公开(公告)号：CN103477421A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280018240.3

申请日：2012-11-12

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 富泽浩 ,  古市卓也

IPC: H01L21/3065 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L22/14 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00563 ,  B81C2201/0132 ,  H01L22/26 ,  H01L22/30

Abstract: 本发明提供一种蚀刻完成检测方法，不论开口宽度多大都可正确检测SOI基板蚀刻完成位置。该方法在绝缘层上配置有导电性硅层的SOI基板的所述硅层中、蚀刻到达所述绝缘层的开口部时，检测蚀刻的完成，在由所述蚀刻形成的环状开口部围绕的条状区域的表面配置第一电极部，并在所述岛状区域的外侧区域配置第二电极部，构成蚀刻完成检测部，测量所述第一电极部和所述第二电极部之间的电阻，当该电阻超过预先设定的阈值时，判定到达蚀刻完成位置。

公开(公告)号：CN103193193A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201210556596.4

申请日：2012-12-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁凯智 ,  朱家骅 ,  李德浩 ,  李久康 ,  林宗贤

IPC: B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00515 ,  B81B7/0006 ,  B81B7/0077 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00293 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/035 ,  H01L2224/11

Abstract: 微机电系统(MEMS)器件及其形成方法。该MEMS器件可以包括位于第一衬底上方的MEMS结构。该MEMS结构包括可移动元件。在第一衬底上方沉积第一导电材料并在第二衬底中蚀刻沟槽。用第二导电材料填充沟槽并在第二导电材料和第二衬底上方沉积第三导电材料。接合第一衬底和第二衬底并减薄第二衬底的背面，所述减薄暴露沟槽中的第二导电材料。

公开(公告)号：CN101920928B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201010200250.1

申请日：2010-06-09

Applicant: 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司

Inventor： P·卡森 ,  J-P·蒂埃博

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  G04B15/14

CPC classification number: B81C99/008 ,  B81B3/0075 ,  B81B2201/035 ,  B81C1/00031 ,  B81C1/00087 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/032 ,  C25D1/003 ,  C25D1/20 ,  C25D5/022 ,  G04B13/022 ,  G04B13/026 ,  G04D3/0069

Abstract: 本发明涉及制造复合微机械部件(41，41’)的方法(1)，包括如下步骤：a)提供(10)基材(9，9’)，该基材包括由导电的可微加工材料制成的水平顶层(21)和水平底层(23)，顶层和底层通过电绝缘的水平中间层(22)彼此紧固；b)在顶层中蚀刻至少一种图案(26)直至中间层，以在基材内形成至少一个腔室(25)；c)在基材的顶部涂覆(16)电绝缘的涂层；d)有方向性地蚀刻(18)涂层和中间层，以将该涂层限制为只存在于在顶层形成的各垂直壁(51，52)上；e)通过将电极与基材的导电的底层连接进行电沉积(5)，以形成复合部件的至少一个金属部分(33，43，43’)；f)从基材释放复合部件。本发明涉及微机械部件领域，特别用于钟表机芯。

公开(公告)号：CN101583559B

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN200780049406.7

申请日：2007-11-09

Applicant: 新加坡科技研究局

Inventor： 苏迪兰赞·特里帕斯 ,  维克纳什·s/o·莎姆伽纳赞

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00484 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/017

Abstract: 本发明提供了一种微机械结构和制造微机械结构的方法。该微机械结构包括硅(Si)基衬底；直接在该衬底上形成的微机械元件；和在该微机械元件的释放部下方形成的底切部；其中该底切部的形式为在硅基衬底中形成的凹口。

公开(公告)号：CN102124544A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200980132360.4

申请日：2009-08-10

Applicant: 岩谷产业株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 小池国彦 ,  妹尾武彦 ,  吉野裕 ,  东周平 ,  松尾二郎 ,  濑木利夫 ,  二宫启

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/3065 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0132 ,  G02B1/00 ,  H01L21/76898

