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公开(公告)号：KR1019970055570A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950047064
申请日：1995-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03L7/16
Abstract: 본 발명은 혼합형 주파수 합성기에 관한 것으로 종래기술에서의 직접 디지탈 주파수 합성기와 위상동기루프 주파수 합성기가 소비전력이 크고 천이 속도가 낮고 회로가 복잡하며 칩면적이 컸던 문제점을 해결하기 위해 위상동기루프 주파수 합성부의 앞단에 기준주파수 발생부를 직렬로 연결하여 구형과 펄스출력을 기준주파수로 사용할 수 있도록 구성하여 고주파 정현파인 캐리어 주파수 발생기 루프로 사용한 것이고 또한 위상동기루프 주파수 합성부의 출력이 원하는 높은 주파수에서 가변 대역폭의 주파수를 미세조정할 수 있도록 상향변환시키기 위하여 가변 출력대역폭만큼의 미세조정이 가능한 또 다른 주파수 합성기의 출력을 궤환회로에 주입되도록 구성한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019970055039A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950053649
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01M10/46
Abstract: 본 발명은 간단한 부가회로를 이용하여 한 개의 LED로 고속충전과 표준충전(여분충전) 및 충전 중이 아님(배터리의 접속 불량) 등 세 종류의 작동 상태를 표시하는 2단 충전장치의 작동상태 표시장치에 관한 것으로서, 그 특징은 2단 충전장치의 작동상태 표시장치에 있어서, 축전지에 접속되는 단자와 그라운드 단자에 접속되어 축전지가 접속불량인지 아닌지만을 감지하여 소정의 색상으로 표시하는 제1표시수단 및 전원과 고속충전 입력단과 그라운드에 접속되어 고속 충전인지 아닌지만을 감지하여 상기 제1표시수단과 다른 색깔로 표시하는 제1표시수단을 포함하며, 표준충전 중이면 상기 제1표시수단만 점등되고, 고속충전 중이면 상기 제1표시수단과 상기 제2표시수단이 둘 다 점등되고, 고속충전 중인데 축전지가 접속불량이면 상기 제2표시수단만 점등되고, 표준충전 중인데 축전지가 접속불량이면 상기 제1표시수단과 상기 제2표시수단이 둘 다 점등되지 않는 데에 있으므로, 상기와 같은 본 발명은 한 개의 LED만으로도 배터리를 충전할 때에 발생하기 쉬운 접속불량을 확실히 인지할 수 있으며 충전할 수 있는 시간이 충분할 때에는 표준 또는 여분 충전만하고 짧은 시간에 충전해야만 하는 경우는 고속 충전을 작동시킬 수 있는 등 작동 상태 표시를 보고 가시적인 판단으로 확실한 조작을 할 수 있으며 충전 배터리를 보호할 수 있는데에 그 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019970009033B1
公开(公告)日：1997-06-03
申请号：KR1019930027023
申请日：1993-12-09
IPC: H01L27/082
Abstract: The device is characterized by the features that the surroundings of a transistor pillar(6) are etched, and a base region is located in the middle of an N first heavily doped impurity layer(7) and an N second heavily doped impurity layer(20), and a base electrode is buried in a silicon substrate. The method is for reducing the parasitic junction capacitance of the base electrode and having the bidirectional operation characteristics of the transistor.
Abstract translation: 该器件的特征在于蚀刻晶体管柱（6）的周围，并且基极区域位于N个第一重掺杂杂质层（7）和N个第二重掺杂杂质层（20）的中间 ），并且将基极埋设在硅衬底中。 该方法是用于减小基极的寄生结电容并具有晶体管的双向工作特性。
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公开(公告)号：KR1019960020000A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940032099
申请日：1994-11-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03L7/00
Abstract: 본 발명은 직접 디지탈 합성기와 위상동기루프 주파수 합성기의 장점을 활용한 혼합형 주파수 합성기에 관한 것이다.
종래의 디지탈 주파수 합성기 구조에서 사인 룩업 테이블(Sine Lock-up Table)의 ROM, 디지탈-아날로그 변환기와 저역통과필터를 제거한 새로운 구조의 2진 입력 위상누적기를 사용하여 그 출력 펄스 파형을 수정 발진기 대신에 기준 주파수로 사용함으로서 기준 주파수의 가변을 용이하게 하며, 주파수 안정도를 높히고, 신호합성장치의 회로를 단순화시킴과 동시에 칩 크기를 크게 줄여 전력 소모와 동작 속도를 대폭 개선할 수 있다.-
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019950000151B1
公开(公告)日：1995-01-10
申请号：KR1019920003821
申请日：1992-03-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335 , H01L29/78
Abstract: forming a Si oxide film (3) and a silicon nitride film (4) on a well (2) to pattern the film (4) to form a field oxide film (5) thereon to remove the films (4,3) to grow a Si oxide film (3) thereonto; forming a 1st poly-Si film (6), an oxide film (7), a 2nd poly-Si film (8) and a thin oxide film (20) on the film (3) to pattern the films (20,8); implanting ions thereinto to form an N- diffusion layer (11) in the well (2); forming a side wall spacer (19) to etch the film (6) selectively to implant ions thereinto to form an N+ diffusion layer (13); and forming a P- layer (10), a contact (15) and a metallic film (16); thereby forming an inverse-T shaped gate and a lightly doped drain structure to obtain an uniform device.
Abstract translation: 在阱（2）上形成Si氧化膜（3）和氮化硅膜（4）以图案化膜（4）以在其上形成场氧化膜（5）以除去膜（4,3）以生长 在其上的Si氧化膜（3） 在膜（3）上形成第一多晶硅膜（6），氧化膜（7），第二多晶硅膜（8）和薄氧化膜（20），以对膜（20,8）进行图案化， ; 在其中注入离子以在阱（2）中形成N-扩散层（11）; 形成侧壁间隔物（19）以选择性地蚀刻所述膜（6）以将离子注入其中以形成N +扩散层（13）; 以及形成P-层（10），接触（15）和金属膜（16）; 从而形成逆T形栅极和轻掺杂漏极结构以获得均匀的器件。
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