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公开(公告)号：KR101739592B1
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020100105149
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: 본발명은유도결합형의플라즈마처리장치에있어서방위각방향에있어서의플라즈마밀도분포의균일성을개선하기위한것이다. 본발명의유도결합형플라즈마에칭장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. RF 안테나(54)는코일직경이다른복수의단권코일(54(1), 54(2), 54(3))을갖고있다. 각코일(54(1), 54(2), 54(3))의고주파급전포인트는매우작은잘림부를사이에두고마련되어있다.
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公开(公告)号：KR1020170038182A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：KR1020170037590
申请日：2017-03-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32174 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: 유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향에서균일화하고, 또한 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자계에대해보정링(70)에의해전자계적인보정을거는동시에, 프로세스조건에따라스위칭기구(110)에의해보정코일(70)의통전듀티비를가변하도록하고있다.
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公开(公告)号：KR1020110046353A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：KR1020100105158
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and plasma processing method are provided to freely and accurately control the plasma density distribution. CONSTITUTION: A conductive cylindrical supporting part(16) is extended to an upper part from the bottom of a chamber(10) along the outer circumference of the cylindrical supporting part(14). An exhaust duct is formed between the inner wall of the chamber. A circular baffle board(20) is attached to the upper part of the exhaust duct or an entrance. A exhaust port(22) is placed on the bottom part of the exhaust duct. A gate valve(28) opens and closes the entrance gate(27) of the semiconductor wafer.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法来自由且精确地控制等离子体密度分布。 构成：导电圆柱形支撑部分（16）沿着圆柱形支撑部分（14）的外圆周从腔室（10）的底部延伸到上部。 在室的内壁之间形成排气管。 圆形挡板（20）安装在排气管的上部或入口处。 排气口（22）放置在排气管的底部。 闸阀（28）打开和关闭半导体晶片的入口门（27）。
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公开(公告)号：KR101758026B1
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020160144583
申请日：2016-11-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향에서균일화하고, 또한 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자계에대해보정링(70)에의해전자계적인보정을거는동시에, 프로세스조건에따라스위칭기구(110)에의해보정코일(70)의통전듀티비를가변하도록하고있다.
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公开(公告)号：KR101718182B1
公开(公告)日：2017-03-20
申请号：KR1020130067634
申请日：2013-06-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 장치의구성을간소화할수 있음과아울러, 플라즈마의생성효율의저하를방지할수 있는플라즈마처리장치를제공한다. 플라즈마처리장치(10)는, 챔버(11)와, 해당챔버(11)의내부에배치되고기판 S를탑재하는탑재대(12)와, 챔버(11)의외부에서탑재대(12)와대향하도록배치되고고주파전원(26)에접속되는 ICP 안테나(13)와, ICP 안테나(13)와대향하는챔버(11)의벽부를구성하고, 탑재대(12) 및 ICP 안테나(13)의사이에개재되는, 도전체로이루어지는창 부재(14)와, 창부재(14)에양단이접속되는도선(28)을구비하며, 창부재(14) 및도선(28)은폐회로를형성하고, 도선(28)은콘덴서(29)를가진다.
Abstract translation: 提供一种能够简化装置结构并防止等离子体产生效率降低的等离子体处理装置。 等离子体处理装置10包括腔室11，配置在腔室11内用于载置基板S的载置台12， 以及连接到RF电源26和腔室11的面向ICP天线13的壁部分的ICP天线13.ICT天线13连接到ICP天线13， 窗部件14由导电材料制成，导线28连接到窗部件14的两端。窗部件14和导线28形成隐藏电路， 它有一个29。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130140571A
公开(公告)日：2013-12-24
申请号：KR1020130067634
申请日：2013-06-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32192 , H05H1/46
Abstract: A plasma treatment apparatus is provided, which is capable of simplifying the configuration thereof and preventing the deterioration of plasma generation efficiency. The plasma treatment apparatus (10) comprises: a chamber (11); a mount (12) arranged inside the chamber (11) to mount a substrate (S); an ICP antenna (13) arranged to be opposite to the mount (12) outside the chamber (11) and connected to a high-frequency power source (26); a window member (14) forming a wall portion of the chamber (11) facing the ICP antenna (13), interposed between the mount (12) and the ICP antenna (13) and made up of a conductor; a wire (28) having both ends connected to the window member (14), wherein the window member (14) and the wire (28) form a closed circuit and the wire (28) has a condenser (29).
Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置，其能够简化其构造并且防止等离子体产生效率的劣化。 等离子体处理装置（10）包括：腔室（11）; 布置在所述腔室（11）内部以安装衬底（S）的安装件（12）; ICP天线（13），布置成与腔室（11）外部的安装件（12）相对并连接到高频电源（26）; 窗口构件（14），形成面对ICP天线（13）的室（11）的壁部，插入在安装件（12）和ICP天线（13）之间并由导体构成; 具有连接到窗构件（14）的两端的线（28），其中窗构件（14）和线（28）形成闭合回路，并且线（28）具有冷凝器（29）。
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公开(公告)号：KR101037812B1
公开(公告)日：2011-05-30
申请号：KR1020080110065
申请日：2008-11-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 사용 시간이 경과해도 샤워 플레이트의 수명을 연장시키기 위해 이상 방전의 발생을 방지할 수 있는 샤워 플레이트를 제공한다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(11)내의 처리공간(S)에 처리 가스를 공급하는 샤워 헤드(30)를 구비하고, 해당 샤워헤드(30)는 원판형상의 샤워 플레이트(31)를 갖고, 해당 샤워 플레이트(31)는 샤워헤드(30)내에 형성되고 처리 가스가 도입되는 공간(34) 및 처리공간 S의 사이에 개재하고 공간(34) 및 처리공간(S)을 연통시키는 처리 가스 공급 경로(36)를 갖고, 해당 처리 가스 공급 경로(36)는 공간(34)측에 형성된 복수의 가스 구멍(40)과, 처리공간 S측에 형성된 복수의 가스 홈(41)을 갖고, 복수의 가스 구멍(40) 및 복수의 가스 홈(41)은 서로 연통하며, 모든 가스 홈(41)의 유로 단면적의 합계값은 모든 가스 구멍(40)의 유로 단면적의 합계값보다 크다.
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公开(公告)号：KR100635975B1
公开(公告)日：2006-10-20
申请号：KR1020010007031
申请日：2001-02-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 덴포가즈키
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67069 , C23C16/4585 , C23C16/5096 , H01J37/32642
Abstract: 복수장의 피처리 기판을 연속적으로 처리하더라도 피처리 기판간의 품질 격차가 작고, 또한 피처리 기판 전체에 걸쳐서 균일한 처리를 할 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 서셉터(30)상의 웨이퍼(W) 외주연을 포위하도록 배치되는 보정 링(31)을 내측의 제 1 보정 링 부재(32)와 외측의 제 2 보정 링 부재로 동심원 형상으로 분할할 수 있는 구조로 한다. 제 1 보정 링 부재(32)의 폭을 처리 가스 분자의 평균 자유 경로의 1배 내지 3배 정도의 얇은 구조로 하고, 서셉터(30)나 제 2 보정 링 부재(33) 사이에서의 열의 이동이 일어나기 어려운 구조로 한다. 제 2 보정 링 부재의 바닥부에는 열전도성 실리콘 러버층(34)을 거쳐서 서셉터(30) 상면과 밀착시켜, 냉각하기 쉬운 구조로 한다. 처리중 플라즈마가 닿음으로써 제 1 보정 링 부재는 가열되어 고온의 제 1 온도 대역(H)을 형성하고, 제 2 보정 링 부재(33)는 냉각되어 저온의 제 2 온도 대역(L)을 형성한다.
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公开(公告)号：KR1020130139779A
公开(公告)日：2013-12-23
申请号：KR1020130066588
申请日：2013-06-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32183 , H05H1/46
Abstract: A plasma treatment apparatus is provided, which is capable of simplifying the configuration thereof and preventing the deterioration of plasma generation efficiency. The plasma treatment apparatus (10) comprises: a chamber (11); a mount (12) arranged inside the chamber (11) to mount a substrate (S); an ICP antenna (13) arranged to be opposite to the mount (12) outside the chamber (11) and connected to a high-frequency power source (26); and a window member (14) interposed between the mount (12) and the ICP antenna (13) and made up of a conductor, wherein the window member (14) is divided into a plurality of segments (27) and the segments (27) are insulated from each other and connected to a wire (29) or a wire (30) having a condenser attached thereto to form a closed circuit (31).
Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置，其能够简化其构造并且防止等离子体产生效率的劣化。 等离子体处理装置（10）包括：腔室（11）; 布置在所述腔室（11）内部以安装衬底（S）的安装件（12）; ICP天线（13），布置成与腔室（11）外部的安装件（12）相对并连接到高频电源（26）; 以及插入在所述安装件（12）和所述ICP天线（13）之间并由导体构成的窗构件（14），其中所述窗构件（14）被分成多个段（27）和所述段（27） ）彼此绝缘并且连接到具有连接到其上的冷凝器的线（29）或线（30）以形成闭合回路（31）。
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公开(公告)号：KR1020110046352A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：KR1020100105149
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to improve the uniformity of the plasma density by preventing the existence of a specific point. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus comprises: a processing chamber(10); a substrate supporting unit(14), provided in the processing chamber, for mounting a target substrate; a processing gas supply unit for supplying a processing gas to the processing chamber to perform a plasma process on the target substrate; an RF antenna, provided outside the dielectric window, for generating a plasma from the processing gas by an inductive coupling in the processing chamber; and an RF power supply unit for supplying an RF power to the RF antenna.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，通过防止特定点的存在来提高等离子体密度的均匀性。 构成：等离子体处理装置包括：处理室（10）; 设置在处理室中的用于安装目标基板的基板支撑单元（14）; 处理气体供应单元，用于向处理室供应处理气体以对目标基板执行等离子体处理; 设置在电介质窗外部的RF天线，用于通过处理室中的感应耦合从处理气体产生等离子体; 以及用于向RF天线提供RF功率的RF电源单元。
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