Abstract:
A fabrication method of an oxide semiconductor thin film transistor is provided to control excess on the surface of a channel easily by process the surface of the channel with a wet oxidizer. An oxide semiconductor channel(22a), a source electrode(23a) and a drain electrode(23b) connected to the both sides of channel layer are formed on a substrate(10). The surface of a channel is oxidized by contacting an oxide material on the channel surface. The oxide material is one of a liquid oxidizer and SAM(Self Assembled Monolayer) on the channel surface.
Abstract:
A ZnO system thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve the electrical characteristic by suppressing the damage caused by the plasma effectively. A ZnO system thin film transistor comprises the substrate(10), the channel layer(22), the gate(20), the gate isolation layer(21), the source and drain electrodes(23a, 23b), and the passivation layer(24). The channel layer is formed on substrate. The channel layer comprises the multi laminated ZnO system unit semiconductor layer. The gate is built between the substrate and the channel layer. The gate isolation layer is prepared between the channel layer and the gate. The source and drain electrodes are prepared at both sides of the channel layer. The passivation layer covers the channel layer, source and drain electrodes. The upper most layer of the channel layer contains the ZnO with the concentration lower than the layer which is under the upper most layer.
Abstract:
A method for manufacturing a polycrystalline silicon thin film is provided to improve throughput of a semiconductor device by forming a large sized polycrystalline silicon thin film on a thermally fragile substrate. A polycrystalline silicon thin film is formed on a substrate(10) by using a vapor deposition process at a vapor atmosphere of a silane source(12) containing silane radicals(14). At a first deposition atmosphere(100), a pressure is at between 22 mT and 100 mT and a silane source amount is adjusted to be 5 sccm and 30 sccm. Silane radicals are guided to collide with each other, such that silicon seed particles(20) are formed on the substrate. At a second deposition atmosphere, a pressure is at between 1 mT and 15 mT and a silane source amount is adjusted to be 1 sccm and 13 sccm. The silicon seed particles are grown on the substrate to form the polycrystalline silicon thin film.
Abstract:
A driving device for an unit pixel of an organic light emitting display and a method for manufacturing the same are provided to improve reliability and production yield by forming each channel of a switching transistor and a driving transistor in one process simultaneously. A driving device for an unit pixel of an organic light emitting display includes a switching transistor(101) and a driving transistor(102) which are coupled to each other. The switching transistor has a first dual channel layer(27a), a first gate electrode(20). The first dual channel has a first amorphous silicon layer(24a) and a first poly-crystal silicon layer(26a) which are sequentially stacked. The first gate electrode is formed on a lower part of the first dual channel layer, and is a counter part of the first amorphous silicon layer. The driving transistor has a second dual channel layer(27b), a second gate electrode(60). The second dual channel has a second amorphous silicon layer(24b) and a second poly-crystal silicon layer(26b) which are sequentially stacked. The second gate electrode is formed on a lower part of the second dual channel layer, and is a counter part of the second amorphous silicon layer.
Abstract:
A degassing method of a thin layer and a manufacturing method of a silicon thin film using the same are provided to improve reliability by reducing effectively the amount of impurities within the silicon thin film. A degassing method includes a process for removing residual impurity gas from a thin film(3) formed with a predetermined material by applying microwaves of a predetermined frequency for inducing resonance of gas particles to the thin film, in order to remove the impurity gas from the thin film. The thin film is formed with a silicon thin film. A wavelength of the microwaves has a value of a range of 1mm to 1m. The frequency of the microwave corresponds to a natural frequency of the gas particles. A manufacturing method of the silicon thin film includes a process for forming the silicon thin film on a substrate(1) and a process for removing the residual gas from the silicon thin film by applying the microwaves to the silicon thin film.
