公开(公告)号：KR1020060044968A

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：KR1020050026283

申请日：2005-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다까하시유따까 ,  다까기사또시 ,  도미따마사히꼬

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명의 과제는, 예를 들어 게이트 절연막 상의 게이트 전극으로서 이용되는 폴리 실리콘막을 형성할 때, 후공정에서 상기 폴리 실리콘막으로 도전성 불순물 원소를 첨가하였을 때에, 도전성 불순물 원소의 폴리 실리콘막의 두께 방향으로의 관통을 방지하도록, 구상 결정의 집합체를 포함하는 폴리 실리콘막을 형성하는 것이다.
피처리체를 예를 들어 580 ℃로 가열하여 비정질 실리콘막을 형성하고, 이어서 상기 피처리체를 예를 들어 620 ℃로 가열함으로써, 상기 비정질 실리콘막을 폴리화하여 폴리 실리콘막을 형성한다. 이러한 폴리 실리콘막은 구상 결정의 집합체 또는 방추형 결정과 구상 결정의 혼합체로 이루어지고, 미결정 입자의 입계가 여러 가지의 방향을 향하고 있으므로, 후공정에서 상기 폴리 실리콘막으로 불순물 원소를 첨가하였을 때에, 도전성 불순물 원소가 상기 입계로 트랩되고, 상기 불순물 원소의 폴리 실리콘막의 두께 방향으로의 관통을 방지할 수 있다.
반도체 웨이퍼, 반응 용기, 웨이퍼 보우트, 가스 공급부, 제어부, 가열로

公开(公告)号：KR1020080100784A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：KR1020080043927

申请日：2008-05-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  다까기사또시 ,  손량 ,  도미따마사히꼬 ,  도네가와야마또 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: B08B5/00 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3185 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S438/905

Abstract: The film forming apparatus for processing the semiconductor and the method of using the same are provided to prevent the contamination of the film. The method of use of the film forming apparatus for the semiconductor processing is provided. A process is for setting up the reaction chamber of the film forming apparatus as the idle state which does not receive the processed substrate for product. A process is for performing the fuzzy treatment to remove the contaminant existing in the inner surface of the reaction chamber. The radicals are obtained by activating the fuzzy treatment gas including the oxygen and hydrogen. The radicals are activated in the inner surface of the reaction chamber.

Abstract translation: 提供了用于处理半导体的成膜装置及其使用方法，以防止膜的污染。 提供了用于半导体处理的成膜装置的使用方法。 一种方法是将成膜装置的反应室设置为不接收用于产品的处理衬底的空闲状态。 一个过程是进行模糊处理以去除存在于反应室内表面中的污染物。 通过激活包括氧和氢的模糊处理气体获得自由基。 自由基在反应室的内表面被活化。

公开(公告)号：KR1020120106650A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：KR1020120027233

申请日：2012-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가끼모또아끼노부 ,  다까기사또시 ,  이께우찌도시유끼 ,  고모리가쯔히꼬 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45546 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32779 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A method and apparatus for forming a film are provided to fill a space without a void by forming an oxide silicon film in a line space pattern. CONSTITUTION: A plurality of substrates(W) with a pattern including a concave part are mounted in a reaction tube. An oxide silicon film(61) is formed on the plurality of the substrates by supplying silicon containing gas and oxygen containing gas to the reaction tube. The oxide silicon film is etched by supplying fluoride-containing gas and ammonia gas to the reaction tube. A film forming process and an etching process are alternatively repeated.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成膜的方法和装置，以通过在线空间图案中形成氧化硅膜来填充空隙而不产生空隙。 构成：具有包括凹部的图案的多个基板（W）安装在反应管中。 通过向反应管供给含硅气体和含氧气体，在多个基板上形成氧化物硅膜（61）。 通过向反应管供给含氟化物的气体和氨气来蚀刻氧化物硅膜。 交替重复成膜处理和蚀刻处理。

公开(公告)号：KR100940377B1

公开(公告)日：2010-02-02

申请号：KR1020050026283

申请日：2005-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다까하시유따까 ,  다까기사또시 ,  도미따마사히꼬

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명의 과제는, 예를 들어 게이트 절연막 상의 게이트 전극으로서 이용되는 폴리 실리콘막을 형성할 때, 후공정에서 상기 폴리 실리콘막으로 도전성 불순물 원소를 첨가하였을 때에, 도전성 불순물 원소의 폴리 실리콘막의 두께 방향으로의 관통을 방지하도록, 구상 결정의 집합체를 포함하는 폴리 실리콘막을 형성하는 것이다.
피처리체를 예를 들어 580 ℃로 가열하여 비정질 실리콘막을 형성하고, 이어서 상기 피처리체를 예를 들어 620 ℃로 가열함으로써, 상기 비정질 실리콘막을 폴리화하여 폴리 실리콘막을 형성한다. 이러한 폴리 실리콘막은 구상 결정의 집합체 또는 방추형 결정과 구상 결정의 혼합체로 이루어지고, 미결정 입자의 입계가 여러 가지의 방향을 향하고 있으므로, 후공정에서 상기 폴리 실리콘막으로 불순물 원소를 첨가하였을 때에, 도전성 불순물 원소가 상기 입계로 트랩되고, 상기 불순물 원소의 폴리 실리콘막의 두께 방향으로의 관통을 방지할 수 있다.
반도체 웨이퍼, 반응 용기, 웨이퍼 보우트, 가스 공급부, 제어부, 가열로

