape.

    Abstract translation: 目的:提供使用压印光刻及其制造的三维纳米结构的三维纳米结构的制造方法,以通过使用二次加工作为多阶段的压印处理来形成三维聚合物纳米结构或金属氧化物纳米结构 或更多种类的邮票。 构成:制造三维纳米结构的方法包括:在薄膜或基底的上部形成感光金属 - 有机前体层或压印树脂层的步骤; 通过第一印记印模对感光金属 - 有机前体层或压印树脂层加压并形成第一树脂图案层或第一金属氧化物薄膜图案层的步骤; 通过第二印记印模对第一树脂图案层或第一金属氧化物薄膜图案层进行加压并形成第二树脂图案层或第二金属氧化物薄膜图案层的步骤; 以及形成具有不同种类的线宽和图案形状的树脂图案层或金属氧化物薄膜图案层的步骤。

    나노 임프린트를 이용한 패턴 형성 방법
    85.
    发明授权
    나노 임프린트를 이용한 패턴 형성 방법 有权
    使用纳米压印法形成图案的方法

    公开(公告)号:KR101270499B1

    公开(公告)日:2013-06-03

    申请号:KR1020100115397

    申请日:2010-11-19

    Abstract: 하나의 패턴 안에서 선폭이 변화하는 모양으로 패턴을 형성하는 보다 간단한 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 패턴 형성 방법에서는, 금속 원소에 빛과 열 중 적어도 어느 하나에 의하여 분해 가능한 유기물 리간드가 결합하여 이루어진 금속-유기물 전구체 조성물을 피식각층에 코팅한다. 요철 구조가 패턴된 몰드를 준비한 다음, 상기 몰드로 상기 금속-유기물 전구체 조성물을 가압한다. 상기 가압된 금속-유기물 전구체 조성물에 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사하여 경화된 제1 금속 산화 박막 패턴을 형성한다. 상기 몰드를 상기 제1 금속 산화 박막 패턴으로부터 제거한 후, 상기 제1 금속 산화 박막 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 피식각층 일부를 식각한다. 상기 제1 금속 산화 박막 패턴을 가열하거나 마이크로웨이브(Microwave), X-선, 감마선 또는 자외선을 조사하거나 플라즈마 처리하여 상기 제1 금속 산화 박막 패턴 크기를 변경시켜 제2 금속 산화 박막 패턴을 형성한다. 상기 제2 금속 산화 박막 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 피식각층을 식각한다.

    임프린트 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법
    86.
    发明公开
    임프린트 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법 有权
    形成使用印迹的石墨图案的方法

    公开(公告)号:KR1020110136340A

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:KR1020100056267

    申请日:2010-06-15

    Abstract: PURPOSE: A method for forming a graphene pattern using an imprinting technique is provided to easily adjust the thickness of transferred graphene by adjusting the strength of a voltage if a graphene transferring process is implemented based on an electronic filed. CONSTITUTION: An imprint stamp(210), in which a pattern(205) is formed on a master substrate(200), is prepared. A metal film(220) containing a graphitization catalyst is formed on the imprint stamp. Graphene(230) is formed on the imprint stamp. The graphene is transferred to a substrate(240) for manufacturing devices in order to form a graphene pattern. The graphitization catalyst is one or more selected from Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, and Zr.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用压印技术形成石墨烯图案的方法,以便通过基于电子场来实现石墨烯转印处理,通过调节电压的强度来容易地调节转印石墨烯的厚度。 构成:准备在母板(200)上形成有图案(205)的压印印模(210)。 在压印印模上形成含有石墨化催化剂的金属膜(220)。 石墨烯(230)形成在印记上。 将石墨烯转移到用于制造器件的衬底(240)以形成石墨烯图案。 石墨化催化剂是选自Ni,Co,Fe,Pt,Au,Al,Cr,Cu,Mg,Mn,Mo,Rh,Si,Ta,Ti,W,U,V和Zr中的一种或多种。

    임프린트 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성방법
    87.
    发明公开
    임프린트 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성방법 有权
    形成使用印迹的石墨图案的方法

    公开(公告)号:KR1020110054386A

    公开(公告)日:2011-05-25

    申请号:KR1020090111008

    申请日:2009-11-17

    CPC classification number: G03F7/0002 B29C59/022 H01L21/0332

    Abstract: PURPOSE: A method for forming a graphene using an imprint method is provided to prevent metal contamination by omitting a graphite catalyst through an etching process. CONSTITUTION: A patterned imprint stamp(210) is manufactured. The imprint stamp is made of graphite catalyst. A graphene(220) is formed by supplying and processing vapor carbon supply source to the imprint stamp thermally. The graphene formed on the imprint stamp is transferred on the substrate by using the imprint method. A graphene pattern(240) is formed on the substrate for manufacturing a device.

    Abstract translation: 目的:提供使用压印方法形成石墨烯的方法,以通过蚀刻工艺省略石墨催化剂来防止金属污染。 构成:制作图案印记印章(210)。 印记邮票由石墨催化剂制成。 石墨烯(220)是通过向压印印模热供应和处理蒸气碳源而形成的。 在压印上形成的石墨烯通过使用压印方法在基板上转印。 在用于制造器件的衬底上形成石墨烯图案(240)。

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