基板处理装置
    1.
    发明公开
    基板处理装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117219537A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202310682656.5

    申请日:2023-06-09

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置,能够防止颗粒的附着。基板处理装置具备:处理槽;腔室,其包围处理槽;溶剂蒸气喷嘴,其设置在腔室内,且配置在比处理槽高的位置;排气泵,其配置在比处理槽的上表面低的位置,从排气口对腔室内进行排气;基板保持部,其具有保持以隔开预定间隔且以铅垂姿势对置的方式排成一列配置的多个基板的保持部件以及对保持部件的基端部进行支撑的背板,能够在腔室内且遍及处理槽内的位置和处理槽的上方的位置而移动;遮蔽板,其在基板保持部位于处理槽的上方的位置的状态下,设置在多个基板中的最远离背板的前端基板与保持部件的前端部侧所对置的腔室的侧壁之间。

    基板处理装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108475628A

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201680077170.7

    申请日:2016-10-21

    CPC classification number: H01L21/304

    Abstract: 本发明的基板处理装置中,从喷出管(7)向供给位置(SP)供给的处理液的液流,通过液流分散构件(8)被大致分散为朝向处理槽(1)中央的底面侧液流、以及朝向处理槽(1)中央的斜上方的液流这两个部分。因此,由于能够使较强的液流分散为在处理槽(1)的中央部上升的处理液的液流,以及从斜下方与该液流合流的液流,因此该液流在基板(W)表面的中央部以相对较宽的宽度上升。其结果是,由于能缓和在基板(W)表面附近的处理液流动的差异,因此能够提高处理的面内均匀性。

    基板处理装置
    3.
    发明公开
    基板处理装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN119771644A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411377939.X

    申请日:2024-09-30

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置,具备:多个第一雾喷嘴,其设置在腔室内,并以预先设定的第二间隔沿着多张基板的排列而配置;以及多个第二雾喷嘴,其设置在腔室内,并以第二间隔沿着多张基板的排列而配置。多个第一雾喷嘴在俯视时隔着多张基板配置于多个第二雾喷嘴的相反侧。第一雾喷嘴以及第二雾喷嘴在俯视时以朝向多张基板的方式配置。多个第一雾喷嘴相对于多个第二雾喷嘴在多张基板W的排列方向上错开第二间隔的一半的长度而配置。第一雾喷嘴以及第二雾喷嘴分别喷出雾状以及液滴状中的至少一种液体。

    基板处理装置和基板处理方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117160955A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202310647054.6

    申请日:2023-06-02

    Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备:处理槽,其贮存处理液;腔室,其包围处理槽;溶剂蒸气喷嘴,其向腔室内供给溶剂蒸气;清洗液喷嘴,其向腔室内供给清洗液;以及控制部。控制部在预先设定的期间进行浸渍处理和干燥处理,该浸渍处理使基板浸渍在贮存于处理槽的处理液中,该干燥处理使用从溶剂蒸气喷嘴供给的溶剂蒸气,使在处理液中被处理并被从处理槽提起的基板干燥。控制部从清洗液喷嘴向腔室内供给清洗液,并使处理槽浸渍在贮存于腔室的清洗液中,从而进行对包括处理槽的外壁的腔室内进行清洗的腔室清洗处理。

    基板处理方法以及基板处理装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115692173A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202210898032.2

    申请日:2022-07-28

    Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括第一气体处理工序、疏水处理工序以及散布工序。在第一气体处理工序中,在腔室(3)的内部经减压的状态(D)下,将第一气体(G1)供给至腔室(3)内的基板(W)。第一气体(G1)包含有机溶剂的气体。疏水处理工序是在第一气体处理工序之后执行。在疏水处理工序中,腔室(3)的内部处于经减压的状态(D),将疏水剂(H)供给至腔室(3)内的基板(W)。散布工序是在疏水处理工序之后执行。在散布工序中,腔室(3)的内部处于经减压的状态(D),将第一液(L1)散布至腔室(3)内的基板(W)。第一液(L1)包含有机溶剂的液体。

    基板处理装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108475628B

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN201680077170.7

    申请日:2016-10-21

    Abstract: 本发明的基板处理装置中,从喷出管(7)向供给位置(SP)供给的处理液的液流,通过液流分散构件(8)被大致分散为朝向处理槽(1)中央的底面侧液流、以及朝向处理槽(1)中央的斜上方的液流这两个部分。因此,由于能够使较强的液流分散为在处理槽(1)的中央部上升的处理液的液流,以及从斜下方与该液流合流的液流,因此该液流在基板(W)表面的中央部以相对较宽的宽度上升。其结果是,由于能缓和在基板(W)表面附近的处理液流动的差异,因此能够提高处理的面内均匀性。

    基板处理方法以及基板处理装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115692255A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202210898031.8

    申请日:2022-07-28

    Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括第一减压工序、第一加压工序以及第一常压工序。在第一减压工序中,腔室(3)的内部处于经减压的状态(D),将第一气体(G1)供给至腔室(3)内的基板(W)。第一气体(G1)包含有机溶剂。第一加压工序是在第一减压工序之后执行。在第一加压工序中,将混合气体(K)供给至腔室(3)内的基板(W),腔室(3)的内部从经减压的状态(D)被加压至常压状态(J)。混合气体(K)包含有机溶剂与惰性气体。第一常压工序是在第一加压工序之后执行。在第一常压工序中,腔室(3)的内部保持为常压状态(J),进行排液处理以及基板处理中的至少任一种。

    基板处理装置及基板处理方法

    公开(公告)号:CN108511320B

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN201810161160.2

    申请日:2018-02-27

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于高精度地测定在基板的处理中使用的处理液的压力的基板处理装置及基板处理方法。一种基板处理装置具有:第一槽(14),贮存用于处理基板(12)的处理液(30);第一路径(20),使从第一槽的上部溢出的处理液回流到第一槽的下部。此外,设置有:第二路径(22),从第一路径分支;测定槽(24),贮存从第二路径流入的处理液;压力测定部(26),在从测定槽的上部溢出处理液的状态下,测定在测定槽内的规定深度处的处理液的压力。

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