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    A MEM SENSOR AND A METHOD OF MAKING SAME
    81.
    发明公开
    A MEM SENSOR AND A METHOD OF MAKING SAME 审中-公开
    微机电传感器和相关的方法

    公开(公告)号：EP1305640A2

    公开(公告)日：2003-05-02

    申请号：EP01956027.5

    申请日：2001-07-27

    Applicant: HRL LABORATORIES, LLC ,  Hughes Electronics Corporation

    Inventor： KUBENA, Randall, L. ,  LITTLE, Michael, J. ,  HACKETT, LeRoy, H.

    IPC: G01P15/08 ,  B81C3/00 ,  B81B3/00

    CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2201/0292 ,  B81C2203/036 ,  H01H59/0009

    Abstract: A method of making a micro electro-mechanical switch or tunneling sensor. A cantilevered beamstructure and a mating structure are defined on a first substrate or wafer; and at least one contactstructure and a mating structure are defined on a second substrate or wafer, the mating structureon the second substrate or wafer being of a complementary shape to the mating structure on thefirst substrate or wafer. A bonding layer, preferably a eutectic bonding layer, is provided on at least one of the mating structures. The mating structure of the first substrate is moved into aconfronting relationship with the mating structure of the second substrate or wafer. Pressure isapplied between the two substrates so as to cause a bond to occur between the two mating structures at the bonding or eutectic layer. Then the first substrate or wafer is removed to free thecantilevered beam structure for movement relative to the second substrate or wafer.

    ATOMIC LAYER DEPOSITION LAYER FOR A MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM (MEMS) DEVICE
    82.
    发明申请
    ATOMIC LAYER DEPOSITION LAYER FOR A MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM (MEMS) DEVICE 审中-公开
    用于微电子机械系统（MEMS）器件的原子层沉积层

    公开(公告)号：WO2017162889A1

    公开(公告)日：2017-09-28

    申请号：PCT/EP2017/057180

    申请日：2017-03-27

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： SAMARAO, Ashwin ,  YEE, Seow Yuen ,  YAMA, Gary

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81B7/0058 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/047 ,  B81C1/00206 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0181 ,  C23C16/22 ,  C23C16/45527

    Abstract: System and method for forming an ALD assembly on a surface of a microelectromechanical system (MEMS) device comprises a substrate having a surface and the ALD assembly is at least partially disposed on the surface of the substrate, wherein the ALD assembly is at least one of hydrophobic and hydrophilic properties. The ALD layer further includes a first ALD and a second ALD. On the surface of the substrate, the first ALD is deposited in a first deposition cycle and the second ALD is deposited in a second deposition cycle. The ALD assembly further comprises a seed layer formed using atomic layer deposition and the ALD layer is at least partially disposed on the seed layer. In one example, the seed layer is formed from alumina (Al 2 O 3 ) and the ALD layer is formed from platinum (Pt). In alternate embodiment, on the seed layer, the first ALD is deposited in a first deposition cycle and the second ALD is deposited in a subsequent deposition cycle. The substrate is formed from silicon dioxide (SiO 2 ).

    Abstract translation: 用于在微机电系统（MEMS）器件的表面上形成ALD组件的系统和方法包括具有表面的衬底，并且ALD组件至少部分地设置在衬底的表面上，其中 ALD组件是疏水性和亲水性中的至少一种。 ALD层还包括第一ALD和第二ALD。 在衬底的表面上，在第一沉积循环中沉积第一ALD，并且在第二沉积循环中沉积第二ALD。 ALD组件还包括使用原子层沉积形成的种子层，并且ALD层至少部分地设置在种子层上。 在一个实例中，籽晶层由氧化铝（Al 2 O 3：3）形成并且ALD层由铂（Pt）形成。 在替代实施例中，在种子层上，第一ALD在第一沉积循环中沉积并且第二ALD在随后的沉积循环中沉积。 衬底由二氧化硅（SiO 2）形成。

    INTEGRATED MEMS SYSTEM
    84.
    发明申请
    INTEGRATED MEMS SYSTEM 审中-公开
    集成MEMS系统

    公开(公告)号：WO2015103688A1

    公开(公告)日：2015-07-16

    申请号：PCT/CA2014/051245

    申请日：2014-12-22

    Applicant: MOTION ENGINE INC.

