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公开(公告)号：KR100697723B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020040098782
申请日：2004-11-29
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브를 이용한 가스센서 제작 및 가스 감도 측정 장치를 제공하는 것에 관한 것이다.
가스센서 제작에 있어서, 가스 감지물질은 탄소나노튜브 페이스트를 제작하여 양 끝단에 전극이 형성된 기판에 스크린 인쇄(screen printing)법으로 탄소나노튜브를 도포 후 열처리공정을 거친 후 탄소나노튜브 후막을 형성하였고, 상기 제작된 후막을 탄소나노튜브 수직 배향처리 시켰다. 가스 감도 측정 장치를 이용하여 상기 제작된 수직 배향된 탄소나노튜브를 가스 흡착시켰고, 전자방출(field electron emission) 현상을 적용시켜 흡착된 가스를 탈착시켰다.
따라서, 본 발명은 기존의 반도체형 가스센서보다 단순한 공정으로 가스 감지막을 제작하여 흡착된 가스를 히터물질로 온도를 올려 탈착 시키는 것이 아니라 새로운 방법인 탄소나노튜브 전자방출 현상을 적용시켰다.
탄소나노튜브, 가스센서, 가스감도, 전자방출-
公开(公告)号：KR100594408B1
公开(公告)日：2006-06-30
申请号：KR1020040107948
申请日：2004-12-17
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 세포를 손상 없이 효율적으로 분리할 수 있는 세포 분리 장치에 관한 것으로, 특히, 초음파장 및 진행파 유전영동을 이용하여 세포의 선별 및 분리를 수행하는 초미세 세포 분리 장치에 관한 것이다.
본 발명에 의한 초음파장 및 진행파 유전영동을 이용한 세포 분리 장치에 의하면, 별도의 채널을 이용하지 않고 평면상에서 세포를 이송하므로, 채널로 인한 초음파장의 형성의 방해를 없앨 수 있으며, 세포에 대한 손상이 전혀 발생하지 않는다.
또한, 유체의 이동 없이 세포만 이동시키므로, 세포 이송 및 분리의 효율이 높다. 또한, 세포 분리 과정을 CCD 카메라 등을 통해 관찰하면서, PID 제어를 수행함으로써 보다 효과적으로 세포 분리를 할 수 있다.
또한, 본 발명에 의해 세포를 오염 물질 등으로부터 효과적으로 분리하거나 새로운 랩 온 칩(Lab On a Chip) 시스템을 생성할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100451416B1
公开(公告)日：2004-10-07
申请号：KR1020020071419
申请日：2002-11-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01J1/00
Abstract: PURPOSE: An optical system for a fluorescent measurement unit is provided to prevent light from being detected through an optical sensor by shielding light radiated from a light source using first and second shielding films. CONSTITUTION: An optical system for a fluorescent measurement unit includes a light source(110) for radiating light and a first shielding film(220) formed with an opening(221) so as to allow light radiated from the light source(110) to partially pass through the shielding film(220). A band pass filter(120) is provided to allow light having a predetermined frequency to pass through. Light passing through the first shielding film(220) and the band pass filter(120) are focused by a first lens(130). Light passing through the first lens(130) is radiated onto a test sample(172) contained in a channel(173).
Abstract translation: 目的：提供一种用于荧光测量单元的光学系统，以通过使用第一和第二屏蔽膜屏蔽从光源辐射的光来防止通过光学传感器检测到光。 用于荧光测量单元的光学系统包括用于发射光的光源（110）和形成有开口（221）的第一屏蔽膜（220），以允许从光源（110）辐射的光部分地 穿过屏蔽膜（220）。 提供带通滤波器（120）以允许具有预定频率的光通过。 穿过第一屏蔽膜（220）和带通滤波器（120）的光被第一透镜（130）聚焦。 穿过第一透镜（130）的光照射到包含在通道（173）中的测试样本（172）上。
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公开(公告)号：KR100388433B1
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：KR1020010063421
申请日：2001-10-15
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C16/0281 , Y10S977/895
Abstract: A fabrication method of metallic nanowires includes the steps of: forming a layer of autocatalytic metal with a thickness of 30 nm-1000 nm on the surface of a substrate; and forming nanowires on the front surface of the layer of autocatalytic metal, wherein the substrate is put into an evaporator and the layer of autocatalytic metal is grown by autocatalytic reaction for 10~5000 seconds. A large amount of nanowires can be grown on a substrate without a lithography process.
