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公开(公告)号：CN114994362B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202210620692.4
申请日：2022-06-02
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01P15/08 , G01P15/125 , G01P21/00
Abstract: 本发明提供了一种Z轴加速度计敏感结构及Z轴加速度计，包括衬底和至少一个加速度计敏感结构组，加速度计敏感结构组包括两个加速度计敏感子结构，任一子结构均包括敏感质量块组、第一、第二偏置质量块、第一、第二弹簧支撑梁、第一、第二锚点单元、第一和第二极板，第一弹簧支撑梁分别与敏感质量块组的一侧以及第一锚点单元连接，第二弹簧支撑梁分别与敏感质量块组的另一侧以及第二锚点单元连接，第一偏置质量块与第二敏感质量块的一侧连接，第二偏置质量块与第二敏感质量块的另一侧连接，第一、第二极板与第一、第二敏感质量块一一相对设置。应用本发明的技术方案，以解决现有技术中Z轴加速度计零偏的稳定性和重复性差、滞回大的技术问题。
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公开(公告)号：CN117842930A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311648758.1
申请日：2023-12-04
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明提供一种用于惯性MEMS器件的敏感结构加工方法，该加工方法包括：步骤一、在衬底正面加工N个第一槽，用于对应待增厚的敏感结构释放；步骤二、在衬底正面除第一槽的位置加工引线；步骤三、在敏感结构层背面刻蚀第二槽，第二槽用于除待增厚的敏感结构之外的敏感结构释放；敏感结构层背面未加工第二槽的位置作为锚点；待增厚的敏感结构所在的位置需预留出锚点；步骤四、将敏感结构层背面与衬底正面进行键合，其中，任意第一槽与对应待增厚的敏感结构所在的位置的锚点正对，不发生键合；步骤五、对敏感结构层正面进行结构刻蚀，加工器件的敏感结构。本发明可以在保证非增厚敏感结构加工精度的条件下增大待增厚敏感结构厚度。
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公开(公告)号：CN112607703B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202011435359.3
申请日：2020-12-10
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: B81C1/00 , G01C19/5628
Abstract: 本发明提供了一种用于提升驱动增益的石英音叉敏感结构的制备方法，该制备方法包括：步骤一，根据音叉驱动梁结构设计上下表面具有凹槽结构的音叉敏感结构减薄光刻版图；步骤二，在石英晶片的正反两面均形成Cr/Au/Cr/Au掩膜；步骤三，形成音叉整体结构的Cr/Au/Cr/Au掩膜图形和挠性支撑的Cr/Au掩膜图形；步骤四，形成镂空的音叉结构及挠性支撑石英结构；步骤五，根据音叉敏感结构减薄光刻版图设计具有镂空区域的音叉敏感结构侧面电极加工用遮挡板；步骤六，制备音叉敏感结构的侧面电极和挠性支撑的表面电极引线。应用本发明的技术方案，能够解决现有技术中石英音叉的制备方法无法有效增加石英音叉敏感结构驱动端三维电极有效面积，导致无法有效提升驱动增益的技术问题。
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公开(公告)号：CN115865096A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211356551.2
申请日：2022-11-01
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明提供了一种分立式Sigma‑delta电路，该电路包括FPGA芯片、高速开关、载波发生模块以及依次连接的电荷转移模块、前置放大电路、A/D转换单元和解调滤波单元，FPGA芯片分别与高速开关、A/D转换单元和解调滤波单元连接，高速开关分别与载波发生模块、前置放大电路和电荷转移模块连接，载波发生模块与MEMS加速度计的输入端连接，电荷转移模块与MEMS加速度计的输出端连接。应用本发明的技术方案，以解决现有技术中流片开发周期长、改造难度大并受模拟器件适配影响导致误差较大的技术问题。
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公开(公告)号：CN119986043A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411959667.4
申请日：2024-12-30
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS加速度计测控与补偿电路，所述电路包括ARM芯片、载波发生模块、电荷放大器、前置放大器、A/D转换模块、解调滤波模块以及综合补偿模块；其中，利用ARM芯片控制载波发生模块，生成满足要求的数字合成正弦波；载波发生模块作用于MEMS加速度计上，加速度计敏感到的加速度信息被调制在载波发生模块中产生的正弦载波上，信号经过电荷放大器转换为电压信号，再经过前置放大变成强信号，该强信号被ARM芯片控制的A/D转换模块转换为数字信号，数字信号经过解调滤波模块后，经过综合补偿模块，得到最终的加速度输出。该方案可以根据不同的加速度计表头补偿各类误差，使得加速度计能够在一定的量程范围内稳定输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117949012A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311828547.6