    Inventor： BOYSEL, Robert Mark ,  ROSS, Louis

    IPC: B81B7/02 ,  B81B5/00 ,  G01D5/56 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  H01L23/52

    CPC classification number: G01P15/18 ,  B81B5/00 ,  B81B7/007 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L2224/16145

    Abstract: The present invention provides a 3D System ("3DS") MEMS architecture that enables the integration of MEMS devices with IC chips to form a System on Chip (So C) or System in Package (Si P). The integrated MEMS system comprises at least one MEMS chip, including MEMS transducers, and at least one IC chip, including not only MEMS processing circuitry, but also additional/auxiliary circuitry to process auxiliary signals. The MEMS and IC chips are bump bonded. The MEMS chip includes first and second insulated conducting pathways. The first pathways conduct the MEMS-signals between the transducers and the IC chip, for processing; and the second conducting pathways extend through the entire thickness of the MEMS chip, to conduct auxiliary signals, such as power, RF, I/Os, to the IC chip, to be processed the additional circuitry.

    Abstract translation: 本发明提供了一种3D系统（“3DS”）MEMS架构，其能够将MEMS器件与IC芯片集成以形成片上系统（So C）或系统级封装（Si P）。 集成MEMS系统包括至少一个MEMS芯片，包括MEMS换能器，以及至少一个IC芯片，不仅包括MEMS处理电路，还包括用于处理辅助信号的附加/辅助电路。 MEMS和IC芯片是凸点焊接的。 MEMS芯片包括第一和第二绝缘导电路径。 第一路通过传感器和IC芯片之间的MEMS信号进行处理; 并且第二导电路径延伸穿过MEMS芯片的整个厚度，以将辅助信号（例如功率，RF，I / O）传导到IC芯片，以便对附加电路进行处理。

    CIRCUIT INTÉGRÉ ÉQUIPÉ D'UN DISPOSITIF DE DÉTECTION DE SON ORIENTATION SPATIALE ET/OU D'UN CHANGEMENT DE CETTE ORIENTATION
    85.
    发明申请
    CIRCUIT INTÉGRÉ ÉQUIPÉ D'UN DISPOSITIF DE DÉTECTION DE SON ORIENTATION SPATIALE ET/OU D'UN CHANGEMENT DE CETTE ORIENTATION 审中-公开
    提供的集成电路用于检测其空间方向和/或更改方向的设备

    公开(公告)号：WO2013149685A1

    公开(公告)日：2013-10-10

    申请号：PCT/EP2012/072874

    申请日：2012-11-16

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： DI-GIACOMO, Antonio ,  FORNARA, Pascal

    IPC: G01P13/00 ,  G01P15/135 ,  H01H35/14 ,  G01C9/10 ,  B81C1/00

    CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00174 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0771 ,  G01C9/12 ,  G01P13/00 ,  G01P15/135

    Abstract: Le circuit intégré comprend au sein de ladite partie d'interconnexion «BEOL» (RITX), au moins un dispositif mécanique (DIS) de détection d'orientation spatiale et/ou de changement d'orientation du circuit intégré comprenant un logement (CV) dont les parois comportent des portions métalliques réalisées au sein de différents niveaux de métallisation, une pièce métallique (1) logée dans ledit logement et mobile à l'intérieur du logement, des moyens de contrôle (PLR) définissant à l'intérieur du logement une zone d'évolution (ZV) pour la pièce métallique et comportant au moins deux éléments électriquement conducteurs (PLR) disposés en bordure de ladite zone d'évolution, ladite pièce (1) étant configurée pour, sous l'action de la gravité, venir en contact avec lesdits au moins deux éléments électriquement conducteurs (PLR) en réponse à au moins une orientation spatiale donnée du circuit intégré, et des moyens (MDT) de détection d'une liaison électrique passant par ladite pièce et lesdits au moins deux éléments électriquement conducteurs.

