2D 물질을 포함하는 광학소자 및 그 제조방법
    81.
    发明公开
    2D 물질을 포함하는 광학소자 및 그 제조방법 审中-实审
    2D包括2D材料的光学装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160142193A

    公开(公告)日:2016-12-12

    申请号:KR1020150078239

    申请日:2015-06-02

    Abstract: 2D 물질을포함하는광학소자와그 제조방법에관해개시되어있다. 개시된광학소자는하부채널층상에형성된배리어적층물과, 상기배리어적층물상에형성된상부채널층과, 상기하부채널층에연결된드레인전극과, 상기기판상에형성된소스전극을포함하고, 상기배리어적층물은제1 배리어층과, 상기제1 배리어층상에구비된배리어층을포함하고, 상기제1 배리어층과상기제2 배리어층사이에상기소스전극에연결된채널부를포함한다. 상기배리어적층물은상기제2 배리어층상에적어도 1개이상의배리어층을더 포함하고, 상기배리어적층물에포함된배리어층들사이에상기드레인전극에연결되는채널층과상기소스전극에연결되는채널부가교번적층될수 있다.

    Abstract translation: 提供了包括二维材料的光学装置及其制造方法。 光学器件可以包括形成在底部沟道层上的势垒堆叠,形成在势垒堆叠上的顶部沟道层,连接到底部沟道层的漏电极,形成在衬底上的源电极。 势垒堆叠可以包括两个或更多个阻挡层,以及至少部分地插入阻挡层之间的一个或多个沟道单元。 连接到漏电极的通道单元和连接到源极的通道单元可以以交替的顺序形成在阻挡叠层中包括的阻挡层之间。 阻挡层可以各自具有小于在复合之前由光吸收产生的电子和空穴行进的距离的厚度。 结果,光学装置可以提供改善的光分离效率。

    그래핀을 포함한 2D 물질을 사용한 유연소자 및 그 제조방법
    82.
    发明公开
    그래핀을 포함한 2D 물질을 사용한 유연소자 및 그 제조방법 审中-实审
    2D柔性装置使用石墨烯和二维材料制造

    公开(公告)号:KR1020160129608A

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:KR1020150062010

    申请日:2015-04-30

    Abstract: 그래핀을포함한 2D 물질을사용한유연소자및 그제조방법이개시된다. 개시된유연소자제조방법은제2 기판상에유전체층을형성하는단계; 상기유전체층상에 2D 물질층을형성하고, 상기 2D 물질층에패턴을형성하는단계; 상기유전체층및 상기 2D 물질층상에유연성물질을포함하는제1 기판을형성하는단계; 상기제2 기판을제거하는단계; 및상기유전체층상에소스전극, 드레인전극및 게이트전극을형성하는단계를포함한다.

    Abstract translation: 一种制造包括诸如石墨烯的二维(2D)材料的柔性器件的方法包括在第一衬底上形成电介质层,在电介质层上形成二维(2D)材料层; 在所述2D材料层中形成图案,在所述介电层和所述2D材料层上形成第二基板,所述第一基板包括柔性材料,去除所述第一基板,以及形成源电极,漏电极和栅电极 在介电层上。

    마찰전기 발전기
    83.
    发明公开
    마찰전기 발전기 审中-实审
    摩擦发电机

    公开(公告)号:KR1020160125276A

    公开(公告)日:2016-10-31

    申请号:KR1020150138615

    申请日:2015-10-01

    Abstract: 1차원나노물질또는 2차원물질을이용한마찰전기발전기가개시된다. 개시된마철전기발전기에서는제1 및제2 전극이서로대향되게마련되어있으며, 제1 전극에는다른물질과의접촉에의해전기에너지를발생시키는에너지발생층이마련되어있다. 여기서, 에너지발생층은 2차원형상의결정구조를가지는 2차원물질(2D material)을포함할수 있다.

    2차원 물질 성장 분석법
    86.
    发明公开
    2차원 물질 성장 분석법 审中-实审
    分析二维材料生长的方法

    公开(公告)号:KR1020160062568A

    公开(公告)日:2016-06-02

    申请号:KR1020140165501

    申请日:2014-11-25

    Abstract: 그래핀성장분석법에관해개시되어있다. 개시된방법은기판상에 2D 물질을형성한다음, 결함을탐지하기위한물질(결함을표시하기위한물질)을 2D 물질의결함상에증착시키고, 상기탐지물질이증착된 2D 물질의이미지를획득하거나상기탐지물질의맵 좌표를획득하고, 획득한이미지나맵 좌표를처리한다. 이러한방법에서상기탐지물질은원자층증착이나화학기상증착을이용하여상기 2D 물질결함상에증착시킬수 있다. 상기탐지물질은유기물질또는무기물질일수 있다. 상기유기물질과상기무기물질은금속, 반도체또는유전체일수 있다. 상기유전체는산화물일수 있다. 상기탐지물질이증착된 2D 물질의이미지는 TEM, SEM, CD-SEM 또는 OM으로촬영하여획득할수 있다.

    Abstract translation: 公开了分析石墨烯生长的方法。 所公开的方法包括以下步骤:在基板上形成二维材料(2D); 沉积用于检测2D材料的缺陷的缺陷(用于表示缺陷)的材料; 并获得其上沉积有检测材料的2D材料的图像,或者绘制检测材料的坐标,并处理所获得的图像或地图坐标。 在这种情况下,可以通过原子层沉积(ALD)方案,化学气相沉积(CVD)方案将检测材料沉积在2D材料缺陷上。 检测材料可以包括无机材料或有机材料。 检测材料层可以包括金属,半导体和电介质物质之一。 介电物质可以是氧化物。 可以通过TEM,SEM,CD-SEM或OM获得沉积有检测材料的2D材料的图像。

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