Abstract translation: 金属纳米线的制造方法包括以下步骤：在衬底表面上形成厚度为30nm-1000nm的自催化金属层; 以及在自催化金属层的前表面上形成纳米线，其中将基底放入蒸发器中，并且自催化金属层通过自催化反应生长10〜5000秒。 大量的纳米线可以在没有光刻工艺的情况下在衬底上生长。
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公开(公告)号：KR100283284B1
公开(公告)日：2001-02-15
申请号：KR1019990002580
申请日：1999-01-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05B33/10
Abstract: 본발명은고밀도미세반사체(10), 하부절연층(20), 발광층(30), 상부절연층(40), 배면전극(50)으로구성되는것을특징으로하는전계발광표시소자에관한것으로, 고정세가공기술을이용하여고밀도의반사체를제조하고이를박막전계발광구조와결합하여고정세/고휘도/고효율을특징으로하는새로운구조의전계발광표시소자를제조할수 있는구조와방법을제공하는것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100283283B1
公开(公告)日：2001-02-15
申请号：KR1019990002577
申请日：1999-01-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05B33/10
Abstract: 본발명은유리기판(1)의상부에순차적으로투명도전막(2), 삽입층(3), 하부고유전율절연층(4), 발광층(5), 삽입층(6), 상부고유전율절연층(7) 및상기상부고유전율절연층(7)의상부에부분적으로증착된배면전극(8)으로구성된것을특징으로하는전계발광소자에관한것으로, 유리기판과고유전율박막층의사이에삽입층을도입하여표면특성이평탄한하부절연층을구현하여다결정질의고유전율절연막을사용한전계발광소자에서전기장을균일하게분포시킴으로써소자의안정성을높였을뿐만아니라, 표면거칠기의감소로전기장분포가균일하며매우안정적인발광을얻어내는효과가있다.
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公开(公告)号：KR100247141B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970024823
申请日：1997-06-16
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 전기장 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 전기장 발광소자는 하부 절연층으로 비정질 또는 다결정 BaTiO
3 를 사용하여 하부 절연층을 증착한 이후의 공정에서 고온을 사용하는 경우 그 특성이 열화되어 누설전류가 증가되고, 항복 전기장강도가 저하되어 전기장 발광소자의 구동을 목적으로 전기장을 인가하는 경우 그 전기장 발광소자가 쉽게 파괴되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 하부 절연층을 유전상수값이 큰 다결정 BaTiO
3 와 절연특성이 우수한 비정질 BaTiO
3 를 적층하여 형성함으로써, 휘도의 포화가 일어나는 고전압에서도 파괴되지 않고 안정된 동작을 하는 효과와 아울러 그 휘도특성이 우수하여 저전압에서 사용이 가능한 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100234008B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019970018544
申请日：1997-05-13
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 전기장발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 전기장발광소자는 인가되는 전기장의 세기에 비해 발광층의 내부로 주입되는 전자의 수가 적어 휘도특성 및 발광효율이 저하되는 문제점이 있었다. 이러한 문제점을 감안한 본 발명은 발광층과 절연층의 사이에 계면구조물을 삽입하여 화소 면적의 변화없이 발광층과 절연층의 사이의 계면의 표면적을 증가시킴으로써, 전기장발광소자의 휘도와 발광효율을 증가시키는 효과가 있다.
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89.发明授权중간 삽입층을 이용한 직접 접합 공정과, 이를 이용하는 전계방 출 소자의 진공 실장 공정 및 실리사이드 제조 공정 失效使用交互插入层的直接结合工艺，使用相同的场致发射器件的真空安装过程和硅化物制造工艺
公开(公告)号：KR100234002B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019960073596
申请日：1996-12-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 전자선 증착된 막이나 스퍼터링된 막을 중간 삽입층로 이용하여 실리콘 직접 접합 공정과, 이러한 직접 접합 공정을 이용하여 소자를 진공 실장하는 공정 및 실리사이드 제조 공정에 관한 것이다.
본 발명에 의할 경우, 종래 직접 접합 방법으로 접합할 수 없었던 금속 등의 막이나 실리콘 기판이 아닌 유리 기판 등의 다른 기판에 대해서도 접합이 가능하고, 이러한 직접 접합 방법을 이용하여 고진공을 요하는 진공 소자를 진공 실장할 수 있으며 또한, 내화성 금속 실리사이드를 산화되지 않게 형성할 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR100233998B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019950039797
申请日：1995-11-04
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C23C14/0688
Abstract: 본 발명은 물리증착(physical vapour deposition : PVD)법에 의해 제조된 전계방출소자용 발광체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 유리기판 상에 물리적증착법으로 ZnO:Zn 발광박막을 형성한 뒤 상기 ZnO:Zn 박막 표면에 도전성박막을 코팅하여 발광체 제조를 완료하므로써, 1) 발광막의 두께와 발광체의 열처리 온도 및 분위기 변화를 통하여 에미터의 동작 특성에 맞는 발광문턱과 여러계조의 휘도 및 발광색을 일정 범위내에서 변화시킬 수 있으며, 2) 공정이 용이하고 공정 단가가 낮은 물리증착법(예컨대, 스퍼터법이나 증착법)을 통하여 초박막 상태로도 결정성이 뛰어난 발광막을 얻을 수 있게 되어 고해상도를 요하는 대면적 전계방출소자에 적용할 수 있다는 이점을 갖는다.
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