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公开(公告)号:KR1020160142193A
公开(公告)日:2016-12-12
申请号:KR1020150078239
申请日:2015-06-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L31/0264 , H01L31/028 , H01L31/032 , H01L31/035218 , H01L31/036 , H01L31/112 , H01L31/18 , Y02E10/547
Abstract: 2D 물질을포함하는광학소자와그 제조방법에관해개시되어있다. 개시된광학소자는하부채널층상에형성된배리어적층물과, 상기배리어적층물상에형성된상부채널층과, 상기하부채널층에연결된드레인전극과, 상기기판상에형성된소스전극을포함하고, 상기배리어적층물은제1 배리어층과, 상기제1 배리어층상에구비된배리어층을포함하고, 상기제1 배리어층과상기제2 배리어층사이에상기소스전극에연결된채널부를포함한다. 상기배리어적층물은상기제2 배리어층상에적어도 1개이상의배리어층을더 포함하고, 상기배리어적층물에포함된배리어층들사이에상기드레인전극에연결되는채널층과상기소스전극에연결되는채널부가교번적층될수 있다.
Abstract translation: 提供了包括二维材料的光学装置及其制造方法。 光学器件可以包括形成在底部沟道层上的势垒堆叠,形成在势垒堆叠上的顶部沟道层,连接到底部沟道层的漏电极,形成在衬底上的源电极。 势垒堆叠可以包括两个或更多个阻挡层,以及至少部分地插入阻挡层之间的一个或多个沟道单元。 连接到漏电极的通道单元和连接到源极的通道单元可以以交替的顺序形成在阻挡叠层中包括的阻挡层之间。 阻挡层可以各自具有小于在复合之前由光吸收产生的电子和空穴行进的距离的厚度。 结果,光学装置可以提供改善的光分离效率。
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公开(公告)号:KR1020160129608A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:KR1020150062010
申请日:2015-04-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/1606 , H01L29/66045 , H01L29/66477 , H01L29/78603 , H01L29/78684
Abstract: 그래핀을포함한 2D 물질을사용한유연소자및 그제조방법이개시된다. 개시된유연소자제조방법은제2 기판상에유전체층을형성하는단계; 상기유전체층상에 2D 물질층을형성하고, 상기 2D 물질층에패턴을형성하는단계; 상기유전체층및 상기 2D 물질층상에유연성물질을포함하는제1 기판을형성하는단계; 상기제2 기판을제거하는단계; 및상기유전체층상에소스전극, 드레인전극및 게이트전극을형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 一种制造包括诸如石墨烯的二维(2D)材料的柔性器件的方法包括在第一衬底上形成电介质层,在电介质层上形成二维(2D)材料层; 在所述2D材料层中形成图案,在所述介电层和所述2D材料层上形成第二基板,所述第一基板包括柔性材料,去除所述第一基板,以及形成源电极,漏电极和栅电极 在介电层上。
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公开(公告)号:KR1020160120057A
公开(公告)日:2016-10-17
申请号:KR1020150049075
申请日:2015-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/78681 , H01L21/467 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/778 , H01L29/78696
Abstract: 2차원물질을이용한전자소자및 그제조방법이개시된다. 개시된전자소자는밴드갭을갖는 2차원물질층을포함할수 있다. 여기서, 2차원물질층은 2개의다층 2차원물질영역과그 사이에배치된채널영역을포함할수 있다. 전자소자의전극은다층 2차원물질영역에전기적으로접촉할수 있다.
