-
公开(公告)号：KR101040956B1
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：KR1020090016542
申请日：2009-02-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/0445 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 나노와이어를 이용한 박막 실리콘 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판의 상부에 산화아연 시드층(ZnO seed layer)을 형성하고, 산화아연 시드층을 열처리 하고, 열처리된 산화아연 시드층을 수용액에 넣어 복수의 산화아연 나노와이어(ZnO nanowire)를 성장시키고, 산화아연 나노와이어를 포함하여 산화아연 시드층 위에 박막 실리콘을 형성하고, 산화아연 시드층 및 박막 실리콘 위에 전극을 형성하는 나노와이어를 이용한 박막 실리콘 태양전지 및 그의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 수용액 상태에서 성장시킨 산화아연 나노와이어를 투명전극으로 활용하여 단위면적당 셀의 유효면적을 크게 할 수 있고, 입사된 태양광을 보다 효율적으로 산란시킬 수 있어 태양전지의 효율을 개선할 수 있다.
산화아연 시드층, 산화아연 나노와이어, 박막 실리콘, 태양전지-
公开(公告)号：KR1020090012771A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：KR1020070076899
申请日：2007-07-31
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R31/2891
Abstract: An aligner for the probe pin is provided to extend the lifetime of the probe pin by limiting the movement of the probe pin. An aligner for the probe pin comprises an upper plate(520) and a lower plate(510). The upper plate has the upper slit(522) and a groove(524). The upper slit is positioned at one side surface of the upper plate and limits the movement of the probe pin. The groove of the upper plate is positioned at the other side surface of the upper plate and unites with the lower plate. The lower plate has the protrusion(516), the low slit(512) and a groove(514). The protrusion is the unit for uniting with the upper plate.
Abstract translation: 提供探针的对准器，以通过限制探针的移动来延长探针寿命。 用于探针的对准器包括上板（520）和下板（510）。 上板具有上缝隙（522）和凹槽（524）。 上狭缝位于上板的一个侧面，限制探针的移动。 上板的槽位于上板的另一侧表面，与下板相连。 下板具有突起（516），低缝（512）和凹槽（514）。 突起是与上板结合的单元。
-
公开(公告)号：KR1020080105264A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：KR1020070052620
申请日：2007-05-30
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01R1/067 , G01R1/06755 , G01R3/00 , G01R31/2601
Abstract: The insulating method of the probe for the probe card using the glass ink coating is provided to obtain the excellent insulating property by coating the glass ink on the probe for the probe card. The method for insulating the probe for the probe card comprises as follows. A step is for making the probe(100) in the plating or the etching process. The step is for performing coating using the glass ink(110) after probe is cleaned. The step is for polishing both ends of the coated probe and being inserted into the probe unit. A step is for connecting the probe unit to the PCB circuit part after fixing epoxy probe.
Abstract translation: 提供使用玻璃油墨涂层的探针卡的探针的绝缘方法，以通过在探针卡的探针上涂覆玻璃墨来获得优异的绝缘性。 探针卡的探头绝缘方法如下。 步骤是在电镀或蚀刻工艺中制造探针（100）。 该步骤是在探针清洁之后使用玻璃油墨（110）进行涂覆。 该步骤用于抛光涂覆的探针的两端并插入探针单元中。 固定环氧树脂探头后，将探针单元连接到PCB电路部分。
-
公开(公告)号：KR100849391B1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：KR1020050063670
申请日：2005-07-14
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 읽기/쓰기가 가능한 원자력 현미경 캔틸레버에 관한 것으로, 보다 자세하게는 원자력 현미경 캔틸레버에 MOSFET를 내장시켜 정보의 읽기/쓰기가 가능한 원자력 현미경 캔틸레버를 제조하기 위한 것이다.
