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公开(公告)号：KR100455753B1
公开(公告)日：2004-11-06
申请号：KR1020020019017
申请日：2002-04-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A thin film depositing method using pulse plasma discharge is provided to be capable of effectively transforming reaction gas into plasma by using a pulse plasma production apparatus. CONSTITUTION: After transforming reaction gas A into the first plasma using a pulse plasma production apparatus, the first thin film is deposited at the upper portion of a wafer by flowing the first plasma into a thin film depositing apparatus. Then, the first plasma is exhausted by using purge gas. After transforming reaction gas B into the second plasma, the second thin film is deposited on the first thin film. Then, the second plasma is exhausted by using the purge gas. The pulse plasma production apparatus is provided with a power supply(21), a slide transformer(22) for decreasing the voltage supplied from the power supply, a high voltage transformer(23) for increasing the voltage supplied from the slide transformer, a load(25) for generating plasma by using the voltage supplied from the high voltage transformer, and a rotating spark gap switch(24) for connecting the high voltage transformer with the load.
Abstract translation: 目的：提供一种使用脉冲等离子体放电的薄膜沉积方法，能够通过使用脉冲等离子体生产设备将反应气体有效地转化为等离子体。 组成：使用脉冲等离子体生产装置将反应气体A转化为第一等离子体后，通过使第一等离子体流入薄膜沉积装置，将第一薄膜沉积在晶片的上部。 然后，通过使用吹扫气体排出第一等离子体。 在将反应气体B转化为第二等离子体之后，将第二薄膜沉积在第一薄膜上。 然后，通过使用吹扫气体来排出第二等离子体。 脉冲等离子体生成装置具备：电源（21）;降低从电源供给的电压的滑动变压器（22）;高压变压器（23），其使从滑动变压器供给的电压升压;负载 （25），用于通过使用从高压变压器提供的电压产生等离子体;以及旋转火花隙开关（24），用于将高压变压器与负载连接。
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公开(公告)号：KR100252197B1
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019970047869
申请日：1997-09-20
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C12R1/43 , C12P17/165
Abstract: PURPOSE: Provided is prodigiosin isolated from culture broth of Serratia marcescens. The prodigiosin inhibits specifically immunogenecity of T cell and is used in immunosuppresive drug. CONSTITUTION: A Prodigiosin isolated from culture broth of Serratia marcescens B-1231 (KCTC 0386BP) is represented by the formula (I). The Prodigiosin is prepared by the following steps of: (a) cultivating Serratia marcescens B-1231 (KCTC 0386BP) in a medium comprised of soluble starch of 1%, glucose of 0.25, ammonium sulfate of 0.1%, potassium phosphate of 0.1%, magnesium sulfate- septuple crystal solution of 0.05%, calcium chloride of 0.1 %, sodium chloride of 0.3% at pH value of 7 and temperature of 28 deg.C for 62 hours; (b) mixing them with adding ethyl acetate in a same amount, thereto for 30 minutes, to obtain organic solvent layer; (c) concentrating the mixture under reduced pressure, to obtain a red material; (d) isolating and purifying an active material therefrom; and (e) purifying it by silicagel thin layer chromatography.
Abstract translation: 目的：提供从粘质沙雷氏菌的培养液中分离的天蛾素。 胎牛血清抑制T细胞的特异性免疫原性，并用于免疫抑制药物。 构成：从粘质沙雷氏菌B-1231（KCTC 0386BP）的培养肉汤中分离出的地高辛分子由式（I）表示。 Prodigiosin通过以下步骤制备：（a）在由1％的可溶性淀粉，0.25的硫酸铵，0.1％的磷酸钾，0.1％的磷酸钾组成的培养基中培养粘质沙雷氏菌B-1231（KCTC 0386BP） 0.5％硫酸镁 - 六分体晶体溶液，氯化钙0.1％，氯化钠0.3％，pH值7，温度28℃62小时; （b）将其与相同量的乙酸乙酯混合30分钟，得到有机溶剂层; （c）在减压下浓缩混合物，得到红色材料; （d）从其中分离和纯化活性物质; 和（e）通过硅胶薄层色谱纯化。
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公开(公告)号：KR1019990081594A
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019980015618
申请日：1998-04-30
IPC: A61K31/715
Abstract: 본 발명은 펠리누스속의 균주, 특히 펠리누스 린테우스 유(Phellinus linteus Yoo KCTC 0399BP)로부터 분리한 다당류 물질의 면역 항암치료제로서의 용도에 관한 것이다.
본 발명은 펠리누스 린테우스 유 균주로부터 분리한 다당류 물질이 생체내 면역기능을 매개로 하여 암전이를 억제하므로 암을 비롯한 AIDS 등 면역관련 질환의 예방, 치료 및 기초기전연구를 위한 약물로 사용할 수 있는 뛰어난 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100130631B1
公开(公告)日：1998-04-06
申请号：KR1019930027657
申请日：1993-12-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/02
Abstract: A fabrication method of ferroelectric capacitors is provided to improve the performance of capacitor by changing material of a substrate electrode. The method comprises the steps of: forming a substrate electrode composed of WN/W, W/Pt, WN/Pt. or WN/W/Pt; and forming a ferroelectric film by depositing BaTiO3 or PbTiO3 contained of Zr, Ln, Mg, Nb, BaTiO3 or PbTiO3 compound using sputtering or chemical vapor deposition at 600-700deg.C for 1-2 hours. Thereby, it is possible to improve the electric and physical characteristics of ferroelectric capacitor using the electrode made of WN/W, W/Pt, WN/Pt. or WN/W/Pt.
