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公开(公告)号：KR101886056B1
公开(公告)日：2018-08-08
申请号：KR1020160095039
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B3/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C23C14/04 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/58 , C23C14/34
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재를준비하는제1단계와, 상기기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제2단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제3단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제4단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제5단계;를포함하여이루어지되, 상기제1단계의기재의표면을소수성표면처리후 상기제2단계의마스크패턴층을형성하거나, 상기제2단계의마스크패턴층을형성한후에, 상기기재상부의노출된일부영역을소수성표면처리하는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법및 이를이용한센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.
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2.发明授权폴리머 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머의 제조방법 및 이에 의해 제조된 폴리머 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 有权用于玻璃基础探针卡的空间变压器的制造方法和玻璃基探针卡的空间变换器
公开(公告)号：KR101415635B1
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020120156756
申请日：2012-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: The present invention relates to space transformer for a probe card. Subject matters of the present invention are a method of manufacturing a space transformer for a polymer-based probe card and the space transformer for a polymer-based probe card manufactured by the same. The method of manufacturing a space transformer for a probe card comprises the following steps. In a first step, a glass substrate is prepared. In a second step, a mask pattern layer for forming a via-hole is formed on the glass substrate. In a third step, a substrate via-hole is formed on the glass substrate according to a set pattern of the mask pattern layer. In a fourth step, a conductive material fills the via-hole. In a fifth step, a polymer substrate is formed on the glass substrate, and a metal interconnection electrode, which is electrically connected to the substrate via-hole, is formed on the polymer substrate. In a sixth step, a second polymer substrate is formed on top of the polymer substrate, on which the metal interconnection electrode is formed, and a polymer substrate via-hole, which is filled with the conductive material, is formed on the second polymer substrate. And in the seventh step, polymer substrates resulted from the fifth and sixth steps are alternately stacked, and the metal interconnection electrode formed on the polymer substrate is electrically connected with the polymer substrate via-hole. According to the present invention, a conventional multilayer ceramic simultaneous sintering process is not adopted, and deformation of the space transformer due to contractions and expansions is thus prevented. Furthermore, a manufacturing yield as well as productivity are improved and a manufacturing cost is reduced.
Abstract translation: 本发明涉及用于探针卡的空间变压器。 本发明的主题是制造用于基于聚合物的探针卡的空间变压器和由其制造的基于聚合物的探针卡的空间变压器的方法。 用于探针卡的空间变压器的制造方法包括以下步骤。 在第一步骤中，制备玻璃基板。 在第二步骤中，在玻璃基板上形成用于形成通孔的掩模图案层。 在第三步骤中，根据掩模图案层的设定图案在玻璃基板上形成基板通孔。 在第四步骤中，导电材料填充通孔。 在第五步骤中，在玻璃基板上形成聚合物基板，并且在聚合物基板上形成与基板通孔电连接的金属互连电极。 在第六步骤中，在形成有金属互连电极的聚合物基板的顶部上形成第二聚合物基板，并且在第二聚合物基板上形成填充有导电材料的聚合物基板通孔 。 在第七步骤中，由第五和第六步骤产生的聚合物基板交替堆叠，并且形成在聚合物基板上的金属互连电极与聚合物基板通孔电连接。 根据本发明，不采用常规的多层陶瓷同时烧结工艺，因此防止了由于收缩和膨胀引起的空间变压器的变形。 此外，制造成品率和生产率提高，制造成本降低。
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公开(公告)号：KR101201262B1
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020110049769
申请日：2011-05-25
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H04R31/003 , H04R1/02 , H04R19/04
Abstract: PURPOSE: A vibrating membrane and a back plate of a capacitance type microphone based on a MEMS(Micro Electro Mechanical System) and a method for manufacturing the same are provided to prevent oxidation due to external humidity by forming an insulating layer on the vibrating membrane and the back plate. CONSTITUTION: A first insulation layer is formed on the upper part of a substrate(101). A vibrating membrane(102) forms a second insulation layer on the top of a first metal layer. A sacrificial layer for an air gap is formed on the upper part of the vibrating membrane. An external surface of the sacrificial layer is patterned by a photolithography process. A third insulation layer is formed on the upper part of the patterned sacrificial layer. A second metal layer is formed on the upper part of the third insulation layer. An upper conductive line is formed on the patterned second metal layer. A fourth insulating layer is formed on the upper part of a second metal layer. A back plate is obtained by the photolithography process. A sound inlet hole and a vibration hole are formed.
