公开(公告)号：CN117842930A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311648758.1

申请日：2023-12-04

Applicant: 北京自动化控制设备研究所

Inventor： 盛洁 ,  尚克军 ,  刘飞 ,  张菁华 ,  王登顺 ,  王妍妍

IPC: B81C3/00 ,  B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01C21/16

Abstract: 本发明提供一种用于惯性MEMS器件的敏感结构加工方法，该加工方法包括：步骤一、在衬底正面加工N个第一槽，用于对应待增厚的敏感结构释放；步骤二、在衬底正面除第一槽的位置加工引线；步骤三、在敏感结构层背面刻蚀第二槽，第二槽用于除待增厚的敏感结构之外的敏感结构释放；敏感结构层背面未加工第二槽的位置作为锚点；待增厚的敏感结构所在的位置需预留出锚点；步骤四、将敏感结构层背面与衬底正面进行键合，其中，任意第一槽与对应待增厚的敏感结构所在的位置的锚点正对，不发生键合；步骤五、对敏感结构层正面进行结构刻蚀，加工器件的敏感结构。本发明可以在保证非增厚敏感结构加工精度的条件下增大待增厚敏感结构厚度。