Abstract translation: 电子设备包括具有带隙的2D材料层。 2D材料层包括两个多层2D材料区域和它们之间的沟道区域。 第一电极电接触所述多层2D材料区域中的一个,并且第二电极与所述多层2D材料区域中的另一个电接触。
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85.스캐닝 프로브 현미경을 사용하여 시료의 표면을 분석하는 방법 및 그를 위한 스캐닝 프로브 현미경 审中-实审
Title translation: 使用扫描探针显微镜和扫描探针显微镜分析样品表面的方法公开(公告)号:KR1020160070627A
公开(公告)日:2016-06-20
申请号:KR1020140177823
申请日:2014-12-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01Q20/02 , C12N11/06 , C12Q1/10 , G01N33/54373 , G01Q60/42 , G01Q70/06 , G01Q60/26 , G01B21/30 , Y10S977/863
Abstract: 세포가부착된프로브를포함한스캐닝프로브현미경을사용하여시료의표면을분석하는방법및 그를위한다른양상은스캐닝프로브현미경을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种使用具有附着细胞的探针的扫描探针显微镜和扫描探针显微镜作为分析样品表面的另一方面来分析样品表面的方法。 扫描探针显微镜包括:探针; 扫描仪 和偏转传感器。
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公开(公告)号:KR1020160062568A
公开(公告)日:2016-06-02
申请号:KR1020140165501
申请日:2014-11-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N33/00 , G01N21/95 , G01N23/225 , G06T1/00 , H01J37/26 , G02B21/00 , C23C16/06 , C23C16/22 , C23C14/06
CPC classification number: C23C14/34 , C23C16/04 , C23C16/26 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/52 , C23C16/56 , G06T7/0002 , G06T2207/10056 , G06T2207/20056 , G06T2207/30144 , G06T2207/30148
Abstract: 그래핀성장분석법에관해개시되어있다. 개시된방법은기판상에 2D 물질을형성한다음, 결함을탐지하기위한물질(결함을표시하기위한물질)을 2D 물질의결함상에증착시키고, 상기탐지물질이증착된 2D 물질의이미지를획득하거나상기탐지물질의맵 좌표를획득하고, 획득한이미지나맵 좌표를처리한다. 이러한방법에서상기탐지물질은원자층증착이나화학기상증착을이용하여상기 2D 물질결함상에증착시킬수 있다. 상기탐지물질은유기물질또는무기물질일수 있다. 상기유기물질과상기무기물질은금속, 반도체또는유전체일수 있다. 상기유전체는산화물일수 있다. 상기탐지물질이증착된 2D 물질의이미지는 TEM, SEM, CD-SEM 또는 OM으로촬영하여획득할수 있다.
Abstract translation: 公开了分析石墨烯生长的方法。 所公开的方法包括以下步骤:在基板上形成二维材料(2D); 沉积用于检测2D材料的缺陷的缺陷(用于表示缺陷)的材料; 并获得其上沉积有检测材料的2D材料的图像,或者绘制检测材料的坐标,并处理所获得的图像或地图坐标。 在这种情况下,可以通过原子层沉积(ALD)方案,化学气相沉积(CVD)方案将检测材料沉积在2D材料缺陷上。 检测材料可以包括无机材料或有机材料。 检测材料层可以包括金属,半导体和电介质物质之一。 介电物质可以是氧化物。 可以通过TEM,SEM,CD-SEM或OM获得沉积有检测材料的2D材料的图像。
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公开(公告)号:KR1020160012804A
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:KR1020140095007
申请日:2014-07-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/11 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0332 , C08K3/22 , C08K3/30 , C08K3/38 , C08K5/56 , C08K2003/2255 , C08K2003/3009 , C08K2003/385 , C09D7/61 , C09D7/63 , G03F7/094 , H01L21/02112 , H01L21/02282 , H01L21/0254 , H01L21/02565 , H01L21/02568 , H01L21/02584 , H01L21/02628 , H01L21/31122 , H01L21/31144
Abstract: 이차원층상나노구조물및 그전구체로이루어진군으로부터선택된하나이상; 및용매를포함하며, 상기이차원층상나노구조물및 그전구체로이루어진군으로부터선택된하나이상의함량은하드마스크조성물 100 중량부를기준으로하여 0.01 내지 40 중량부인하드마스크조성물및 이를이용한미세패턴의형성방법을제공한다.
