透镜、透镜组件和便携式电子设备

    公开(公告)号:CN118244391A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202311705743.4

    申请日:2023-12-13

    Abstract: 本公开涉及透镜,该透镜包括:透镜单元;抗反射(AR)涂层,设置在透镜单元的一个表面上,并且包括交替地堆叠一次或更多次的第一涂层和第二涂层,其中第一涂层的折射率与第二涂层的折射率不同;以及中间层,设置在透镜单元和AR涂层之间,并且由与第一涂层或第二涂层的材料相同的材料形成。中间层通过化学气相沉积(CVD)设置在透镜单元上。本公开还涉及包括透镜的透镜组件以及包括配置成显示来自透镜组件的信息的显示单元的便携式电子设备。

    声波谐振器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111211756A

    公开(公告)日:2020-05-29

    申请号:CN201910931599.3

    申请日:2019-09-29

    Abstract: 本公开提供一种声波谐振器,所述声波谐振器包括:基板;绝缘层,设置在所述基板上;谐振部,设置在所述绝缘层上并且包括堆叠在所述绝缘层上的第一电极、压电层和第二电极;腔,设置在所述绝缘层和所述谐振部之间;突起部,包括设置在所述腔的下表面上的多个突起;以及疏水层,设置在所述腔的上表面和所述突起部的表面上。

    体声波谐振器及其制造方法

    公开(公告)号:CN110504936A

    公开(公告)日:2019-11-26

    申请号:CN201910404727.9

    申请日:2019-05-16

    Abstract: 本公开提供一种体声波谐振器及其制造方法,所述体声波谐振器包括:基板;下电极,设置在所述基板上;压电层,被设置为覆盖所述下电极的至少一部分;上电极,被设置为覆盖所述压电层的至少一部分;以及钝化层,被设置为覆盖所述上电极的至少一部分,其中,所述钝化层包括非修整加工部,所述非修整加工部设置在所述体声波谐振器的有效区的外部,并且所述非修整加工部的厚度比所述钝化层的设置在所述有效区中的部分的厚度厚,其中,所述有效区叠置有所述下电极的部分、所述压电层的部分和所述上电极的部分。

    印刷电路板及其制造方法

    公开(公告)号:CN101621896B

    公开(公告)日:2011-09-28

    申请号:CN200810185740.1

    申请日:2008-12-08

    Abstract: 本文披露了一种印刷电路板以及其制造的方法,该制造印刷电路板的方法包括:通过以将热释放层被选择性地插入表面上形成有电路图案的多个绝缘层之间的方式堆叠多个绝缘层而形成电路板;打通一个通孔以穿透该电路板的一侧和另一侧;通过直接镀铜而在该通孔的内壁上形成种子层;以及通过利用种子层作为电极实施电镀而在该通孔的内壁上形成电镀层。使热释放层选择性地插入电路板内部能够改善热释放并增加弯曲强度。并且,可以在热释放层和电路图案之间实现可靠的电连接,由此将热释放层用作电源层或接地层。

    印刷电路板及其制造方法

    公开(公告)号:CN101621896A

    公开(公告)日:2010-01-06

    申请号:CN200810185740.1

    申请日:2008-12-08

    Abstract: 本文披露了一种印刷电路板以及其制造的方法,该制造印刷电路板的方法包括:通过以将热释放层被选择性地插入表面上形成有电路图案的多个绝缘层之间的方式堆叠多个绝缘层而形成电路板;打通一个通孔以穿透该电路板的一侧和另一侧;通过直接镀铜而在该通孔的内壁上形成种子层;以及通过利用种子层作为电极实施电镀而在该通孔的内壁上形成电镀层。使热释放层选择性地插入电路板内部能够改善热释放并增加弯曲强度。并且,可以在热释放层和电路图案之间实现可靠的电连接,由此将热释放层用作电源层或接址层。

    晶片级封装件及其制造方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117894779A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202310498201.8

    申请日:2023-05-05

    Abstract: 本公开提供一种晶片级封装件及其制造方法。所述晶片级封装件包括:基板;元件部,设置在所述基板的一个表面上;盖,设置在所述基板上,以覆盖所述元件部;连接部,电连接到所述元件部;以及结合部,设置在所述连接部的外侧上,其中,所述结合部设置在所述基板和所述盖中的一者的第一表面上,其中,所述连接部的一个端部设置在所述基板和所述盖中的所述一者的与所述第一表面具有台阶差的第二表面上,并且其中,所述连接部和所述结合部利用共晶材料形成。

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