본 발명의 읽기/쓰기가 가능한 원자력 현미경 캔틸레버는 금속층, 제1 실리콘층, 산화막 및 제2 실리콘층이 순차적으로 적층된 캔틸레버 지지부; 상기 캔틸레버 지지부의 제2 실리콘층만이 연장되어 형성된 캔틸레버 아암부; 상기 캔틸레버 아암부의 제2 실리콘층에 형성된 탐침; 상기 탐침의 하부에 형성된 채널; 상기 탐침의 중심부로부터 소정 거리만큼 이격된 양 측면에 형성된 소스/드레인; 및 상기 소스/드레인 사이에 형성된 게이트로 구성됨에 기술적 특징이 있다.
캔틸레버, 탐침, 읽기/쓰기, MOSFET-
公开(公告)号：KR1020080030204A
公开(公告)日：2008-04-04
申请号：KR1020060095970
申请日：2006-09-29
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R3/00 , G01R1/07307 , G01R31/2601
Abstract: A method for manufacturing a probe structure for a probe card is provided to simplify the process for manufacturing the probe structure, and improve wear resistance by enhancing surface roughness of the structure. A method for manufacturing a probe structure(120) for a probe card by using electroless plating method comprises the steps of: forming a probe structure by coating photoresist on a conductive substrate, forming a probe structure pattern on the photoresist, plating the probe structure pattern, removing the photoresist, and separating the probe structure from the conductive substrate; electrolessly plating the probe structure; and assembling the electrolessly-plated probe structure with a probe unit(130).
Abstract translation: 提供了用于制造探针卡的探针结构的方法，以简化探针结构的制造工艺，并且通过提高结构的表面粗糙度来提高耐磨性。 通过使用无电镀方法制造用于探针卡的探针结构（120）的方法包括以下步骤：通过在导电衬底上涂覆光致抗蚀剂形成探针结构，在光致抗蚀剂上形成探针结构图案，将探针结构图案 去除光致抗蚀剂，并将探针结构与导电基片分开; 化学电镀探针结构; 以及用探针单元（130）组装无电镀探针结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070004158A
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020050059519
申请日：2005-07-04
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G11B7/2433 , G11B7/004
Abstract: A recording medium of a probe type information storing apparatus, a recording method, a reproducing method, and an erasing method are provided to significantly raise the recording density by additively forming a metal-insulator phase change thin film on a phase change thin film. A lower electrode(110) is positioned on a silicon substrate(100). A phase change thin film(120) is positioned on the lower electrode(110), wherein the phase change thin film(120) has a crystalline state. A metal-insulator phase change thin film(130) is positioned on the phase change thin film(120). The lower electrode(110) is formed of any one of Pt, Au, and an amorphous carbon thin film.
Abstract translation: 提供探针型信息存储装置，记录方法，再现方法和擦除方法的记录介质，通过在相变薄膜上相加形成金属 - 绝缘体相变薄膜来显着提高记录密度。 下电极（110）位于硅衬底（100）上。 相变薄膜（120）位于下电极（110）上，其中相变薄膜（120）具有结晶状态。 金属 - 绝缘体相变薄膜（130）位于相变薄膜（120）上。 下电极（110）由Pt，Au和非晶碳薄膜中的任一种形成。
-
公开(公告)号：KR1020060011234A
公开(公告)日：2006-02-03
申请号：KR1020040059941
申请日：2004-07-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G11B9/14
Abstract: 본 발명은 탐침형 정보저장장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 외부 진동에 대한 영향을 최소화할 수 있는 휴대용 정보저장장치에 관한 것이다.
본 발명의 탐침형 정보저장장치는 탐침 어레이, 신호처리부, 매체 및 구동기로 이루어진 탐침형 정보저장장치에 있어서, 상기 탐침 어레이와 신호처리부를 외부 케이스에 연결하기 위한 탐침부 스프링 및 상기 매체와 구동기를 외부 케이스에 연결하기 위한 구동부 스프링으로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 탐침형 정보저장장치는 탐침부와 매체부 주위에 스프링을 부가함으로써, 외부 진동에 대한 영향을 최소화할 수 있어 휴대용 정보저장장치로의 사용이 가능하고, 종래의 질량 보상 방법에 비해 기록 면적을 높일 수 있는 장점이 있으며, 탐침부와 매체부 사이의 진동이 줄어들기 때문에 신호대 잡음비가 높아져 고속화 또는 대용량화가 가능한 효과가 있다.