    Abstract translation: 本发明涉及一种集成电路，其包括在BEOL（RITX）互连部分中的至少一个机械装置（DIS），用于检测集成装置的空间取向和/或取向的变化，包括壳体（CV） 其壁具有形成在不同金属化水平的金属部分，设置在所述壳体中并能够在其中移动的金属部分（1），限定用于壳体内的金属部分的移动范围（ZV）的控制装置（PLR），以及 包括设置在所述移动范围的边缘处的至少两个导电构件（PLR），所述部分（11）被设计成响应于至少一个接触重力而接触所述至少两个导电构件（PLR） 给定集成电路的空间取向，以及用于检测通过所述部分和所述至少两个导电构件的电连接的装置（MDT）。

    SENSOR IN MIKROMECHANISCHER BAUWEISE ZUM MESSEN DES MASSENDURCHFLUSSE NACH DEM CORIOLIS-PRINZIP
    87.
    发明申请
    SENSOR IN MIKROMECHANISCHER BAUWEISE ZUM MESSEN DES MASSENDURCHFLUSSE NACH DEM CORIOLIS-PRINZIP 审中-公开
    传感器微机械结构用于测定质量后河科里奥利原理

    公开(公告)号：WO2007147786A1

    公开(公告)日：2007-12-27

    申请号：PCT/EP2007/055946

    申请日：2007-06-15

    Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT ,  FRAHNOW, Roman ,  STECKENBORN, Arno

    Inventor： FRAHNOW, Roman ,  STECKENBORN, Arno

    IPC: G01F1/84

    CPC classification number: G01F1/8495 ,  B81B3/0032 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/058 ,  G01F1/8445 ,  G01F1/8477

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen Sensor (11) in mikromechanischer Bauweise zum Messen eines Massendurchflusses nach dem Coriolis-Prinzip. Dafür werden zwei Leitungsabschnitte (13) schwingungsfähig in einer Aufhängung (24) gelagert, wodurch sie gegenphasig zu Schwingungen angeregt werden können (wesentlich für das Messprinzip). Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass zwischen den die Leitungsabschnitte (13) bildenden Lagen (12a, 12b) eine Abstandslage (18) vorgesehen ist, die einen Abstand zwischen den Leitungsabschnitten (13) im Ruhezustand gewährleistet. Hierdurch wird eine gegenphasige Schwingung der Leitungsabschnitte überhaupt erst möglich, da hierdurch eine Kollision der sich annähernden Leitungsabschnitte (13) verhindert wird.

    Abstract translation: 本发明涉及微机械设计的一个传感器（11），用于根据所述科里奥利原理测量质量流量。 对于这一点，两个线路部分（13）中的悬浮液（24），由此它们可被激发相位相反（为测量的原理必要的）振动安装能够振荡的。 根据它提供的是，引线部（13）之间的本发明形成的层（12A，12B）提供了一种隔离层（18），其确保在休息线路区段（13）之间的距离。 以这种方式，线路区段的反相位振动是在所有可能的，因为防止了接近线路区段（13）的该冲突。

    SENSOR MIT OBERFLÄCHENBEHANDELTEN ALUMINIUMTEILEN UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    88.
    发明申请
    SENSOR MIT OBERFLÄCHENBEHANDELTEN ALUMINIUMTEILEN UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
    带表面处理铝部件及其制备方法传感器

    公开(公告)号：WO2006131341A1

    公开(公告)日：2006-12-14

    申请号：PCT/EP2006/005441

    申请日：2006-06-08

    Applicant: MICRONAS GMBH ,  KNITTEL, Thorsten ,  FREITAG, Gunter ,  EISELE, Ignaz

    Inventor： KNITTEL, Thorsten ,  FREITAG, Gunter ,  EISELE, Ignaz

    IPC: G01N27/414

    CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/0292 ,  G01L7/082 ,  G01N27/4141

    Abstract: Sensor mit einem elektrische Signale ausgebenden Detektionselement , der oberflächliche Aluminium- oder aluminiumhaltige Bauteile aufweist, wobei auf der Oberfläche dieser Bauteile eine erste Schicht aus Silikatenvorhanden ist und darauf eine zweite Schicht, bestehend aus n-Octadecyltrichlorosilan, aufgebracht ist. Anwendbar an Produkten wie Gassensoren, deren Nutzsignale sehr gering sind, so dass sie mittels Feldeffekttransistoren auszulesen sind. In diesen Bereichen der Signalverarbeitung müssen Störsignale weitestgehend ausgeschaltet werden. Das Produkt ist ein so genannter GasFET.

    Abstract translation: 与电信号发出检测元件，表面铝或含有铝的部件，其中这些部件的表面上的传感器是硅酸盐存在的第一层和在其上的由正十八烷基三氯硅烷的第二层施加。 的产品，例如气体传感器，有用信号非常低，使得它们适用于由场效应晶体管的装置来读取。 在这些领域中，信号处理噪声必须被大大地消除。 该产品是一种所谓的GasFET。

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