Abstract:
본 발명은 모바일 애드 혹 네트워크 환경의 푸시 투 토크 서비스 방법 및 이를 이용한 통신 장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 모바일 애드 혹 네트워크 환경의 푸시 투 토크 서비스 방법은 푸시 투 토크 서비스를 위한 세션에 참여하는 무선 통신 장치에게 발언권 관리자가 세션에서 탈퇴할 경우 새로운 발언권 관리자로 설정될 수 있는 무선 통신 장치들의 우선 순위에 관한 정보를 송신하는 단계, 무선 통신 장치로부터 발언권 요청을 수신하는 단계, 및 무선 통신 장치가 소정의 발언권 부여 조건을 만족하는 무선 통신 장치인 경우 무선 통신 장치에게 발언권을 부여하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면 인프라 스트럭쳐에 기반하지 않고서도 푸시 투 토크 서비스를 이용할 수 있다. 푸시 투 토크, 애드 혹, 통신 장치
Abstract:
본 발명은 무선 네트워크 장치 및 이를 이용한 통신 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 동일 사용자가 다수의 무선 네트워크 장치를 이용할 때 무선 네트워크 장치간의 관계를 효율적으로 관리할 수 있는 무선 네트워크 장치 및 이를 이용한 통신 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 무선 네트워크 장치는 소정의 무선 네트워크내에 존재하는 무선 네트워크 장치들을 식별할 수 있는 식별 정보를 생성하고, 상기 생성된 식별 정보를 무선 네트워크 장치들에게 전송하는 식별 정보 생성부와, 상기 무선 네트워크에 존재하는 다른 무선 네트워크 장치로부터 생성된 식별 정보를 수신하는 식별 정보 수신부와, 상기 수신된 식별 정보를 통해 상기 생성된 식별 정보를 갱신하는 제어부를 포함한다. 무선 네트워크, MANET
Abstract:
Provided are a plastic substrate for a display panel which is flexible, transparent and optically isotropic and is reduced in thermal deformation, its preparation method, and a resin composition for the plastic substrate. The plastic substrate comprises a thermosetting resin oligomer, an inorganic nanoparticle and 1,6-hexanediol diacrylate in a ratio of 1 : 0.8-1.2 : 0.8-1.2 by weight. Preferably the thermosetting resin oligomer is an acrylate or epoxy resin or a urethane-based acrylate resin; and the inorganic nanoparticle is a silica nanoparticle. The resin composition comprises a urethane-based acrylate oligomer; an inorganic nanoparticle; 1,6-hexanediol diacrylate; and a photoinitiator, in a ratio of 1 : 0.8-1.2 : 0.8-1.2 : 0.05-0.25 by weight.
Abstract:
양질의 다결정 실리콘 TFT의 제조 방법에 관해 개시된다. 본 발명에 따른 다결정 실리콘 TFT의 제조방법은: 기판과 기판에 피착될 실리콘 타겟 물질이 장착된 챔버 내에서, 상기 실리콘 타겟 물질에 이온빔을 조사하는 메인 고주파 유도결합 플라즈마 소스와, 상기 기판에 이온빔을 조사하는 보조 고주파 유도결합 플라즈마 소스를 이용하는 IBD(Ion Beam Deposition)에 의해 250℃의 이하의 온도에서 상기 기판에 실리콘 필름을 형성하는 단계;를 포함한다. 다결정, 바텀, 게이트, TFT
Abstract:
본 발명은 모바일 애드 혹 네트워크 환경의 푸시 투 토크 서비스 방법 및 이를 이용한 통신 장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 모바일 애드 혹 네트워크 환경의 푸시 투 토크 서비스 방법은 푸시 투 토크 서비스를 위한 세션에 참여하는 무선 통신 장치에게 발언권 관리자가 세션에서 탈퇴할 경우 새로운 발언권 관리자로 설정될 수 있는 무선 통신 장치들의 우선 순위에 관한 정보를 송신하는 단계, 무선 통신 장치로부터 발언권 요청을 수신하는 단계, 및 무선 통신 장치가 소정의 발언권 부여 조건을 만족하는 무선 통신 장치인 경우 무선 통신 장치에게 발언권을 부여하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면 인프라 스트럭쳐에 기반하지 않고서도 푸시 투 토크 서비스를 이용할 수 있다. 푸시 투 토크, 애드 혹, 통신 장치