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公开(公告)号：KR1020090056590A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：KR1020070123809
申请日：2007-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02614 , H01L21/02631 , H01L21/02233
Abstract: A fabrication method of an oxide semiconductor thin film transistor is provided to control excess on the surface of a channel easily by process the surface of the channel with a wet oxidizer. An oxide semiconductor channel(22a), a source electrode(23a) and a drain electrode(23b) connected to the both sides of channel layer are formed on a substrate(10). The surface of a channel is oxidized by contacting an oxide material on the channel surface. The oxide material is one of a liquid oxidizer and SAM(Self Assembled Monolayer) on the channel surface.
Abstract translation: 提供氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法，通过用湿氧化剂处理通道的表面，容易地控制通道表面上的过量。 在基板（10）上形成氧化物半导体沟道（22a），连接到沟道层两侧的源电极（23a）和漏电极（23b）。 通道的表面通过在通道表面上接触氧化物材料而被氧化。 氧化物材料是通道表面上的液体氧化剂和SAM（自组装单层）之一。
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公开(公告)号：KR1020080104860A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：KR1020070052226
申请日：2007-05-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L29/7869
Abstract: A ZnO system thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve the electrical characteristic by suppressing the damage caused by the plasma effectively. A ZnO system thin film transistor comprises the substrate(10), the channel layer(22), the gate(20), the gate isolation layer(21), the source and drain electrodes(23a, 23b), and the passivation layer(24). The channel layer is formed on substrate. The channel layer comprises the multi laminated ZnO system unit semiconductor layer. The gate is built between the substrate and the channel layer. The gate isolation layer is prepared between the channel layer and the gate. The source and drain electrodes are prepared at both sides of the channel layer. The passivation layer covers the channel layer, source and drain electrodes. The upper most layer of the channel layer contains the ZnO with the concentration lower than the layer which is under the upper most layer.
Abstract translation: 提供一种ZnO系薄膜晶体管及其制造方法，能够有效地抑制等离子体的损伤来提高电气特性。 ZnO系薄膜晶体管包括衬底（10），沟道层（22），栅极（20），栅极隔离层（21），源极和漏极（23a，23b）和钝化层 24）。 沟道层形成在衬底上。 沟道层包括多层叠ZnO系单位半导体层。 栅极构建在衬底和沟道层之间。 在沟道层和栅极之间制备栅极隔离层。 源极和漏极准备在沟道层的两侧。 钝化层覆盖沟道层，源极和漏极。 沟道层的最上层含有浓度低于最上层的ZnO的ZnO。
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公开(公告)号：KR1020080073142A
公开(公告)日：2008-08-08
申请号：KR1020070011794
申请日：2007-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02422 , H01L21/02595 , H01L21/0262
Abstract: A method for manufacturing a polycrystalline silicon thin film is provided to improve throughput of a semiconductor device by forming a large sized polycrystalline silicon thin film on a thermally fragile substrate. A polycrystalline silicon thin film is formed on a substrate(10) by using a vapor deposition process at a vapor atmosphere of a silane source(12) containing silane radicals(14). At a first deposition atmosphere(100), a pressure is at between 22 mT and 100 mT and a silane source amount is adjusted to be 5 sccm and 30 sccm. Silane radicals are guided to collide with each other, such that silicon seed particles(20) are formed on the substrate. At a second deposition atmosphere, a pressure is at between 1 mT and 15 mT and a silane source amount is adjusted to be 1 sccm and 13 sccm. The silicon seed particles are grown on the substrate to form the polycrystalline silicon thin film.
Abstract translation: 提供一种制造多晶硅薄膜的方法，以通过在热脆性基板上形成大尺寸多晶硅薄膜来提高半导体器件的生产能力。 通过在含有硅烷自由基（14）的硅烷源（12）的蒸气气氛下进行气相沉积工艺，在基板（10）上形成多晶硅薄膜。 在第一沉积气氛（100）下，压力在22mT至100mT之间，硅烷源量调整为5sccm和30sccm。 引导硅烷基彼此碰撞，使得硅基颗粒（20）形成在基底上。 在第二沉积气氛下，压力在1mT至15mT之间，硅烷源量调节为1sccm和13sccm。 硅基颗粒在衬底上生长以形成多晶硅薄膜。
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公开(公告)号：KR1020080046508A
公开(公告)日：2008-05-27
申请号：KR1020060116057
申请日：2006-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/1251 , H01L27/1214 , H01L27/1229 , H01L27/3244 , H01L29/04 , H01L29/78696
Abstract: A driving device for an unit pixel of an organic light emitting display and a method for manufacturing the same are provided to improve reliability and production yield by forming each channel of a switching transistor and a driving transistor in one process simultaneously. A driving device for an unit pixel of an organic light emitting display includes a switching transistor(101) and a driving transistor(102) which are coupled to each other. The switching transistor has a first dual channel layer(27a), a first gate electrode(20). The first dual channel has a first amorphous silicon layer(24a) and a first poly-crystal silicon layer(26a) which are sequentially stacked. The first gate electrode is formed on a lower part of the first dual channel layer, and is a counter part of the first amorphous silicon layer. The driving transistor has a second dual channel layer(27b), a second gate electrode(60). The second dual channel has a second amorphous silicon layer(24b) and a second poly-crystal silicon layer(26b) which are sequentially stacked. The second gate electrode is formed on a lower part of the second dual channel layer, and is a counter part of the second amorphous silicon layer.
