公开(公告)号：DE102013112886A1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：DE102013112886

申请日：2013-11-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  PINDL MARKUS ,  SINGER FRANK ,  JEREBIC SIMON

IPC: H01L33/46 ,  H01L31/10 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/52

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100) angegeben, das folgende Schritte aufweist: a) Bereitstellen eines Hilfsträgers (2); b) Befestigen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (4) auf dem Hilfsträger, wobei die Halbleiterchips in einer lateralen Richtung voneinander beabstandet sind; c) Ausbilden einer reflektierenden Schicht (6) zumindest in Bereichen (22) zwischen den Halbleiterchips; d) Ausbilden eines Gehäusekörperverbunds (8), der zumindest bereichsweise zwischen den Halbleiterchips angeordnet ist; e) Entfernen des Hilfsträgers; und f) Vereinzeln des Gehäusekörperverbunds in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100), wobei jedes Halbleiterbauelement zumindest einen Halbleiterchip, einen Teil der reflektierenden Schicht und einen Teil des Gehäusekörperverbunds als Gehäusekörper (82) aufweist. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (100) angegeben.

公开(公告)号：DE102013110114A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：DE102013110114

申请日：2013-09-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  STOLL ION ,  SCHWARZ THOMAS ,  SINGER FRANK ,  DIRSCHERL GEORG ,  HÖPPEL LUTZ

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/52

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben, mit – einem optoelektronischen Halbleiterchip (1) umfassend einen lichtdurchlässigen Träger (10), eine Halbleiterschichtenfolge (11) auf dem lichtdurchlässigen Träger (10) und elektrische Anschlussstellen (12) an der dem lichtdurchlässigen Träger (10) abgewandten Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11), – einem lichtdurchlässigen Umhüllungsmaterial (3), das den optoelektronischen Halbleiterchip (1) stellenweise umschließt, und – Partikeln (41) eines lichtstreuenden und/oder lichtreflektierenden Materials, wobei – die Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11) frei vom lichtdurchlässigen Umhüllungsmaterial (3) ist, und – die Partikel (41) die Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11) und eine Außenfläche des Umhüllungsmaterials (3) stellenweise bedecken.

公开(公告)号：DE102013108651A1

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：DE102013108651

申请日：2013-08-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  MITIC GERHARD

IPC: F21V29/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst die Leuchte (1) einen Träger (2) mit einer Trägeroberseite (20) und mit einer dieser gegenüberliegenden Trägerrückseite (25). Mindestens eine Leuchtdiode (3) zur Erzeugung von sichtbarem Licht ist direkt an der Trägeroberseite (20) angebracht. Mindestens eine Ultraschallquelle (4) ist in oder direkt an dem Träger (2) befestigt. Im Betrieb wird durch die Ultraschallquelle (4) der Träger (2) zu mechanischen Schwingungen mit Frequenzen im Ultraschallbereich angeregt. Durch diese Schwingungen ist eine Kühlung des Trägers (2) durch Luftströmung erreichbar.

公开(公告)号：DE102013206225A1

公开(公告)日：2014-10-09

申请号：DE102013206225

申请日：2013-04-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ THOMAS ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  SINGER FRANK

IPC: H01L33/54 ,  H01L21/56 ,  H01L23/48 ,  H01L33/56

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement weist einen optoelektronischen Halbleiterchip auf, der als Volumenemitter ausgebildet ist. Der optoelektronische Halbleiterchip ist in einen optisch transparenten Formkörper eingebettet. An einer Unterseite des Formkörpers ist ein Lötkontakt angeordnet. Ein Bonddraht bildet eine elektrisch leitende Verbindung zwischen einer elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips und dem Lötkontakt. Der Bonddraht ist in den Formkörper eingebettet.