多室型热处理装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110662848A

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201880034870.7

    申请日:2018-05-28

    Abstract: 本多室型热处理装置(A、A1、A2、A3)中多个中间输送装置相互连接(1、3、31、6),该中间输送装置(1、3、31、6)安装有对被处理物(X)实施规定的热处理的处理装置并且将所述被处理物输送到所述处理装置的中间输送装置(1、3、31、6),所述处理装置分别是对所述被处理物实施正式处理的正式处理装置(7A~7D)、在所述正式处理之前对所述被处理物实施预热处理的预热装置(4A~4H)以及对所述正式处理之后的所述被处理物实施冷却处理的冷却装置(R、S)中的任一种。

    离子注入装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101416270B

    公开(公告)日:2011-03-23

    申请号:CN200780012023.2

    申请日:2007-03-27

    Abstract: 本发明涉及使质量分离了的离子束对基板照射进行离子注入的质量分离型离子注入装置。在具备接收来自质量分离电磁铁(17)的离子束(1)、分选所希望的离子并使其通过的分离狭缝(20)的离子注入装置(10)中,分离狭缝(20)以使离子束(1)通过的缝隙形状是可变的方式构成。此外,离子注入装置(10)具备可变狭缝(30),其配置在引出电极系统(15)和质量分离电磁铁(17)之间,形成离子束(1)通过的缝隙,该可变狭缝(30)以遮蔽从离子源(12)引出的离子束(1)的一部分的方式可变地构成缝隙形状。该离子注入装置(10)具备分离狭缝(20)可变狭缝(30)的双方也可,具备任一方也可。

    离子注入装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101416270A

    公开(公告)日:2009-04-22

    申请号:CN200780012023.2

    申请日:2007-03-27

    Abstract: 本发明涉及使质量分离了的离子束对基板照射进行离子注入的质量分离型离子注入装置。在具备接收来自质量分离电磁铁(17)的离子束(1)、分选所希望的离子并使其通过的分离狭缝(20)的离子注入装置(10)中,分离狭缝(20)以使离子束(1)通过的缝隙形状是可变的方式构成。此外,离子注入装置(10)具备可变狭缝(30),其配置在引出电极系统(15)和质量分离电磁铁(17)之间,形成离子束(1)通过的缝隙,该可变狭缝(30)以遮蔽从离子源(12)引出的离子束(1)的一部分的方式可变地构成缝隙形状。该离子注入装置(10)具备分离狭缝(20)可变狭缝(30)的双方也可,具备任一方也可。

Patent Agency Ranking