Abstract translation: 目的：提供一种基于MEMS（微机电系统）的电容式麦克风的振动膜和背板及其制造方法，以通过在振动膜上形成绝缘层来防止由于外部湿气引起的氧化， 背板。 构成：在基板（101）的上部形成第一绝缘层。 振动膜（102）在第一金属层的顶部上形成第二绝缘层。 在振动膜的上部形成用于气隙的牺牲层。 通过光刻工艺对牺牲层的外表面进行图案化。 在图案化牺牲层的上部形成第三绝缘层。 在第三绝缘层的上部形成有第二金属层。 在图案化的第二金属层上形成上导电线。 在第二金属层的上部形成第四绝缘层。 通过光刻工艺获得背板。 形成声音入口孔和振动孔。
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公开(公告)号：KR1020110128527A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：KR1020100048025
申请日：2010-05-24
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/042 , H01L31/054
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/042 , H01L31/054
Abstract: PURPOSE: A side exposure type solar battery is provided to increase efficiency by differently forming a part in which sunlight is income and a part in which an electrode is formed and to reduce series resistance of a solar battery. CONSTITUTION: A solar battery comprises a solar battery cell, a first electrode(220), and a second electrode(230). A light receiving part(211) in which external light is income is formed on a first side of the solar battery cell. The solar battery generates current from the light which is income through the light receiving part. The first electrode is formed on a second side of the solar cell. The second electrode is formed on a third side which is faced with the second side of the solar cell. The first side of the solar cell is different with the second side and the third side of the solar cell.
Abstract translation: 目的：提供侧曝式太阳能电池，以通过不同地形成阳光收入的部分和形成电极的部分来提高效率，并降低太阳能电池的串联电阻。 构成：太阳能电池包括太阳能电池单元，第一电极（220）和第二电极（230）。 在太阳能电池单元的第一侧上形成有外部光收入的受光部（211）。 太阳能电池从通过光接收部分收入的光产生电流。 第一电极形成在太阳能电池的第二侧上。 第二电极形成在面对太阳能电池的第二面的第三面上。 太阳能电池的第一面与太阳能电池的第二面和第三面不同。
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公开(公告)号：KR101875416B1
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：KR1020160184216
申请日：2016-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/50 , H01L2924/12041 , H01L2933/0033
Abstract: 본발명은 SOI 기판상에반도체소자를형성하기위한것으로서, SOI(실리콘(111)층/절연물/실리콘(001)층) 기판상에반도체에피층을성장하는방법에있어서, 패터닝공정을통해 GaAs의성장이필요한영역의실리콘(111)층을제거하는제1단계와, 상기실리콘(111)층을제거하고그 상층에절연막을증착하는제2단계와, 패터닝공정을통해 GaN의성장이필요한영역의상기절연막을제거하여실리콘(111)층을노출시키는제3단계와, 상기노출된실리콘(111)층상에 GaN버퍼층을성장시키는제4단계와, 상기 GaN버퍼층을성장시킨후 절연막을증착하고, 청색LED에피층영역의패터닝에의해상기청색LED에피층영역의 GaN버퍼층을노출시키는제5단계와, 상기청색LED에피층영역의노출된 GaN버퍼층상에청색LED에피층을성장시키는제6단계와, 상기청색LED에피층을성장시킨후 절연막을증착하고, 녹색LED에피층영역의패터닝에의해상기녹색LED에피층영역의 GaN버퍼층을노출시키는제7단계와, 상기녹색LED에피층영역의 GaN버퍼층상에녹색LED에피층을성장시키는제8단계와, 상기녹색LED에피층을성장시킨후 절연막을증착하고, 적색LED에피층영역의패터닝에의해실리콘(001)층을노출시키는제9단계와, 상기노출된실리콘(001)층에 