-
公开(公告)号:CN104584178B
公开(公告)日:2017-05-03
申请号:CN201380045316.6
申请日:2013-08-12
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 同和控股(集团)有限公司
CPC classification number: H01J63/06 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , Y10T428/24479 , Y10T428/24612
Abstract: [课题]提供可利用低电力工作并且亮度的发光面内均匀性高的场致电子发射膜和使用其的场致电子发射元件、发光元件及其制造方法。[解决手段]场致电子发射膜,其为包含60~99.9质量%的锡掺杂的铟氧化物和0.1~20质量%的碳纳米管的场致电子发射膜,并具有如下结构:在所述膜的表面,以每1mm2总延长2mm以上形成宽度为0.1~50μm范围的槽,在所述槽的壁面露出碳纳米管。在基板上形成含有碳纳米管的ITO膜之后,在ITO膜的表面形成槽,将在该槽的壁面露出的碳纳米管的端部设为发射体。
-
公开(公告)号:CN104795297B
公开(公告)日:2017-04-05
申请号:CN201410024483.9
申请日:2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/18 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置,其包括多个条形第一电极及条形第二电极交叉且间隔设置,所述多个条形第一电极相互间隔并沿第一方向延伸,所述多个条形第二电极相互间隔并沿第二方向延伸,位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极之间形成一电子发射单元,每一电子发射单元包括依次层叠设置的一半导体层及一绝缘层,所述条行第一电极为一碳纳米管层,所述半导体层包括多个孔洞,所述条形碳纳米管层覆盖所述多个孔洞,对应孔洞位置处的条形碳纳米管层悬空设置。
-
公开(公告)号:CN101679020B
公开(公告)日:2017-04-05
申请号:CN200880012169.1
申请日:2008-02-15
CPC classification number: A61L24/0078 , B81C1/00206 , B82Y30/00 , C08K7/24 , C08K2201/011 , C09J7/00 , C09J2201/626 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , Y10T428/2933 , Y10T428/298
Abstract: 本发明涉及碳纳米结构复合系统,该系统可用于各种应用,包括作为干胶粘剂、电子和显示技术,或者其中可形成有序纳米结构并整合入柔性衬底内的各种其它用途。本发明提供系统和方法,其中将有序纳米管结构或其它纳米结构包埋入聚合物或其它柔性材料内以提供柔性皮肤样材料,具有开发用于各种应用的纳米管或其它纳米结构的性能和特征。一方面,本发明涉及具有形成预定构造的多个碳纳米管的碳纳米管/聚合物复合材料,所述多个纳米管各自具有所需宽度和长度。
-
公开(公告)号:CN104795291B
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:CN201410024347.X
申请日:2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/18 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置,其包括多个条形第一电极以及多个条形第二电极交叉且间隔设置,所述多个条形第一电极相互间隔并沿一第一方向延伸,所述多个条形第二电极相互间隔并沿一第二方向延伸,位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极之间设置一绝缘层,所述条形第一电极为一碳纳米管复合结构,所述碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及一半导体层复合层叠设置,所述半导体层设置于所述碳纳米管层与所述绝缘层之间。本发明涉及一种电子发射装置的制备方法以及采用上述电子发射装置的显示器。
-
公开(公告)号:CN102598191B
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201080050714.3
申请日:2010-09-20
Applicant: 阿克伦大学
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J31/123 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , Y10T156/10
Abstract: 一种制造场发射显示器的阴极部分的方法包括制造大体平行的碳纳米管阵列的步骤,所述碳纳米管阵列在一个末端接合到大体平坦的基板。随后,将所述纳米管嵌入在延伸到纳米管与平坦基板的接合平面的聚合物基体中,其中所述聚合物基体允许所述纳米管中远离接合到所述平坦基板的末端的末端不被所述聚合物基体覆盖,以允许彼此电接触且与所接合的导体电接触。然后,从所述平坦基板卸下所述阵列,藉此制造使纳米管的先前接合末端大体位于一个平面中的表面,且随后将所述导体接合到不被所述聚合物基体覆盖且远离所述平面的纳米管末端阵列。
-
