公开(公告)号：KR100919076B1

公开(公告)日：2009-09-28

申请号：KR1020050015677

申请日：2005-02-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오끼기미야 ,  스즈끼게이스께 ,  이께우찌도시유끼

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109

Abstract: 본 발명의 과제는 프로세스 온도를 고온화하는 일 없이, 텅스텐층의 산화를 억제하면서 실리콘층의 표면을 선택적으로 또한 효율적으로 산화하는 것이 가능한 피처리체의 산화 방법을 제공하는 데 있다.
소정의 길이를 갖는 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(22) 내에 실리콘층과 텅스텐층이 표면에 노출되어 있는 피처리체(W)를 복수매 수용하고, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하여 상기 피처리체의 실리콘층의 표면을 선택적으로 산화하도록 한 피처리체의 산화 방법에 있어서, 상기 처리 가스로서 산화성 가스와 환원성 가스를 이용하고, 상기 양 가스를 감압 하에서 반응시켜 산소 활성종과 수산기 활성종을 발생시킴으로써 상기 실리콘층의 표면을 산화한다. 이에 의해, 프로세스 온도를 고온화하는 일 없이, 텅스텐층의 산화를 억제하면서 실리콘층의 표면을 선택적으로 또한 효율적으로 산화한다.

公开(公告)号：KR1020060044582A

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：KR1020050023875

申请日：2005-03-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈끼게이스께 ,  이께우찌도시유끼 ,  아오끼기미야

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C8/12 ,  C23C8/16 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: 본 발명의 과제는 표면에 노출되어 있는 이종(異種) 재료의 표면에 대해 충분한 선택 산화 처리를 행할 수 있고, 게다가 그 막 두께의 면간 균일성도 높게 유지하는 것이 가능한 피처리체의 산화 방법을 제공하는 것이다.
소정의 길이를 갖는 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(22) 내에 실리콘층과 실리콘 질화층이 표면에 노출되어 있는 피처리체(W)를 복수매 수용하고, 상기 처리 용기 내에 산화성 가스와 환원성 가스를 공급하여 상기 양 가스를 반응시킴으로써 발생된 산소 활성종과 수산기 활성종을 갖는 분위기 중에서 상기 피처리체의 표면을 선택적으로 산화하도록 한 피처리체의 산화 방법에 있어서, 상기 산화성 가스와 상기 환원성 가스를 상기 처리 용기의 길이 방향의 일단부측으로부터 공급하는 동시에, 상기 산화성 가스를 상기 처리 용기의 길이 방향의 도중에 보조적으로 공급한다.
처리 용기, 피처리체, 웨이퍼 보트, 가열 수단, 산화 장치

公开(公告)号：KR1020050030625A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：KR1020047021366

申请日：2003-08-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈끼게이스께 ,  왕웬링 ,  요네까와쯔까사 ,  이께우찌도시유끼 ,  사또오도오루

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/20 ,  Y10T436/25

Abstract: A heat treatment method having a step wherein plural zones of a heat treatment atmosphere in a reactor are respectively heated by plural heating means and a step wherein a thin film is formed on surfaces of plural substrates by introducing a treatment gas into the reactor. The heat treatment steps include a first heat treatment step wherein plural first substrates, each of which consumes less treatment gas than a product substrate, are used; a first measuring step wherein the thickness of a thin film is measured in each zone; a first setting step wherein a temperature preset value is set in each heating means so that the thickness of each film reaches the target value; a second heat treatment step wherein the preset temperature is used for plural second substrates, each of which consumes more treatment gas than the first substrate; a second measuring step wherein the thickness of a thin film formed on a surface of the second substrate is measured in each zone; a second correcting step wherein the preset temperature set in each heating means is corrected; and a third heat treatment step wherein the heat treatment steps are conducted on plural product substrates using the corrected temperature preset value.

Abstract translation: 一种具有以下步骤的热处理方法，其中反应器中的热处理气氛的多个区域分别被多个加热装置加热，并且通过将处理气体引入反应器中而在多个基板的表面上形成薄膜的步骤。 热处理步骤包括第一热处理步骤，其中使用多个第一衬底，每个第一衬底比产品衬底消耗更少的处理气体; 第一测量步骤，其中在每个区域中测量薄膜的厚度; 第一设定步骤，其中在每个加热装置中设置温度预设值，使得每个胶片的厚度达到目标值; 第二热处理步骤，其中预设温度用于多个第二基板，每个基板消耗比第一基板更多的处理气体; 第二测量步骤，其中在每个区域中测量形成在第二基板的表面上的薄膜的厚度; 第二校正步骤，其中校正在每个加热装置中设置的预设温度; 以及第三热处理步骤，其中使用校正的温度预设值对多个产品基板进行热处理步骤。

