-
公开(公告)号：CN106908626A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201510979830.8
申请日：2015-12-23
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125
Abstract: 本发明属于惯性测量技术领域，具体公开一种电容式微加速度计敏感结构。它包括上极板、中间摆片微结构和下极板；上极板、中间摆片微结构、下极板之间两两通过键合层连接；中间摆片微结构包括边框和包围在边框内的弹性减薄梁、质量块；弹性减薄梁的上下表面各设有位置交错凹形槽，凹形槽的底部与弹性减薄梁中性面平齐；凹形槽内设有电极引线，电极引线包括上凹形槽电极和下凹形槽电极；上凹形槽电极与质量块上表面电极连通，下凹形槽电极和质量块下表面电极连通；质量块的末端上下表面各设有止挡凸台，用于限制质量块在强振动或大冲击作用下的位移。本发明最大限度屏蔽受力及温度变形对敏感结构的影响，实现误差抑制，获取更高性能。
-
公开(公告)号：CN106153026A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510144495.X
申请日：2015-03-30
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5621
Abstract: 本发明属于惯性测量技术领域，具体涉及一种微机电陀螺。一种音叉型微机电陀螺，其中，包括驱动部分、检测部分、驱动检测转接部分和双质量块耦合部分，在布局上呈左右对称布置，并且左部分或右部分呈上下对称布置，左部分或右部分均包括驱动部分、检测部分、驱动检测转接部分和双质量块耦合部分。本发明的效果是：能够抑制耦合误差，减小能量损失、获取高灵敏度，解决无耦合和低耦合引起的相差、频差难题，提高陀螺的环境适应能力。
-
公开(公告)号：CN105502967A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410554261.8
申请日：2014-10-17
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: C03C27/08
Abstract: 本发明是一种基于金锡共晶的石英键合方法。包括以下步骤：准备步骤；清洗步骤；沉积薄膜的步骤：对两侧零部件之一(11)依次沉积Cr/Au薄膜，并对中间零部件(12)对应于两侧零部件之一(11)的一侧依次沉积Cr/Au/Sn/Au薄膜；然后，对两侧零部件之二(13)依次沉积Cr/Au薄膜，并对中间零部件(12)对应于两侧零部件之二(13)的另一侧依次沉积Cr/Au/Sn/Au薄膜；热压键合的步骤。实现了焊料层组份比例的精确控制。实现了图形化焊料的精密加工。能实现石英敏感结构件的精密对准。
-
公开(公告)号：CN103256926A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210040745.1
申请日：2012-02-21
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5607 , G01C19/5628
Abstract: 本发明属于石英音叉，具体涉及一种石英音叉止挡结构。它包括一种石英音叉止挡结构，包括底座、支撑框和上盖，石英音叉位于底座、支撑框和上盖组成的腔体内部。本发明的显著效果是：(1)提高石英音叉抗冲击性能；(2)整个止挡为全石英结构，其加工工艺与现有的石英音叉微加工工艺相兼容，易于批量化实现；(3)保证粘接时装配间隙的均匀性；(4)实现对止挡间隙均匀性误差的精确控制(±2μm以内)；(5)引入装配工装，并结合止挡结构的晶向确定定位基准，实现对平面定位误差的精确控制(±20μm以内)。
-
公开(公告)号：CN103217151A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210017308.8
申请日：2012-01-19
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5712
Abstract: 本发明属于陀螺敏感装置，具体涉及一种四质量块线振动硅微陀螺敏感装置。一种四质量块线振动硅微陀螺敏感装置，包括敏感结构和分别设置敏感结构上下两侧的上封帽、下封帽，所述的敏感结构包括4个质量块。本发明的显著效果是：避免了耦合误差；抵消了在硅微陀螺敏感装置工作状态下基座所受耦合力矩；节约了加工成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103213939A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210017609.0
申请日：2012-01-19