Abstract translation: 提供有机发光显示器的单位像素的驱动装置及其制造方法，以通过同时在一个处理中形成开关晶体管和驱动晶体管的每个沟道来提高可靠性和生产率。 有机发光显示器的单位像素的驱动装置包括彼此耦合的开关晶体管（101）和驱动晶体管（102）。 开关晶体管具有第一双沟道层（27a），第一栅电极（20）。 第一双通道具有依次层叠的第一非晶硅层（24a）和第一多晶硅层（26a）。 第一栅电极形成在第一双沟道层的下部，并且是第一非晶硅层的对置部分。 驱动晶体管具有第二双沟道层（27b），第二栅电极（60）。 第二双通道具有依次层叠的第二非晶硅层（24b）和第二多晶硅层（26b）。 第二栅电极形成在第二双沟道层的下部，并且是第二非晶硅层的对置部分。
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公开(公告)号：KR1020070110683A
公开(公告)日：2007-11-20
申请号：KR1020060043463
申请日：2006-05-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/3221 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02667
Abstract: A degassing method of a thin layer and a manufacturing method of a silicon thin film using the same are provided to improve reliability by reducing effectively the amount of impurities within the silicon thin film. A degassing method includes a process for removing residual impurity gas from a thin film(3) formed with a predetermined material by applying microwaves of a predetermined frequency for inducing resonance of gas particles to the thin film, in order to remove the impurity gas from the thin film. The thin film is formed with a silicon thin film. A wavelength of the microwaves has a value of a range of 1mm to 1m. The frequency of the microwave corresponds to a natural frequency of the gas particles. A manufacturing method of the silicon thin film includes a process for forming the silicon thin film on a substrate(1) and a process for removing the residual gas from the silicon thin film by applying the microwaves to the silicon thin film.
Abstract translation: 提供薄层的脱气方法和使用其的硅薄膜的制造方法，以通过有效地减少硅薄膜内的杂质的量来提高可靠性。 脱气方法包括通过施加预定频率的微波来引起气体颗粒与薄膜的共振来从由预定材料形成的薄膜（3）中除去残余杂质气体的方法，以便从 薄膜。 该薄膜由硅薄膜形成。 微波的波长的值为1mm〜1μm的范围。 微波的频率对应于气体颗粒的固有频率。 硅薄膜的制造方法包括在基板（1）上形成硅薄膜的工艺以及通过向硅薄膜施加微波来从硅薄膜除去残留气体的工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100703737B1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：KR1020050006815
申请日：2005-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L12/28
Abstract: 본 발명은 모바일 애드 혹 네트워크 환경의 푸시 투 토크 서비스 방법 및 이를 이용한 통신 장치에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 모바일 애드 혹 네트워크 환경의 푸시 투 토크 서비스 방법은 푸시 투 토크 서비스를 위한 세션에 참여하는 무선 통신 장치에게 발언권 관리자가 세션에서 탈퇴할 경우 새로운 발언권 관리자로 설정될 수 있는 무선 통신 장치들의 우선 순위에 관한 정보를 송신하는 단계, 무선 통신 장치로부터 발언권 요청을 수신하는 단계, 및 무선 통신 장치가 소정의 발언권 부여 조건을 만족하는 무선 통신 장치인 경우 무선 통신 장치에게 발언권을 부여하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면 인프라 스트럭쳐에 기반하지 않고서도 푸시 투 토크 서비스를 이용할 수 있다.
푸시 투 토크, 애드 혹, 통신 장치-
公开(公告)号：KR100703730B1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：KR1020050002584
申请日：2005-01-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L12/28
Abstract: 본 발명은 무선 네트워크 장치 및 이를 이용한 통신 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 동일 사용자가 다수의 무선 네트워크 장치를 이용할 때 무선 네트워크 장치간의 관계를 효율적으로 관리할 수 있는 무선 네트워크 장치 및 이를 이용한 통신 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 무선 네트워크 장치는 소정의 무선 네트워크내에 존재하는 무선 네트워크 장치들을 식별할 수 있는 식별 정보를 생성하고, 상기 생성된 식별 정보를 무선 네트워크 장치들에게 전송하는 식별 정보 생성부와, 상기 무선 네트워크에 존재하는 다른 무선 네트워크 장치로부터 생성된 식별 정보를 수신하는 식별 정보 수신부와, 상기 수신된 식별 정보를 통해 상기 생성된 식별 정보를 갱신하는 제어부를 포함한다.
