公开(公告)号：CN119495542A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202311028384.3

申请日：2023-08-15

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 徐扬 ,  连增迪 ,  姜勇 ,  张鹏 ,  范宏宇 ,  黎威 ,  王许

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 一种半导体处理设备及其气体分配装置，气体分配装置中具有相互隔绝独立的两个气体分配通道，每个气体分配通道均采用独立的进气通道和抽气通道，每个气体分配通道均包含多个气流通道，每个气流通道中的反应气体经过气体喷淋组件分配至半导体处理设备的反应腔中。气流通道避免采用具有较大弯曲弧度的形状，有效提升了反应气体的流动速度，避免产生涡流，有利于气体迅速排净，避免气体残留，提升了工艺效率。确保不同气体分配通道之间具有可靠的物理隔离，防止反应气体提前混合产生颗粒物，提升了产品良率。气体喷淋组件中遍布微孔，确保反应气体均匀扩散至反应腔内，确保了基片制程的均匀性。

公开(公告)号：CN117116731A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202210528731.8

申请日：2022-05-16

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 范宏宇 ,  范光伟 ,  王洪青 ,  杨宽

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种等离子体约束系统，包括：内、外隔离环，分别通过射频接地装置接地；支撑组件，设置在内、外隔离环之间；约束环，位于内、外隔离环之间，且位于所述支撑组件的顶部；热变形释放部，设置在任意一个射频接地装置的下方。同时，本发明还公开了一种等离子体处理装置，以及一种保持等离子体约束系统的结构及功能稳定的方法。本发明通过采用双侧射频接地结构和设置热变形释放部，解决了现有技术的等离子体约束系统在非处理区域产生有害等离子体，以及因热变形破坏等离子体约束系统的结构和功能的技术问题。

公开(公告)号：CN117096006A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202210513880.7

申请日：2022-05-11

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 范宏宇 ,  范光伟 ,  王洪青 ,  杨宽

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种等离子体约束系统，包括：内、外隔离环，分别通过射频接地装置接地；支撑组件，设置有热变形释放部；约束环，位于所述内隔离环和外隔离环之间，且底部与所述支撑组件的顶部连接。同时，本发明还公开了一种等离子体处理装置，以及一种保持等离子体约束系统的结构及功能稳定的方法。本发明通过采用双侧射频接地结构和设置热变形释放部，解决了现有技术的等离子体约束系统在非处理区域产生有害等离子体，以及因热变形破坏等离子体约束系统的结构和功能的技术问题。