公开(公告)号：KR101201652B1

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：KR1020080012970

申请日：2008-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시바따데쯔야 ,  우메자와고오따 ,  이께우찌도시유끼

IPC: H01L21/324

Abstract: 반도체 처리용 열처리 방법은 처리 용기의 처리 영역 내에 간격을 두고 적층된 상태에서 복수의 피처리 기판을 수납한다. 피처리 기판은 처리 대상층을 표면에 갖는다. 다음에, 처리 영역에 산화성 가스 및 환원성 가스를 공급하는 동시에, 처리 영역을 가열함으로써 산화성 가스 및 환원성 가스를 반응시켜 산소 활성종과 수산기 활성종을 발생시키고, 산소 활성종과 수산기 활성종을 사용하여 피처리 기판 상의 처리 대상층에 대해 산화를 행한다. 다음에, 산화 후의 처리 대상층을 오존 또는 산화성 활성종으로 이루어지는 어닐 가스의 분위기 중에서 가열함으로써 처리 대상층에 대해 어닐을 행한다.
반도체 처리용 열처리 장치, 피처리 기판, 산화성 가스, 환원성 가스, 어닐 가스

公开(公告)号：KR100888539B1

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：KR1020050012519

申请日：2005-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈끼게이스께 ,  이께우찌도시유끼 ,  우메자와고오따

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67757

Abstract: 본 발명의 과제는 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 높게 유지하는 것이 가능한 피처리체의 산화 방법을 제공하는 것이다.
소정의 길이를 갖는 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(22) 내에 피처리체(W)를 복수매 수용하고, 상기 처리 용기 내에 산화성 가스와 환원성 가스를 공급하여 상기 양 가스를 반응시킴으로써 발생한 산소 활성종과 수산기 활성종을 갖는 분위기 중에서 상기 피처리체의 표면을 산화하도록 한 피처리체의 산화 방법에 있어서, 상기 산화성 가스를 상기 처리 용기의 길이 방향의 일단부측으로부터 공급하고, 상기 환원성 가스를 상기 처리 용기의 길이 방향의 다른 위치에 설치한 복수의 가스 분사구로부터 공급할 수 있게 하는 동시에, 상기 처리 용기 내의 상기 피처리체의 수용 매수와 수용 위치에 따라서 상기 가스 분사구 중 어느 하나를 선택하고, 상기 선택된 가스 분사구로부터 환원성 가스를 공급한다. 이에 의해, 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 높게 유지한다.
산화 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 가열 수단, 가스 분사구

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种氧化待加工物体的方法，该方法能够保持各层之间的膜厚度的高度均匀性。

公开(公告)号：KR1020060083831A

公开(公告)日：2006-07-21

申请号：KR1020050018908

申请日：2005-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈끼게이스께 ,  이께우찌도시유끼 ,  우메자와고오따

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02271 ,  H01L21/22

Abstract: 본 발명의 과제는 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 높게 유지하는 것이 가능한 피처리체의 산화 방법, 산화 장치 및 이를 제어하는 프로그램을 기억하는 기억 매체를 제공하는 것이다.
소정의 길이를 갖는 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(22) 내에 피처리체(W)를 복수매 수용하고, 상기 처리 용기 내에 산화성 가스와 환원성 가스를 공급하여 상기 양 가스를 반응시킴으로써 발생한 산소 활성종과 수산기 활성종을 갖는 분위기 중에서 상기 피처리체의 표면을 산화하도록 한 피처리체의 산화 방법에 있어서, 상기 산화성 가스를 상기 처리 용기의 길이 방향의 일단부측으로부터 공급하고, 상기 환원성 가스를 상기 처리 용기의 길이 방향의 다른 위치에 설치한 복수의 가스 분사구로부터 공급할 수 있게 하는 동시에, 상기 처리 용기 내의 상기 피처리체의 수용 매수와 수용 위치에 따라서 상기 가스 분사구 중 어느 하나를 선택하고, 상기 선택된 가스 분사구로부터 환원성 가스를 공급한다. 이에 의해, 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 높게 유지한다.
산화 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 가열 수단, 가스 분사구

公开(公告)号：KR1020120106650A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：KR1020120027233