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明涉及加工方法，特别是具有不等高梳齿结构和需圆片级封装的硅微机电陀螺结构的加工方法。它包括步骤一：加工下封帽；步骤二：下封帽与敏感结构键合，敏感结构上表面结构加工；下封帽与敏感结构键合；步骤三：加工敏感结构，敏感结构支撑层与绝缘层的去除；氮化硅掩膜图形化；生长二氧化硅；敏感结构掩膜图形化；刻蚀定齿结构；刻蚀动齿结构；步骤四：加工上封帽，上封帽引线孔加工；上封帽质量块加工；步骤五：敏感结构与上封帽键合；步骤六：金属化。本发明的效果是：有利于保证线条质量，提高梳齿结构的侧壁垂直度；解决了不同材料的热膨胀系数不同所引起的残余应力等问题，提高了工艺兼容性；减少了加工工序，降低了工艺成本。
-
公开(公告)号：CN102110771B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010539409.2
申请日：2010-11-10
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: H01L41/22
Abstract: 本发明属于加工方法，具体涉及一种三维石英敏感结构金属化加工方法。一种三维石英敏感结构金属化加工方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1：加工表面电极；步骤2：加工侧面电极和不等高结构的表面电极。本发明的显著效果是：(1)实现了表面电极、侧面电极和不等高结构表面电极三种组合电极的加工；(2)表面电极尺寸精度高，可以控制在±1μm以内，同时与其它工艺兼容性好且易于加工；(3)可应用于石英微器件的批量生产中；(4)本可在同一侧面加工不同极性的侧面电极。
-
公开(公告)号：CN102110771A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010539409.2
申请日：2010-11-10
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: H01L41/22
Abstract: 本发明属于加工方法，具体涉及一种三维石英敏感结构金属化加工方法。一种三维石英敏感结构金属化加工方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1：加工表面电极；步骤2：加工侧面电极和不等高结构的表面电极。本发明的显著效果是：(1)实现了表面电极、侧面电极和不等高结构表面电极三种组合电极的加工；(2)表面电极尺寸精度高，可以控制在±1μm以内，同时与其它工艺兼容性好且易于加工；(3)可应用于石英微器件的批量生产中；(4)本可在同一侧面加工不同极性的侧面电极。
-
公开(公告)号：CN102020235A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010540089.2
申请日：2010-11-11
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明属于气密性封装技术领域，具体涉及一种TO封装结构低水汽含量封装方法及其封装组件。其特点在于：在TO封装组件的底座上设计了充气孔，用于除气、充气处理和封焊焊缝的漏率检测，充气孔的设计改变了TO组件传统的封装方式。在带有充气孔结构的TO组件的基础上，本发明采用了一种两次封焊实现密封的TO封装组件封装方法。解决了TO封装结构低水汽含量封装的难题，封装体内部的水汽含量可以控制在500×10-6以内，气体纯度控制在99％以上，可以控制封装体内部的压力，对于低真空封装的产品，气压控制精度在±100Pa以内，并且可以对封装体进行精确的漏率检测，具有很高的效率和可靠性。
-
公开(公告)号：CN106908626B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201510979830.8
申请日：2015-12-23
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明属于惯性测量技术领域，具体公开一种电容式微加速度计敏感结构。它包括上极板、中间摆片微结构和下极板；上极板、中间摆片微结构、下极板之间两两通过键合层连接；中间摆片微结构包括边框和包围在边框内的弹性减薄梁、质量块；弹性减薄梁的上下表面各设有位置交错凹形槽，凹形槽的底部与弹性减薄梁中性面平齐；凹形槽内设有电极引线，电极引线包括上凹形槽电极和下凹形槽电极；上凹形槽电极与质量块上表面电极连通，下凹形槽电极和质量块下表面电极连通；质量块的末端上下表面各设有止挡凸台，用于限制质量块在强振动或大冲击作用下的位移。本发明最大限度屏蔽受力及温度变形对敏感结构的影响，实现误差抑制，获取更高性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.051 seconds)