GaAs버퍼층을형성하고적색LED에피층을성장시키는제10단계및 상기청색LED에피층및 녹색LED에피층상부에남은절연막을제거하는제11단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는 Si(111)/(001) SOI 기판상에 GaN 및 GaAs 에피층의연속성장방법및 그에의해제조된반도체발광소자모듈을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은결정구조가서로다른반도체재료를동일한공정기판상에서연속공정에의해에피성장을구현함으로써, 공정단계의획기적인감소로공정비용및 시간을절감할수 있으며, 연속공정상에서이루어지게되어소자간 품질의차이를최소화시키면서, 청색, 녹색, 적색반도체발광소자의공정재현성이우수하여고품위의반도체발광소자를제공하는이점이있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101303005B1
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：KR1020120029106
申请日：2012-03-22
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67069
Abstract: PURPOSE: A cooling apparatus for a wafer and a wafer cover using a gas is provided to prevent thermal damage to a wafer by forming a through hole in a tray for mounting a wafer. CONSTITUTION: A through hole (130) is formed in a tray. The tray transfers a low temperature gas to a wafer and a wafer cover. A tray body (110) is formed around a tray central part (120). An O-ring is in contact with the lower part of the wafer cover. An O-ring accommodating groove is formed along the cylindrical surface of the tray body.
Abstract translation: 目的：提供一种用于晶片的冷却装置和使用气体的晶片盖，以通过在用于安装晶片的托盘中形成通孔来防止对晶片的热损伤。 构成：在托盘中形成通孔（130）。 托盘将低温气体传送到晶片和晶片盖。 托盘主体（110）围绕托盘中心部分（120）形成。 O形圈与晶片盖的下部接触。 沿托盘体的圆筒面形成有O形环容纳槽。
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7.发明公开진공증착에 의한 하이브리드 패턴 형성방법, 이를 이용한 센서 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서 소자 有权通过真空沉积的混合图案形成方法，使用该方法制造传感器元件的方法以及通过该方法制造的传感器元件
公开(公告)号：KR1020180012387A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR1020160095040
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
Inventor： 박형호 , 황선용 , 이근우 , 임웅선 , 윤홍민 , 고유민 , 정해용 , 조주영 , 최재원 , 정상현 , 최영수 , 강성민 , 최원명 , 조영대 , 성호근 , 박경호 , 박원규
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/203 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/033
CPC classification number: G03F7/2022 , H01L21/02118 , H01L21/02315 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/203 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L29/0665 , H01L29/413
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여금속나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체를성장시키는제3단계와, 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에금속나노구조체를형성하여상기기재상부에금속나노구조체패턴을형성하는제4단계및 상기금속나노구조체를이용하여상기기재의일부영역을습식식각하여하이브리드패턴을형성하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한하이브리드패턴형성방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에금속나노구조체패턴을형성하고이를이용하여기재를습식식각하여기재의일부영역에하이브리드패턴을제공하고자하는것이다.
