公开(公告)号：KR1020120106650A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：KR1020120027233

申请日：2012-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가끼모또아끼노부 ,  다까기사또시 ,  이께우찌도시유끼 ,  고모리가쯔히꼬 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45546 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32779 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A method and apparatus for forming a film are provided to fill a space without a void by forming an oxide silicon film in a line space pattern. CONSTITUTION: A plurality of substrates(W) with a pattern including a concave part are mounted in a reaction tube. An oxide silicon film(61) is formed on the plurality of the substrates by supplying silicon containing gas and oxygen containing gas to the reaction tube. The oxide silicon film is etched by supplying fluoride-containing gas and ammonia gas to the reaction tube. A film forming process and an etching process are alternatively repeated.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成膜的方法和装置，以通过在线空间图案中形成氧化硅膜来填充空隙而不产生空隙。 构成：具有包括凹部的图案的多个基板（W）安装在反应管中。 通过向反应管供给含硅气体和含氧气体，在多个基板上形成氧化物硅膜（61）。 通过向反应管供给含氟化物的气体和氨气来蚀刻氧化物硅膜。 交替重复成膜处理和蚀刻处理。

公开(公告)号：KR1020120074238A

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：KR1020110142061

申请日：2011-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가끼모또아끼노부 ,  엔도오아쯔시 ,  구보가즈미

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C16/402

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for forming an oxide film on carbon film are provided to prevent a reduction of an amorphous carbon film by forming an object-to-be-oxidized layer and a silicon oxide film in in-situ. CONSTITUTION: A silicon substrate(1) is prepared. A carbon film(2) is formed on the silicon substrate. A seed layer(3) is formed on the carbon film by providing amino-silane based gas to a surface of the carbon film. A silicon layer(4) is formed on the seed layer by providing silane based gas to a surface of the seed layer. A silicon oxide film(6) is formed on the silicon layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于在碳膜上形成氧化膜的方法和装置，以通过原地形成待氧化物体层和氧化硅膜来防止无定形碳膜的还原。 构成：制备硅衬底（1）。 在硅衬底上形成碳膜（2）。 通过在碳膜的表面上提供氨基硅烷基气体，在碳膜上形成种子层（3）。 通过向种子层的表面提供硅烷基气体，在种子层上形成硅层（4）。 在硅层上形成氧化硅膜（6）。

公开(公告)号：KR101514867B1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：KR1020120027233

申请日：2012-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가끼모또아끼노부 ,  다까기사또시 ,  이께우찌도시유끼 ,  고모리가쯔히꼬 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

Abstract: 오목부를 포함하는 패턴이 형성된 복수의 기판을 다단으로 하여 반응관에 탑재하는 스텝과, 실리콘 함유 가스 및 산소 함유 가스를 상기 반응관에 공급함으로써, 상기 복수의 기판 상에 산화 실리콘막을 성막하는 성막 스텝과, 불산 가스 및 암모니아 가스를 상기 반응관에 공급함으로써, 상기 성막 스텝에 있어서 성막된 상기 산화 실리콘막을 에칭하는 에칭 스텝을 포함하고, 상기 성막 스텝과 상기 에칭 스텝이 교대로 반복되는 성막 방법이 개시된다.

Abstract translation: 通过向所述反应管供应含硅气体和含氧气体，在所述多个基板上形成氧化硅膜的步骤; 并且，通过供给HF气体和氨气到反应管中，该膜的形成方法包括在所述沉积步骤中蚀刻所述氧化硅膜的沉积的蚀刻步骤中，在沉积步骤和蚀刻步骤反复交替启动 是的。

公开(公告)号：KR101475557B1

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：KR1020110142061

申请日：2011-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가끼모또아끼노부 ,  엔도오아쯔시 ,  구보가즈미

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C16/402

Abstract: 본발명의과제는카본막상에산화물막을형성해도, 카본막의막 두께감소를억제하는것이가능한카본막상으로의산화물막의성막방법을제공하는것이다. 피처리체상에카본막을형성하는공정(스텝 1)과, 카본막상에피산화체층을형성하는공정(스텝 2)과, 피산화체층을산화시키면서, 피산화체층상에산화물막을형성하는공정(스텝 3)을구비한다.