Abstract: 本发明提供一种团簇喷射式加工方法、半导体元件、微机电元件及光学零件。提供采用电中性的反应性团簇进行的试样加工方法，在不会使由反应性气体和沸点比反应性气体的沸点低的气体构成的混合气体发生液化的范围内的压力下，使该混合气体沿规定的方向一边绝热膨胀一边喷出，生成反应性团簇，将上述反应性团簇喷射到真空处理室内的试样上而加工试样表面。

公开(公告)号：CN100565815C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200580033918.5

申请日：2005-10-04

Applicant: 西尔弗布鲁克研究有限公司

Inventor： 达雷尔·拉鲁埃·麦克雷诺兹 ,  卡·西尔弗布鲁克

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/02057 ,  B41J2/1412 ,  B41J2/1601 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/164 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00849 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132

Abstract: 提供一种从限定在硅晶片[5]中的蚀刻沟槽的侧壁上移除聚合物涂层的方法。该方法包括在偏压等离子体蚀刻室中利用O2等离子体蚀刻晶片。室温度在90～180℃范围内。

公开(公告)号：CN101583559A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200780049406.7

申请日：2007-11-09

Applicant: 新加坡科技研究局

Inventor： 苏迪兰赞·特里帕斯 ,  维克纳什·s/o·莎姆伽纳赞

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00484 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/017

Abstract: 本发明提供了一种微机械结构和制造微机械结构的方法。该微机械结构包括硅(Si)基衬底；直接在该衬底上形成的微机械元件；和在该微机械元件的释放部下方形成的底切部；其中该底切部的形式为在硅基衬底中形成的凹口。

公开(公告)号：CN101528589A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780038991.0

申请日：2007-08-21

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： S·克龙米勒 ,  A·费伊 ,  T·富克斯 ,  C·莱嫩巴赫 ,  M·拉默尔

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00333 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145

Abstract: 本发明提出了一种覆盖技术，其中，尽管借助于穿过硅－覆盖层(7)的ClF3－蚀刻使被硅锗－填充层(4，3)包围的结构(2)露出，在此也防止了对硅－覆盖件(7，11)的蚀刻侵蚀，即或者通过蚀刻过程本身的特别选择性(大约10000∶1或更高)的调节来保护硅－覆盖件(7，11)或者通过使用下述知识来保护硅覆盖件(7，11)：即富锗层(5，10)的氧化物与氧化的多孔的硅(11)相反地是不稳定的、特别容易溶解的。

公开(公告)号：CN100483610C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN03820692.7

申请日：2003-05-30

Applicant: 硅光机器公司

Inventor： J·A·亨特

IPC: H01L21/00 ,  H01L27/14 ,  H01L29/82 ,  H01L29/84

CPC classification number: G02B26/0833 ,  B81B2201/045 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0132 ,  G02B26/0841

Abstract: 在一种实施方案中，微型器件是通过在金属电极上沉积牺牲层(步骤304)，在牺牲层上成形可动结构(步骤306)，然后用稀有气体氟化物腐蚀牺牲层(步骤308)而制成的。由于金属电极由金属材料构成，它同时又在对牺牲层的腐蚀中起防腐的作用，因此在金属电极中不会累积显著数量电荷。这有助于稳定可动结构的驱动特性。在一种实施方案中，可动结构是光调制器中的带状物。

公开(公告)号：CN1784778A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200480012570.7

申请日：2004-05-06

Applicant: 优利讯美国有限公司

Inventor： 鲁塞尔·韦斯特曼 ,  大卫·约翰逊

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32935 ,  B81C1/00587 ,  B81C2201/0132 ,  H01J37/32963 ,  H01L21/30655

Abstract: 本发明提供一种用于在交替循环蚀刻处理或时分复用处理期间确立终点的方法和设备。把衬底放置在一个等离子体室中并进行具有一个蚀刻步骤和一个淀积步骤的交替循环处理。利用公知的光发射光谱测定技术，监测等离子体发射强度的变化。利用包络跟随器算法，从等离子体发射强度的复杂波形之中提取幅度信息。当在根据监测步骤的一定时间到达终点时中断交替循环处理。