公开(公告)号：KR101875416B1

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：KR1020160184216

申请日：2016-12-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 신찬수 ,  이인근 ,  송근만 ,  김창완 ,  최재원 ,  최재혁 ,  박원규

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/50 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/005 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/02 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/50 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0033

Abstract: 본발명은 SOI 기판상에반도체소자를형성하기위한것으로서, SOI(실리콘(111)층/절연물/실리콘(001)층) 기판상에반도체에피층을성장하는방법에있어서, 패터닝공정을통해 GaAs의성장이필요한영역의실리콘(111)층을제거하는제1단계와, 상기실리콘(111)층을제거하고그 상층에절연막을증착하는제2단계와, 패터닝공정을통해 GaN의성장이필요한영역의상기절연막을제거하여실리콘(111)층을노출시키는제3단계와, 상기노출된실리콘(111)층상에 GaN버퍼층을성장시키는제4단계와, 상기 GaN버퍼층을성장시킨후 절연막을증착하고, 청색LED에피층영역의패터닝에의해상기청색LED에피층영역의 GaN버퍼층을노출시키는제5단계와, 상기청색LED에피층영역의노출된 GaN버퍼층상에청색LED에피층을성장시키는제6단계와, 상기청색LED에피층을성장시킨후 절연막을증착하고, 녹색LED에피층영역의패터닝에의해상기녹색LED에피층영역의 GaN버퍼층을노출시키는제7단계와, 상기녹색LED에피층영역의 GaN버퍼층상에녹색LED에피층을성장시키는제8단계와, 상기녹색LED에피층을성장시킨후 절연막을증착하고, 적색LED에피층영역의패터닝에의해실리콘(001)층을노출시키는제9단계와, 상기노출된실리콘(001)층에 GaAs버퍼층을형성하고적색LED에피층을성장시키는제10단계및 상기청색LED에피층및 녹색LED에피층상부에남은절연막을제거하는제11단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는 Si(111)/(001) SOI 기판상에 GaN 및 GaAs 에피층의연속성장방법및 그에의해제조된반도체발광소자모듈을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은결정구조가서로다른반도체재료를동일한공정기판상에서연속공정에의해에피성장을구현함으로써, 공정단계의획기적인감소로공정비용및 시간을절감할수 있으며, 연속공정상에서이루어지게되어소자간 품질의차이를최소화시키면서, 청색, 녹색, 적색반도체발광소자의공정재현성이우수하여고품위의반도체발광소자를제공하는이점이있다.

公开(公告)号：KR102106720B1

公开(公告)日：2020-05-06

申请号：KR1020180169733

申请日：2018-12-26

Applicant: 연세대학교 산학협력단 ,  성균관대학교산학협력단 ,  경북대학교 산학협력단 ,  (재)한국나노기술원

Inventor： 고대홍 ,  김형섭 ,  김대현 ,  신찬수 ,  장현철 ,  이인근

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304

公开(公告)号：KR101955935B1

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：KR1020160183009

申请日：2016-12-29

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 이인근 ,  조영대 ,  신찬수 ,  박원규 ,  고대홍

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L29/40 ,  H01L29/772 ,  H01L29/45