무선 네트워크, MANET-
公开(公告)号：KR1020060112451A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：KR1020050034915
申请日：2005-04-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02F1/133305 , B82Y30/00 , C08F222/1006 , C08K3/36 , C08K2201/011 , H01J5/02 , H01J9/241 , H01J2217/49264 , H01J2329/8615
Abstract: Provided are a plastic substrate for a display panel which is flexible, transparent and optically isotropic and is reduced in thermal deformation, its preparation method, and a resin composition for the plastic substrate. The plastic substrate comprises a thermosetting resin oligomer, an inorganic nanoparticle and 1,6-hexanediol diacrylate in a ratio of 1 : 0.8-1.2 : 0.8-1.2 by weight. Preferably the thermosetting resin oligomer is an acrylate or epoxy resin or a urethane-based acrylate resin; and the inorganic nanoparticle is a silica nanoparticle. The resin composition comprises a urethane-based acrylate oligomer; an inorganic nanoparticle; 1,6-hexanediol diacrylate; and a photoinitiator, in a ratio of 1 : 0.8-1.2 : 0.8-1.2 : 0.05-0.25 by weight.
Abstract translation: 提供一种用于显示面板的塑料基板，其具有柔性，透明和光学各向同性并且减少热变形，其制备方法和用于塑料基板的树脂组合物。 塑料基材包含按重量比为1:0.8-1.2:0.8-1.2的热固性树脂低聚物，无机纳米颗粒和1,6-己二醇二丙烯酸酯。 优选地，热固性树脂低聚物是丙烯酸酯或环氧树脂或氨基甲酸酯基丙烯酸酯树脂; 无机纳米粒子是二氧化硅纳米粒子。 树脂组合物包含氨基甲酸酯基丙烯酸酯低聚物; 无机纳米颗粒; 1,6-己二醇二丙烯酸酯; 和光引发剂，其比例为1:0.8-1.2:0.8-1.2:0.05-0.25重量比。
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公开(公告)号：KR100612868B1
公开(公告)日：2006-08-14
申请号：KR1020040090495
申请日：2004-11-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20 , H01L21/203
CPC classification number: H01L29/66765 , C23C14/3464 , C23C14/46 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02631
Abstract: 양질의 다결정 실리콘 TFT의 제조 방법에 관해 개시된다. 본 발명에 따른 다결정 실리콘 TFT의 제조방법은: 기판과 기판에 피착될 실리콘 타겟 물질이 장착된 챔버 내에서, 상기 실리콘 타겟 물질에 이온빔을 조사하는 메인 고주파 유도결합 플라즈마 소스와, 상기 기판에 이온빔을 조사하는 보조 고주파 유도결합 플라즈마 소스를 이용하는 IBD(Ion Beam Deposition)에 의해 250℃의 이하의 온도에서 상기 기판에 실리콘 필름을 형성하는 단계;를 포함한다.
다결정, 바텀, 게이트, TFTAbstract translation: 公开了一种在衬底上制备半导体膜的方法。 该方法包括在沉积室中布置绝缘衬底，并使用离子束沉积将半导体膜沉积到绝缘衬底上，其中沉积期间绝缘衬底的温度不超过250℃。该方法可以产生薄膜晶体管 。 所公开的离子束沉积方法在较低温度和低杂质下形成具有所需光滑度和晶粒尺寸的膜形态。 能够在诸如塑料柔性基底的低熔点基底上沉积半导体膜。
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公开(公告)号：KR1020060085862A
公开(公告)日：2006-07-28
申请号：KR1020050006815
申请日：2005-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L12/28
Abstract: 본 발명은 모바일 애드 혹 네트워크 환경의 푸시 투 토크 서비스 방법 및 이를 이용한 통신 장치에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 모바일 애드 혹 네트워크 환경의 푸시 투 토크 서비스 방법은 푸시 투 토크 서비스를 위한 세션에 참여하는 무선 통신 장치에게 발언권 관리자가 세션에서 탈퇴할 경우 새로운 발언권 관리자로 설정될 수 있는 무선 통신 장치들의 우선 순위에 관한 정보를 송신하는 단계, 무선 통신 장치로부터 발언권 요청을 수신하는 단계, 및 무선 통신 장치가 소정의 발언권 부여 조건을 만족하는 무선 통신 장치인 경우 무선 통신 장치에게 발언권을 부여하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면 인프라 스트럭쳐에 기반하지 않고서도 푸시 투 토크 서비스를 이용할 수 있다.
푸시 투 토크, 애드 혹, 통신 장치
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