公开(公告)号：KR101514867B1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：KR1020120027233

申请日：2012-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가끼모또아끼노부 ,  다까기사또시 ,  이께우찌도시유끼 ,  고모리가쯔히꼬 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

Abstract: 오목부를 포함하는 패턴이 형성된 복수의 기판을 다단으로 하여 반응관에 탑재하는 스텝과, 실리콘 함유 가스 및 산소 함유 가스를 상기 반응관에 공급함으로써, 상기 복수의 기판 상에 산화 실리콘막을 성막하는 성막 스텝과, 불산 가스 및 암모니아 가스를 상기 반응관에 공급함으로써, 상기 성막 스텝에 있어서 성막된 상기 산화 실리콘막을 에칭하는 에칭 스텝을 포함하고, 상기 성막 스텝과 상기 에칭 스텝이 교대로 반복되는 성막 방법이 개시된다.

Abstract translation: 通过向所述反应管供应含硅气体和含氧气体，在所述多个基板上形成氧化硅膜的步骤; 并且，通过供给HF气体和氨气到反应管中，该膜的形成方法包括在所述沉积步骤中蚀刻所述氧化硅膜的沉积的蚀刻步骤中，在沉积步骤和蚀刻步骤反复交替启动 是的。

公开(公告)号：KR101139078B1

公开(公告)日：2012-04-30

申请号：KR1020080043927

申请日：2008-05-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  다까기사또시 ,  손량 ,  도미따마사히꼬 ,  도네가와야마또 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: B08B5/00 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3185 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S438/905

Abstract: A method for using a film formation apparatus for a semiconductor process includes setting an idling state where a reaction chamber of the film formation apparatus accommodates no product target substrate therein, and then, performing a purging process of removing a contaminant present in an inner surface of the reaction chamber by causing radicals to act on the inner surface of the reaction chamber. The radicals are generated by activating a purging process gas containing oxygen and hydrogen as elements.

公开(公告)号：KR100860683B1

公开(公告)日：2008-09-26

申请号：KR1020040074054

申请日：2004-09-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  다까하시유따까 ,  우메자와고오따 ,  다까기사또시 ,  오까다미쯔히로 ,  지바다까시 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명의 과제는 불순물의 관통을 방지하는 것이 가능한 절연층을 형성할 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다.
표면에 SiO
2 막, 혹은 SiON막으로 이루어지는 베이스막이 형성되어 있는 복수매의 피처리체(W)에 성막을 실시하는 방법에 있어서, 복수매의 피처리체를 소정의 간격을 두고 다단으로 수용한 처리 용기 내에 디클로로실란, 헥사클로로디실란, 테트라클로로실란으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 원료 가스와 암모니아 가스를 교대로 복수회 반복해서 공급하여 낮은 프로세스 온도에서 베이스막 상에 얇은 실리콘 질화막을 적층하도록 성막한다. 이에 의해, 적층 실리콘 질화막의 막질이 개선되어 불순물의 관통을 대폭으로 억제한다.
베이스막, 적층 실리콘 질화막, CVD 절연층, 반도체 웨이퍼

公开(公告)号：KR1020050028321A

公开(公告)日：2005-03-22

申请号：KR1020040074054

申请日：2004-09-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  다까하시유따까 ,  우메자와고오따 ,  다까기사또시 ,  오까다미쯔히로 ,  지바다까시 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: A film forming method is provided to greatly control penetration of impurities and avoid a shift of a flat band voltage or deterioration of mobility by forming a thin silicon nitride layer. A plurality of objects to be processed are received at regular intervals in a receptacle. One of material gas selected from a group of a dichlorosilane, hexachlorodisilane and tetrachlorosilane and ammonia gas are alternatively and repeatedly supplied to stack a thin silicon nitride layer on a base layer at a low process temperature.

Abstract translation: 提供了一种成膜方法以大大地控制杂质的渗透，并通过形成薄的氮化硅层来避免平带电压的偏移或迁移率的劣化。 待处理的多个物体以规则的间隔接收在容器中。 交替地并且重复地提供选自二氯硅烷，六氯二硅烷和四氯硅烷和氨气中的一种材料气体，以在低的工艺温度下在基底层上堆叠薄的氮化硅层。