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公开(公告)号：KR100447790B1
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：KR1020010076301
申请日：2001-12-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11C11/22
Abstract: PURPOSE: A write signal error protection circuit of a non destructive readout ferroelectric random access memory and a method for preventing the same are provided to effectively remove the write errors caused by a bitline charged by the write operation before the write operation by using the change of the address signal. CONSTITUTION: A write signal error protection circuit of a non destructive readout ferroelectric random access memory(NDRO-FRAM) includes a switch(30) for outputting a plurality of voltages by receiving an address signal, wherein each of the voltages has a different value each other, and a discharging nMOSFET(31) for discharging the electrical charges in the write bit line in response to the voltage.
Abstract translation: 目的：提供一种非破坏性读出铁电随机存取存储器的写入信号错误保护电路及其防止方法，以在写入操作之前通过使用改变的写入操作来有效地消除由写入操作充电的位线所引起的写入错误 地址信号。 一种非破坏性读出铁电随机存取存储器（NDRO-FRAM）的写入信号错误保护电路包括一个开关（30），用于通过接收一个地址信号输出多个电压，其中每个电压具有不同的值 其他的放电nMOSFET（31），响应于该电压，使写入位线中的电荷放电。
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公开(公告)号：KR1019990038229A
公开(公告)日：1999-06-05
申请号：KR1019970057883
申请日：1997-11-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/78 , H01L27/115
Abstract: 반도체표면에 CeO
2 /SrBi
2 Ta
2 O
9 이중막을 형성시키고 이중막의 강유전체인 SrBi
2 Ta
2 O
9 막상에 백금전극을 부착하며, 상기 CeO
2 /SrBi
2 Ta
2 O
9 /Pt의 삼중층 주위에 산화방지막을 도포하여 형성되는 게이트를, 전계효과트랜지스터의 게이트로 이용하므로서 커패시터가 필요없는 강유전체게이트를 가지는 전계효과트랜지스터(FET)기억소자를 제공한다.-
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公开(公告)号：KR1019950021468A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027657
申请日：1993-12-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/02
Abstract: 본 발명은 실리콘 반도체 기억소자 및 갈륨비소화합물 반도체 소자의 고유전체 커패시터 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판전극으로 텅스텐질화막/텅스텐막을 사용하거나 텅스텐막/백금, 텅스텐질화막/백금, 텅스텐질화막/텅스텐막/백금을 사용하고 그 위에 스퍼터링 또는 화학증착법으로 600~700℃에서 1~2시간 동안 BaTiO
3 , PbTiO
3 및 Zr, Ln, Mg, Nb 등이 첨가된 BaTiO
3 , PbTiO
3 을 증착하여 고유전체박막을 형성하는 과정으로 이루어진다.
본 발명은 종래의 고유전체 캐피시터의 구조에서 기판전극의 재료와 구성을 변화시킴으로서 고유전체 커패시터 물리·전기적 특성을 향상시킨 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019950020986A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930028840
申请日：1993-12-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 금속, 반도체, 유전체박막등을 증착할 때 램프가열 장치와 회전식 기판을 이용하여 동일 진공반응로 내에서 증착과 열처리를 연속적으로 수행할 수 있도록 한 박막제조방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명은 반응기의 일측에 설치된 램프가 열장치의 빛을 이용하여 시편의 온도를 증착에 필요한 온도에 맞춘 후 램프가열장치의 반대편에 위치하는 전구체 확산판을 통해 시편측으로 반응물질을 분사시켜 시편의 표면에 박막의 증착이 이루어지도록 한 다음 회전식 기판을 구동하여 시편을 180° 회전시킨 상태에서 램프가열장치의 빛이 박막에 직접 쪼이도록 해서 박막의 열처리를 수행하도록 구성되어 있다. 본 발명은 박막의 증착공정 및 열처리 단계가 단일 진공반응기중에서 연속적으로 수행됨에 의해 증착된 박막의 결정성과 물리적 특성의 향상이 가능하고 증착 및 열처리의 반복수해에 의한 다층구조의 박막증착이 가능하다는 장점이 있다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019930006305B1
公开(公告)日：1993-07-12
申请号：KR1019910011617
申请日：1991-07-09
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/5096 , C23C16/46
Abstract: The apparatus for forming tungsten films at low temperature, comprises 2 temp. measuring silicone wafers (5)(5') placed on a heating plate (4) together with a tungsten film-forming silicone wafer, themocouples (7)(7') contacted with grooves (5a')(5a") of the measuring wafers, and microwave field protecting tubes (6)(6') elogated to the outside and contacted with the earth.
Abstract translation: 在低温下形成钨膜的装置包括2温度。 将测量硅片（5）（5'）与成膜硅胶晶片一起放置在加热板（4）上，与测量的沟槽（5a'）（5a“）接触的电偶（7）（7'） 晶片和微波场保护管（6）（6'）（6'）延伸到外部并与地球接触。
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公开(公告)号：KR1020150042654A
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：KR1020130121591
申请日：2013-10-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 상변화메모리소자및 이의제조방법이제공되고, 본발명의일 구현예에서상변화메모리소자는기판, 상기기판위에위치하는하부전극, GeBiSbTe, GeBiSnTe, GeBiSeTe, InBiSbTe, InBiSnTe, 또는 InBiSeTe 중어느하나이상을포함하는 4원소계상변화물질층, 그리고상기 4원소계상변화물질층위에위치하는상부전극을포함할수 있다.
Abstract translation: 提供一种相变存储器件及其制造方法。 根据本发明的一个实施例，相变存储器件包括衬底，位于衬底上的底电极，包含GeBiSbTe，GeBiSnTe，GeBiSeTe，InBiSbTe，InBiSnTe或InBiSeTe的基于4元素的相变材料层 ，以及位于基于4元素的相变材料层上的顶部电极。
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公开(公告)号：KR101450858B1
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020120152563
申请日：2012-12-24
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 그래핀 산화물을 이용한 유기전계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 양극, 정공주입층, 발광층, 전자주입층 및 음극이 적층되는 유기전계 발광소자에 있어서, 상기 정공주입층 또는 전자주입층 중 하나 이상이 그래핀 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 및 이의 제조방법이 개시된다.
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