申请日：2012-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가끼모또아끼노부 ,  다까기사또시 ,  이께우찌도시유끼 ,  고모리가쯔히꼬 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45546 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32779 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A method and apparatus for forming a film are provided to fill a space without a void by forming an oxide silicon film in a line space pattern. CONSTITUTION: A plurality of substrates(W) with a pattern including a concave part are mounted in a reaction tube. An oxide silicon film(61) is formed on the plurality of the substrates by supplying silicon containing gas and oxygen containing gas to the reaction tube. The oxide silicon film is etched by supplying fluoride-containing gas and ammonia gas to the reaction tube. A film forming process and an etching process are alternatively repeated.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成膜的方法和装置，以通过在线空间图案中形成氧化硅膜来填充空隙而不产生空隙。 构成：具有包括凹部的图案的多个基板（W）安装在反应管中。 通过向反应管供给含硅气体和含氧气体，在多个基板上形成氧化物硅膜（61）。 通过向反应管供给含氟化物的气体和氨气来蚀刻氧化物硅膜。 交替重复成膜处理和蚀刻处理。

公开(公告)号：KR100888312B1

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：KR1020040067672

申请日：2004-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈끼게이스께 ,  이께우찌도시유끼 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C8/16 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: 본 발명의 과제는 매우 막 두께가 얇은 산화막을, 촉매 등을 이용하는 일 없이 막 두께 제어성이 좋은 상태에서 성막할 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다.
진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(4) 내에 수소와 산소를 도입하여 양 가스를 연소시킴으로써 수증기를 발생시키고, 상기 수증기에 의해 피처리체의 표면을 산화 처리하도록 한 산화 방법에 있어서, 상기 처리 용기 내의 프로세스 압력을 2000 Pa(15 Torr) 이상이 되도록 설정한다. 이에 의해, 산화에 기여하는 산화종을 수소나 산소의 활성종으로부터 수증기로 이행시켜 두께가 매우 얇은, 예를 들어 2 ㎚ 정도의 박막을 형성하는 경우라도 그 막 두께의 제어성을 향상시킨다.
열처리 장치, 처리 용기, 가열 히터, 피처리체, 수소 도입 노즐, 산소 도입 노즐

公开(公告)号：KR1020080076766A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：KR1020080012970

申请日：2008-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시바따데쯔야 ,  우메자와고오따 ,  이께우찌도시유끼

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554

Abstract: A heat processing method and apparatus for a semiconductor process, and a computer readable medium are provided to enable an oxide layer or an oxide nitride layer having excellent electric characteristics to be formed. A heat processing method for a semiconductor process includes receiving a plurality of processed substrates in a process region(5) of a process vessel(4); supplying oxidizing gas and reducing gas in the process region, heating the process region to react the oxidizing gas and the reducing gas in order to produce active oxygen species and active hydro-species; oxidizing a target layer to be processed on the substrates using the active oxygen species and active hydro-species; and heating the target layer under anneal gas atmosphere composed of active ozone or oxidizing species.

Abstract translation: 提供了一种用于半导体处理的热处理方法和装置以及计算机可读介质，以能够形成具有优异电特性的氧化物层或氧化物氮化物层。 一种用于半导体工艺的热处理方法包括在处理容器（4）的处理区域（5）中接收多个经处理的衬底; 在工艺区域供应氧化气体和还原气体，加热工艺区域以使氧化气体和还原气体反应，以产生活性氧和活性水物; 使用活性氧和活性水族物质在底物上氧化待处理的靶层; 并在由活性臭氧或氧化物质组成的退火气体气氛下加热目标层。

公开(公告)号：KR1020060041970A

公开(公告)日：2006-05-12

申请号：KR1020050012519

申请日：2005-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈끼게이스께 ,  이께우찌도시유끼 ,  우메자와고오따

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67757

Abstract: 본 발명의 과제는 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 높게 유지하는 것이 가능한 피처리체의 산화 방법을 제공하는 것이다.
소정의 길이를 갖는 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(22) 내에 피처리체(W)를 복수매 수용하고, 상기 처리 용기 내에 산화성 가스와 환원성 가스를 공급하여 상기 양 가스를 반응시킴으로써 발생한 산소 활성종과 수산기 활성종을 갖는 분위기 중에서 상기 피처리체의 표면을 산화하도록 한 피처리체의 산화 방법에 있어서, 상기 산화성 가스를 상기 처리 용기의 길이 방향의 일단부측으로부터 공급하고, 상기 환원성 가스를 상기 처리 용기의 길이 방향의 다른 위치에 설치한 복수의 가스 분사구로부터 공급할 수 있게 하는 동시에, 상기 처리 용기 내의 상기 피처리체의 수용 매수와 수용 위치에 따라서 상기 가스 분사구 중 어느 하나를 선택하고, 상기 선택된 가스 분사구로부터 환원성 가스를 공급한다. 이에 의해, 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 높게 유지한다.
산화 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 가열 수단, 가스 분사구