Abstract translation: 提供强电介质电容器的制造方法，通过改变衬底电极的材料来改善电容器的性能。 该方法包括以下步骤：形成由WN / W，W / Pt，WN / Pt组成的基板电极。 或WN / W / Pt; 并通过溅射或化学气相沉积在600-700℃下沉积Zr，Ln，Mg，Nb，BaTiO3或PbTiO3化合物中的BaTiO3或PbTiO3形成铁电薄膜1-2小时。 由此，可以使用由WN / W，W / Pt，WN / Pt构成的电极来提高强电介质电容器的电气和物理特性。 或WN / W / Pt。
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公开(公告)号：KR100715743B1
公开(公告)日：2007-05-08
申请号：KR1020060004326
申请日：2006-01-16
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 LiftLT 변환을 이용하여 영상의 크기를 변화시키는 영상 처리 시스템 및 방법에 관한 것으로, 영상에 대해 DCT(Discrete Cosine Transform)를 수행하여 다수의 DCT 계수를 형성하고, 다수의 DCT 계수를 LiftLT 계수로 변환하는 LiftLT 변환을 수행하고, LiftLT 계수에 대해 크기 감소 및/또는 증가 변환을 수행하며, 크기가 감소 및/또는 증가된 LiftLT 계수를 DCT 계수로 변환하는 영상 처리 시스템 및 방법을 제공한다.
LiftLT, DCT, 압축, 영상Abstract translation: 本发明是通过一些形式的DCT系数，多个LiftLT系数是否要改变使用LiftLT转换的图像的大小的DCT系数的图像处理系统和方法，用于图像DCT（离散余弦变换） 并且对LiftLT系数执行尺寸减小和/或增加转换，并将减小和/或增加的LiftLT系数转换为DCT系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100278928B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019980015618
申请日：1998-04-30
IPC: A61K31/715
Abstract: 본 발명은 펠리누스속의 균주, 특히 펠리누스 린테우스 유(
Phellinus linteus Yoo KCTC 0399BP)로부터 분리한 다당류 물질의 면역 항암치료제로서의 용도에 관한 것으로, 본 발명은 펠리누스 린테우스 유 균주로부터 분리한 다당류 물질이 생체내 면역기능을 매개로 하여 암전이를 억제하므로 면역관련 질환의 예방, 치료 및 기초기전연구를 위한 약물로 사용할 수 있는 뛰어난 효과가 있다.-
7.发明公开
公开(公告)号：KR1019990025976A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970047869
申请日：1997-09-20
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 세라시아 마르세센스(Serratia Marcescens)의 배양액에서 분리한 프로디지오신 (Prodigiosin)의 면역억제 물질로서의 신규한 용도에 관한 것으로 조직 및 장기이식 등의 면역억제를 필요로하는 치료분야에서의 면역억제약물로서의 이용 및 이들의 기초기전연구를 위한 면역억제 약물로서의 이용 나아가 프로디지오신의 면역억제효과를 응용한 면역학 기초연구를 위한 면역억제 시료로서의 이용에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019950021468A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027657
申请日：1993-12-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/02
Abstract: 본 발명은 실리콘 반도체 기억소자 및 갈륨비소화합물 반도체 소자의 고유전체 커패시터 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판전극으로 텅스텐질화막/텅스텐막을 사용하거나 텅스텐막/백금, 텅스텐질화막/백금, 텅스텐질화막/텅스텐막/백금을 사용하고 그 위에 스퍼터링 또는 화학증착법으로 600~700℃에서 1~2시간 동안 BaTiO
3 , PbTiO
3 및 Zr, Ln, Mg, Nb 등이 첨가된 BaTiO
3 , PbTiO
3 을 증착하여 고유전체박막을 형성하는 과정으로 이루어진다.
본 발명은 종래의 고유전체 캐피시터의 구조에서 기판전극의 재료와 구성을 변화시킴으로서 고유전체 커패시터 물리·전기적 특성을 향상시킨 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019950020986A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930028840
申请日：1993-12-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 금속, 반도체, 유전체박막등을 증착할 때 램프가열 장치와 회전식 기판을 이용하여 동일 진공반응로 내에서 증착과 열처리를 연속적으로 수행할 수 있도록 한 박막제조방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명은 반응기의 일측에 설치된 램프가 열장치의 빛을 이용하여 시편의 온도를 증착에 필요한 온도에 맞춘 후 램프가열장치의 반대편에 위치하는 전구체 확산판을 통해 시편측으로 반응물질을 분사시켜 시편의 표면에 박막의 증착이 이루어지도록 한 다음 회전식 기판을 구동하여 시편을 180° 회전시킨 상태에서 램프가열장치의 빛이 박막에 직접 쪼이도록 해서 박막의 열처리를 수행하도록 구성되어 있다. 본 발명은 박막의 증착공정 및 열처리 단계가 단일 진공반응기중에서 연속적으로 수행됨에 의해 증착된 박막의 결정성과 물리적 특성의 향상이 가능하고 증착 및 열처리의 반복수해에 의한 다층구조의 박막증착이 가능하다는 장점이 있다.
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