申请日：2023-12-27
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明提供一种基于ARM的MEMS器件标度因数补偿系统，该系统包括ARM芯片、A/D转换模块、标度因数补偿模块和标准信息输出模块，其中，所述ARM芯片控制所述A/D转换模块采集MEMS器件未补偿前输出的传感器信息，并将该传感器信息采集进入ARM芯片，所述A/D转换模块将传感器信息转换之后输出至所述标度因数补偿模块，所述标准信息输出模块输出加速度/角速率标准信息至所述标度因数补偿模块，所述标度因数补偿模块根据其输入进行标度因数补偿。该技术方案可以根据不同的MEMS器件类型修正其标度因数误差，使得在MEMS器件规定的工作温度范围内标度因数能够满足要求的误差范围。
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公开(公告)号：CN111707250B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202010493576.1
申请日：2020-06-03
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C19/5607 , G01C19/5621 , F16F15/04 , F16F15/02
Abstract: 本发明涉及一种石英音叉陀螺减振装置，石英音叉(103)、组合梁(301)、膜状结构(302)以及管壳(303)。组合梁(301)包含四个呈空间S形分布弹性梁(311)，外侧与膜状结构(302)固定，内侧与石英音叉中心锚点(104)相连，膜状结构(303)。膜状结构(302)整体呈长方形，在与驱动叉指(105)和所述检测叉指(106)对应处开有豁口(320)。在不增大体积的条件下，能够有效隔离和衰减外界振动、冲击等力学输入，抑制应力。(302)的下部为用于提供稳定封闭环境的管壳
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公开(公告)号：CN112658457B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011435358.9
申请日：2020-12-10
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种带有减振功能的MEMS器件热压键合方法及工装，该方法包括：1)将载带支撑板固定在工装底板上；2)将载带放置在载带支撑板上；3)将载带压板放置在载带上；4)将载带金属腿压板放置在载带压板上以对载带的金属腿整形；5)取出整形后的载带；6)将传感器敏感结构固定在工装底板上；7)在传感器敏感结构上进行植球；8)对金球进行墩压；9)对准整形后的载带与顶部平整的金球；10)进行热压键合；11)分离工装底板和载带支撑板；12)对热压键合后的载带和传感器敏感结构组件进行外观检查和电气检查。应用本发明的技术方案，能够解决现有技术中带有减振功能的MEMS低应力贴片方法存在制备工艺复杂且制备精度和可靠性低的技术问题。
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公开(公告)号：CN112658457A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011435358.9
申请日：2020-12-10
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种带有减振功能的MEMS器件热压键合方法及工装，该方法包括：1)将载带支撑板固定在工装底板上；2)将载带放置在载带支撑板上；3)将载带压板放置在载带上；4)将载带金属腿压板放置在载带压板上以对载带的金属腿整形；5)取出整形后的载带；6)将传感器敏感结构固定在工装底板上；7)在传感器敏感结构上进行植球；8)对金球进行墩压；9)对准整形后的载带与顶部平整的金球；10)进行热压键合；11)分离工装底板和载带支撑板；12)对热压键合后的载带和传感器敏感结构组件进行外观检查和电气检查。应用本发明的技术方案，能够解决现有技术中带有减振功能的MEMS低应力贴片方法存在制备工艺复杂且制备精度和可靠性低的技术问题。
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公开(公告)号：CN111964691A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010678991.4
申请日：2020-07-15
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
IPC: G01C25/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS惯性器件敏感结构频率测试装置及方法，包括电动XY轴移动台(4)、承片台(2)、压电陶瓷(3)，所述压电陶瓷(3)刚性连接在承片台(2)下方，承片台(2)固定在电动XY轴移动台(4)上。通过信号发生器和功放装置驱动压电陶瓷(3)振动，按照wafer基片敏感结构上的顺序使多普勒测量仪对准其中一支敏感结构的驱动端位置，获得扫频周期内驱动端振动幅值最大点，所对应的频率即为该敏感结构的驱动谐振频率。本发明效率高、成本低。
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