Abstract translation: 提供了具有优异耐蚀刻性的硬掩模组合物和使用其形成图案的方法。 硬掩模组合物包含:选自二维层状纳米结构体及其前体的一种或多种; 和溶剂,其中相对于100重量份的硬掩模组合物,选自二维层状纳米结构体及其前体的一种或多种的含量为0.01〜40重量份。
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公开(公告)号:KR1020160010217A
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:KR1020140091314
申请日:2014-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , C01B31/04
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/0895 , H01L29/24 , H01L29/267 , H01L29/41725 , H01L29/41775 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L31/028 , H01L31/113 , H01L33/04 , H01L33/26 , H01L33/34 , H01L45/04 , Y02E10/547 , H01L29/7802
Abstract: 그래핀소자와그 제조및 동작방법과그래핀소자를포함하는전자장치에관해개시되어있다. 개시된그래핀소자는다기능소자(multifunction device)일수 있다. 상기그래핀소자는그래핀층과이와접하는기능성물질층을포함할수 있다. 상기그래핀소자는스위칭소자/전자소자의구조내에메모리소자, 압전소자및 광전소자의기능중 적어도하나를가질수 있다. 상기기능성물질층은저항변화물질, 상변화물질, 강유전성물질, 다중강성(multiferroic) 물질, 다중안정성분자(multistable molecule), 압전물질, 발광물질및 광활성물질중 적어도하나를포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种石墨烯器件,其制造和操作方法,以及包括石墨烯器件的电子器件。 公开的石墨烯装置可以是多功能装置。 石墨烯装置可以包括石墨烯层和与其接触的功能材料层。 石墨烯器件可以具有在开关器件/电子器件的结构内的存储器件,压电器件和光电子器件中的至少一个的功能。 功能材料层可以包括电阻变化材料,相变材料,铁电材料,多铁性材料,多分子,压电材料,发光材料和光活性材料中的至少一种。
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89.그래핀층 상에 형성된 물질층을 포함하는 적층 구조체 및 그래핀층 상에 물질층을 형성하는 방법 审中-实审
Title translation: 在石墨层上具有材料层的堆积结构和在石墨层上形成材料层的方法公开(公告)号:KR1020150081202A
公开(公告)日:2015-07-13
申请号:KR1020140000931
申请日:2014-01-03
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01B1/04 , C23C16/0281 , C23C16/40 , C23C16/405 , C23C16/45553 , H01L29/1606 , H01L29/513 , H01L29/7781 , Y10T428/265 , Y10T428/30 , B32B9/00 , B32B38/00 , C01B32/00
Abstract: 그래핀층상에형성된물질층을포함하는적층구조체및 그래핀층상에물질층을형성하는방법이개시된다. 개시된적층구조체는그래핀층상에원자층증착법에의하여물질층을형성하고자하는경우, 그래핀층상에선형프리커서를이용하여시드층으로서의중간층을형성시킬수 있다.
Abstract translation: 在本发明中,公开了包括形成在石墨烯层上的材料层的堆叠结构和在石墨烯层上形成线性前置标记的石墨烯层上形成材料层的方法,从而形成中间层作为 当在所公开的堆叠结构中使用原子层沉积方法在石墨烯层上形成材料层时,晶种层。
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90.금속 시드층을 포함하는 박막 구조체 및 금속 시드층을 이용하여 투명 전도성 기판 상에 산화물 박막을 형성하는 방법 审中-实审
Title translation: 具有金属层的薄膜结构和使用金属层的透明导电基板上形成氧化物薄膜的方法公开(公告)号:KR1020150081150A
公开(公告)日:2015-07-13
申请号:KR1020140000837
申请日:2014-01-03
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01B1/08 , C23C14/025 , C23C14/08 , C23C16/0281 , C23C16/40 , Y10T428/265
Abstract: 금속시드층을포함하는박막구조체및 금속시드층을이용하여전도성기판상에산화물박막을형성하는방법이개시된다. 개시된박막구조체는, 투명한전도성기판과, 상기투명한전도성기판상에증착된금속시드층과, 상기금속시드층상에증착되는금속산화물층;을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种包括金属种子层的薄膜结构以及使用金属种子层在导电基底上形成氧化物薄膜的方法。 所公开的薄膜结构包括:透明导电基板; 沉积在透明导电基底上的金属籽晶层; 以及沉积在金属种子层上的金属氧化物层。
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