公开(公告)号:CN103354200B
公开(公告)日:2016-04-27
申请号:CN201310152609.6
申请日:2013-04-27
Applicant: 中国人民解放军北京军区总医院
IPC: A61B6/03
CPC classification number: A61B6/032 , A61B6/405 , H01J35/065 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种基于碳纳米管的X射线管及移动CT扫描仪,其中,基于碳纳米管的X射线管包括:阳极和碳纳米管阴极,所述碳纳米管阴极在外加电场的作用下场致发射产生的电子轰击所述阳极以产生X射线。本发明提供的技术方案采用碳纳米管研制X射线管可以很容易实现电子束的高频脉冲发射,响应速度快,使用寿命长,由此克服了现有钨(W)热灯丝X射线源所固有的缺点,可更好满足医学检测等实际应用需求。
-
公开(公告)号:CN103270571B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201180058047.8
申请日:2011-11-29
Applicant: SN显示器有限公司
CPC classification number: H01J9/18 , B82Y99/00 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J9/148 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , H01J2329/46 , Y10S977/952
Abstract: 本发明涉及一种场发射显示装置及其制造方法,其中下板包括:形成在基体上的阴极电极;形成在阴极电极上的扩散阻断层;形成在扩散阻断层上的金属籽晶层;碳纳米管,其在金属籽晶层的晶粒上生长成单晶体;栅绝缘层,其形成在具有阴极电极、扩散阻断层以及金属籽晶层的基体上,以覆盖碳纳米管;以及形成在栅绝缘层上的栅电极。
-
公开(公告)号:CN103117205B
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201310036129.3
申请日:2013-01-30
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor: 王烨文
IPC: H01J63/02 , H01J63/00 , F21S8/00 , G02F1/13357
CPC classification number: H01J1/304 , G02F1/133604 , G02F2001/133614 , G02F2202/108 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J63/06 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明公开了一种显示设备、背光模组及其场发射光源装置和制造方法。场发射光源装置包括相对设置的第一基板和第二基板;第一电极层形成于第一基板的内侧;第二电极层形成于第二基板的内侧;发光材料层设于第一电极层和第二电极层之间并形成于第一电极层上,发光材料层包括量子点材料;第二电极层用于发射带电粒子轰击发光材料层而发光,进而形成用于背光模组的背光源。本发明采用量子点材料有效地提高场发射光源装置的发光性能。
-
公开(公告)号:CN103730305B
公开(公告)日:2016-03-09
申请号:CN201210381738.8
申请日:2012-10-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y40/00 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J2201/30469 , H01J2203/0212
Abstract: 本发明提供一种场发射电子源的制备方法,包括以下步骤:提供一碳纳米管线状结构;在所述碳纳米管线状结构的表面包覆一绝缘层;在所述绝缘层的表面间隔设置多个导电环;切断所述多个导电环、绝缘层以及碳纳米管线状结构,形成多个场发射电子源。
-
公开(公告)号:CN103288033B
公开(公告)日:2016-02-17
申请号:CN201210042273.3
申请日:2012-02-23
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: B81C1/0015 , B81B2201/12 , G01Q70/12 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J37/073 , H01J2201/30469 , Y10T156/1052 , Y10T156/1064 , Y10T156/1077 , Y10T156/1082
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管微尖结构的制备方法,其包括:提供一碳纳米管膜结构及一绝缘基底,该绝缘基底具有一表面,该表面具有至少一带状凹部;将该碳纳米管膜结构覆盖于该绝缘基底的表面,并使部分该碳纳米管膜结构覆盖于所述带状凹部,并在该带状凹部处悬空设置;激光刻蚀该碳纳米管膜结构的悬空设置的部分,在该碳纳米管膜结构上形成一第一镂空图案,并形成与该第一镂空图案对应的图案化碳纳米管膜结构,该图案化碳纳米管膜结构包括两个条形臂,该两个条形臂在端部连接形成一尖端,该尖端在该带状凹部处悬空设置。
-
-
-
-
-
-
-
-
-