탐침, 스프링, 저장, 매체, 구동-
公开(公告)号：KR1020050120170A
公开(公告)日：2005-12-22
申请号：KR1020040045423
申请日：2004-06-18
Abstract: 본 발명은 전도성 기판에 액상감광막(LPR)을 도포하는 단계와, 광리소그라피를 사용하여 상기 액상감광막을 노광 및 현상하여 패터닝하는 단계와, 상기 패터닝된 감광막이 테이퍼 형상을 지니도록 베이킹하는 단계와, 전주도금 (electroplating)하여 Ni 금속층을 형성하는 단계와, 상기 Ni 금속층 위에 Ni 합금층을 형성하는 단계와, 상기 Ni 금속층 및 Ni 합금층을 상기 전도성 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 Ni 전주도금법을 이용한 금속마스크 제작방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 기존의 방식으로는 구현하기 어려운 0.33 mm 피치 이하의 높은 정밀도를 가지며 동시에 표면을 강화시켜 신뢰성 향상 및 제품 수명 연장이 가능한 금속 마스크를 제작할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100501768B1
公开(公告)日：2005-07-18
申请号：KR1020020075635
申请日：2002-11-30
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 X-선 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 외부로부터 조사된 X-선을 흡수하는 X-선 흡수체가 사다리꼴 형상으로 형성되도록 X-선 마스크를 제조하여 가장 자리와 각이, 휘어지거나 처지지 않고, 날카로우면서도 선명한 V-groove형상을 시편에 패터닝할 수 있도록 한다.
이를 위해 본 발명은, 기판 상부에 스트라이프 형태로 패터닝시켜 형성한 금속층인 도금 기저막을 형성하고, 이 도금 기저막 상부에 금으로 전기 도금을 시켜 제 1 X-선 흡수체와 제 2 X-선 흡수체를 순차적으로 형성하되, 제 2 X-선 흡수체는 양측면의 상부 일부가 각기 경사진 예컨대 사다리꼴 형상으로 형성하도록 한다.-
公开(公告)号：KR1020040094460A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：KR1020030028246
申请日：2003-05-02
Applicant: 전자부품연구원
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00031 , B29C33/38 , B29C33/42 , B81C1/00444 , B81C2201/034
Abstract: PURPOSE: A micro mold for reproducing micro parts and a method for manufacturing the same are provided to achieve a mechanical characteristic superior to that of a Ni plating mold by performing Ni plating for a master mold and sequentially coating an Ni-W alloy on the Ni plating. CONSTITUTION: A method for manufacturing a micro mold includes a first process of forming an Ni master mold(200) by performing electroplating on developed and etched sections of a substrate, a second process of coating an Ni-W alloy(300a) on an upper surface of the Ni master mold(200), and a third process of removing a photoresist from the substrate. While performing the first process, current is applied through a direct current scheme, a pulse scheme, or a pulse-reverse scheme. The pulse-reverse scheme is carried out by using a plastic injection molding material.
Abstract translation: 目的：提供一种用于再现微型部件的微型模具及其制造方法，以通过对母模进行Ni镀层并在Ni上依次涂覆Ni-W合金来实现优于Ni镀覆模具的机械特性 电镀。 构成：微型模具的制造方法包括：通过在基板的显影和蚀刻部分上进行电镀来形成Ni母模（200）的第一工序，在上部涂覆Ni-W合金（300a）的第二工序 Ni母模（200）的表面，以及从基板去除光致抗蚀剂的第三工序。 在执行第一过程时，通过直流方案，脉冲方案或脉冲反向方案施加电流。 脉冲反向方案通过使用塑料注射成型材料进行。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
166
records
(took 0.034 seconds)