Abstract translation: 本发明提供一种使用真空沉积工艺形成金属纳米结构图案的方法，所述方法包括：第一步骤，形成暴露所述衬底的部分上表面的掩模图案层; 金属纳米第二步骤来设置真空沉积条件满足用于该结构的生长所需的金属纳米结构的最小临界半径，并在区域中的金属通过真空沉积工艺和衬底纳米的掩膜图案层上曝光 生长结构中，通过去除掩模图案层的第三步骤，第四步骤和所述金属纳米结构，以形成在所述衬底的曝光区域的金属纳米结构，以形成在衬底顶部上的金属纳米结构图案 以及第五步骤，通过使用真空气相沉积方法湿法蚀刻部分基材来形成混合图案。 而作为一个技术基础。 这种做发明是基材使用真空沉积工艺来设置真空沉积条件满足对金属纳米结构的生长所需要的金属纳米结构的最小临界半径，以形成金属纳米结构图案，以在基底顶部，并使用此 湿法蚀刻以在衬底的一部分中提供混合图案。
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公开(公告)号：KR20180012386A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR20160095039
申请日：2016-07-26
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: B82B3/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C23C14/02 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/58
CPC classification number: B82B3/0038 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , C23C14/02 , C23C14/042 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/5806 , C23C14/5826
Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재를준비하는제1단계와, 상기기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제2단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제3단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에나노구조체를성장시키는제4단계및 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에나노구조체를형성하여상기기재상부에나노구조체패턴을형성하는제5단계;를포함하여이루어지되, 상기제1단계의기재의표면을소수성표면처리후 상기제2단계의마스크패턴층을형성하거나, 상기제2단계의마스크패턴층을형성한후에, 상기기재상부의노출된일부영역을소수성표면처리하는것을특징으로하는진공증착에의한나노구조체패턴형성방법및 이를이용한센서소자를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은나노구조체의성장을위해필요한나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에나노구조체패턴을형성함으로써, 공정이간단하면서균일한나노구조체분포를가지는나노구조체패턴의형성이용이하며, 열처리공정이필요하지않아고온에취약한고분자기판과같은유연기판상에서의나노구조체패턴을형성할수 있고, 나노구조체의형태및 두께변형등을최소화함으로써고품질의소자를제공할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 在本发明中，作为利用真空沉积工艺形成纳米结构图案，准备基板的第一步骤中，形成掩模图案层的第二工序到所述衬底以暴露所述上，所述衬底的所述部分 第三步骤，设定真空沉积条件，该真空沉积条件满足在暴露区域和掩模图案层上生长纳米结构所需的纳米结构的最小临界半径; 在掩模图案层上生长纳米结构的第四步骤和除去掩模图案层并在衬底的暴露区域上形成纳米结构以在衬底上形成纳米结构图案的第五步骤 其中第二阶掩模图案层是在对第一步骤的衬底表面进行疏水表面处理之后或者在形成第二步骤的掩模图案层之后形成的， 和传感器元件的纳米结构的图案形成通过真空蒸发和通过该方法，其特征在于在与一个子区域的技术基础，疏水表面处理。 因此，通过处理完毕发明通过设置真空沉积条件满足对使用真空沉积过程中银纳米结构的生长所需要的纳米结构的最小临界半径，以形成在基板上，一个和该过程的纳米结构图案是简单的，均匀的纳米结构 可以形成在易受高温影响的柔性衬底（例如聚合物衬底）上的纳米结构图案，并且可以最小化纳米结构的形状和厚度变形， 等等。
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公开(公告)号：KR1020160124986A
公开(公告)日：2016-10-31
申请号：KR1020150055383
申请日：2015-04-20
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은제1TCR 성질을갖고저항값을측정하는하나이상의제1볼로미터; 및상기제1볼로미터와상이한제TCR 성질을갖고저항값을측정하는하나이상의제2볼로미터를포함하는것을특징으로하는볼로미터어레이시스템을제공한다. 본발명에의하면, 볼로밑터가측정한현재온도의오차를줄일수 있다.
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公开(公告)号：KR101540080B1
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：KR1020130161950
申请日：2013-12-24
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명에따르면, 기판상에반도체층을형성하는반도체층형성단계; 레이저리프트오프공정을통해제1유연필름으로상기반도체층을전사하는제1전사단계; 및상기제1유연필름으로부터상기반도체층을제2유연필름으로전사하는제2전사단계;를포함하는것을특징으로하는레이저리프트오프공정과이중전사를이용한반도체소자의제조방법을제공한다. 상기구성에의한본 발명은, 반도체층을성장시킬때 드러났던표면이외부에노출되도록반도체층을분리할수 있는효과가있다.
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