一种TO封装结构的低水汽含量封装方法及其封装组件

    公开(公告)号:CN102020235A

    公开(公告)日:2011-04-20

    申请号:CN201010540089.2

    申请日:2010-11-11

    Abstract: 本发明属于气密性封装技术领域,具体涉及一种TO封装结构低水汽含量封装方法及其封装组件。其特点在于:在TO封装组件的底座上设计了充气孔,用于除气、充气处理和封焊焊缝的漏率检测,充气孔的设计改变了TO组件传统的封装方式。在带有充气孔结构的TO组件的基础上,本发明采用了一种两次封焊实现密封的TO封装组件封装方法。解决了TO封装结构低水汽含量封装的难题,封装体内部的水汽含量可以控制在500×10-6以内,气体纯度控制在99%以上,可以控制封装体内部的压力,对于低真空封装的产品,气压控制精度在±100Pa以内,并且可以对封装体进行精确的漏率检测,具有很高的效率和可靠性。

    一种高真空陶瓷LCC封装方法

    公开(公告)号:CN102040186B

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201010538418.X

    申请日:2010-11-09

    Abstract: 本发明属于MEMS器件封装技术领域,具体涉及一种高真空陶瓷LCC封装方法。按照本方法所述步骤依次经过等离子清洗、共晶贴片、引线互连、吸气剂激活和共晶封接完成封装的MEMS器件满足如下要求:封装腔体内的真空度小于1Pa,保存期限大于等于15年,实现了硅微陀螺Q值约为15万的封装。通过采用等离子清洗方法,提高了封装质量,降低了封装体的整体漏率,即外漏问题;通过选用与封接焊料相同的贴片焊料进行共晶的方法进行贴片,减少了封装体内部材料的放气量;通过吸气剂激活,可有效吸附封装体内释放的少量气体,保证了封装体内的较好真空度。

    一种高真空陶瓷LCC封装方法

    公开(公告)号:CN102040186A

    公开(公告)日:2011-05-04

    申请号:CN201010538418.X

    申请日:2010-11-09

    Abstract: 本发明属于MEMS器件封装技术领域,具体涉及一种高真空陶瓷LCC封装方法。按照本方法所述步骤依次经过等离子清洗、共晶贴片、引线互连、吸气剂激活和共晶封接完成封装的MEMS器件满足如下要求:封装腔体内的真空度小于1Pa,保存期限大于等于15年,实现了硅微陀螺Q值约为15万的封装。通过采用等离子清洗方法,提高了封装质量,降低了封装体的整体漏率,即外漏问题;通过选用与封接焊料相同的贴片焊料进行共晶的方法进行贴片,减少了封装体内部材料的放气量;通过吸气剂激活,可有效吸附封装体内释放的少量气体,保证了封装体内的较好真空度。

    一种TO封装结构低水汽含量封装方法

    公开(公告)号:CN102020235B

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201010540089.2

    申请日:2010-11-11

    Abstract: 本发明属于气密性封装技术领域,具体涉及一种TO封装结构低水汽含量封装方法及其封装组件。其特点在于:在TO封装组件的底座上设计了充气孔,用于除气、充气处理和封焊焊缝的漏率检测,充气孔的设计改变了TO组件传统的封装方式。在带有充气孔结构的TO组件的基础上,本发明采用了一种两次封焊实现密封的TO封装组件封装方法。解决了TO封装结构低水汽含量封装的难题,封装体内部的水汽含量可以控制在500×10-6以内,气体纯度控制在99%以上,可以控制封装体内部的压力,对于低真空封装的产品,气压控制精度在±100Pa以内,并且可以对封装体进行精确的漏率检测,具有很高的效率和可靠性。

    一种用于低水汽含量封装的除气充气设备

    公开(公告)号:CN201864557U

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN201020601949.4

    申请日:2010-11-11

    Abstract: 本实用新型涉及气密性封装领域,具体涉及一种用于低水汽含量封装的除气充气设备。其特点在于:由真空系统、工作系统、充气系统三部分组成的除气充气设备,能够在MEMS传感器封装前对零部件进行除气,通过监测与控制装置降低设备自身及零部件的水汽含量和残余气体;同时可以按照相应工艺要求控制充入工艺气体纯度和压强,进而满足器件封装后对内部水汽含量、工艺气体纯度和压强控制的要求。本实用新型可以保证微小型器件封装腔体内水汽含量小于500×10-6、工艺气体纯度高于99%、气压精度控制在±100Pa以内。

    一种高真空陶瓷LCC封装装置

    公开(公告)号:CN201864556U

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN201020600930.8

    申请日:2010-11-09

    Abstract: 本实用新型属于MEMS器件封装技术领域,具体涉及一种高真空陶瓷LCC封装装置。该装置真空室分别与冷却系统和真空泵组连接;真空室内设有配重导向板和配重,配重由配重导向板支撑和限位;下工装由固定支架固定支撑,固定支架固定在真空室的底板上;运动支架与上工装固连,配重导向板置于上工装上,运动支架通过传动杆与运动机构连接;热源与反射罩固定在固定支架上,热源固定于反射罩上面;在上工装与下工装之间平行布置有四块大小和高度不同的红外热挡板,分别由一根不锈钢杆支撑,不锈钢杆与运动机构连接。该装置解决了现有装置存在的工艺温度矛盾问题、快速升温问题、精确控温问题、精确对准和高真空度问题。

Patent Agency Ranking