公开(公告)号：CN102040186B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201010538418.X

申请日：2010-11-09

Applicant: 北京自动化控制设备研究所

Inventor： 杨军 ,  郑辛 ,  王登顺 ,  丁凯 ,  安泰 ,  余凯 ,  章敏明

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明属于MEMS器件封装技术领域，具体涉及一种高真空陶瓷LCC封装方法。按照本方法所述步骤依次经过等离子清洗、共晶贴片、引线互连、吸气剂激活和共晶封接完成封装的MEMS器件满足如下要求：封装腔体内的真空度小于1Pa，保存期限大于等于15年，实现了硅微陀螺Q值约为15万的封装。通过采用等离子清洗方法，提高了封装质量，降低了封装体的整体漏率，即外漏问题；通过选用与封接焊料相同的贴片焊料进行共晶的方法进行贴片，减少了封装体内部材料的放气量；通过吸气剂激活，可有效吸附封装体内释放的少量气体，保证了封装体内的较好真空度。

公开(公告)号：CN102040186A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010538418.X

申请日：2010-11-09

Applicant: 北京自动化控制设备研究所

Inventor： 杨军 ,  郑辛 ,  王登顺 ,  丁凯 ,  安泰 ,  余凯 ,  章敏明

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明属于MEMS器件封装技术领域，具体涉及一种高真空陶瓷LCC封装方法。按照本方法所述步骤依次经过等离子清洗、共晶贴片、引线互连、吸气剂激活和共晶封接完成封装的MEMS器件满足如下要求：封装腔体内的真空度小于1Pa，保存期限大于等于15年，实现了硅微陀螺Q值约为15万的封装。通过采用等离子清洗方法，提高了封装质量，降低了封装体的整体漏率，即外漏问题；通过选用与封接焊料相同的贴片焊料进行共晶的方法进行贴片，减少了封装体内部材料的放气量；通过吸气剂激活，可有效吸附封装体内释放的少量气体，保证了封装体内的较好真空度。