公开(公告)号：KR1020080010301A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：KR1020070073930

申请日：2007-07-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까베쯔네유끼 ,  가또오히또시

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01L21/3185

Abstract: A film formation apparatus for a semiconductor process and a method of using the same are provided to prevent a production yield from being lowered and the deterioration of components inside the apparatus. A method of using a film formation apparatus for a semiconductor process includes the steps of: forming a first environment where the average molecular weight of halogen acid gas is 20~23 in an upper gas path between a gas supply source of the halogen acid gas and a flow controller; supplying the halogen acid gas through the upper gas path and the flow controller in the first environment from the gas supply source, and supplying cleaning gas including the halogen acid gas to a reaction chamber of the formation apparatus; and etching and removing a byproduct film attached to the inner surface of the reaction chamber by the cleaning gas.

Abstract translation: 提供了一种用于半导体工艺的成膜装置及其使用方法，以防止生产成品率降低和装置内的部件的劣化。 使用半导体工艺的成膜装置的方法包括以下步骤：在卤素酸性气体的气体供给源和卤素酸性气体的气体供给源之间的上部气体路径中形成卤素酸性气体的平均分子量为20〜23的第一环境， 流量控制器 从气体供给源在第一环境中通过上部气体路径和流量控制器供应卤素酸性气体，并将包含卤素酸性气体的清洁气体供给到形成装置的反应室; 并且通过清洁气体蚀刻和除去附着在反应室的内表面上的副产物膜。

公开(公告)号：KR1020120100787A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：KR1020120021581

申请日：2012-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까베쯔네유끼

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/67017 ,  Y02E60/321 ,  Y02E60/34 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/2599 ,  Y10T137/7039 ,  Y10T137/7043 ,  Y10T137/776 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/7762

Abstract: PURPOSE: A gas pressure reducing and supplying apparatus, a cylinder cabinet including the same, a valve box, and a substrate processing apparatus are provided to reduce necessary service power excluding power for driving a semiconductor manufacturing apparatus. CONSTITUTION: A gas cylinder(12) is connected to a primary side of a regulator(31) through a main valve(13). A pipe(32) is connected to a secondary side of the regulator. A pressure sensor(34) measures 2 differential pressure of the regulator. A pipe(23) within a substrate processing apparatus(20) is connected to a mass flow controller(24) through an on off valve(25). An ejector(16) is installed in a cylinder cabinet(10). [Reference numerals] (AA) High-pressure N2 gas; (BB) Exhaust; (CC) Exhausting device

Abstract translation: 目的：提供一种气体减压供给装置，包括该气体减压供给装置的气缸柜，阀箱和基板处理装置，以减少不包括用于驱动半导体制造装置的电力的必要服务功率。 构成：气瓶（12）通过主阀（13）连接到调节器（31）的初级侧。 管（32）连接到调节器的次级侧。 压力传感器（34）测量调节器的2个压差。 衬底处理装置（20）内的管道（23）通过截止阀（25）连接到质量流量控制器（24）。 喷射器（16）安装在气缸柜（10）中。 （标号）（AA）高压N2气; （BB）排气; （CC）排气装置

公开(公告)号：KR1020120023581A

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：KR1020110088910

申请日：2011-09-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가또오히또시 ,  오까베쯔네유끼 ,  혼마마나부 ,  구마가이다께시 ,  다께우찌야스시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/68764 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/68771

Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus is provided to repeat a supply cycle which successively supplies two or more kinds of reaction gases which are interacting with each other to a substrate, thereby forming a thin film by laminating a plurality of layers of reaction products. CONSTITUTION: A spinning table(2) is installed on the center of a vacuum container(1). The vacuum container comprises a container main body(12) and a ceiling plate. A plurality of load parts(24) is installed on the outer circumference of the spinning table. A core part(21) is comprised of an upper hub and a lower hub. Two convex shape parts(4A,4B) which are separated from each other are installed on the upper side of the spinning table.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，以重复供给循环，该循环依次将两种或更多种彼此相互作用的反应气体提供给基板，从而通过层叠多层反应产物形成薄膜。 构成：旋转台（2）安装在真空容器（1）的中心。 真空容器包括容器主体（12）和顶板。 多个负载部件（24）安装在纺纱台的外周。 芯部（21）由上轮毂和下轮毂构成。 彼此分离的两个凸形部分（4A，4B）安装在纺纱台的上侧。

公开(公告)号：KR1020090124961A

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：KR1020090046779

申请日：2009-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가또오히또시 ,  오까베쯔네유끼 ,  오리또고오이찌 ,  지바다까시

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/324

CPC classification number: C03C23/0075

Abstract: PURPOSE: A method and a system for removing metal contaminant attached to a quartz member of a vertical annealing apparatus are provided to remove the metal contaminant attached to the quartz member by dipping the quartz member into a cleaning bath accommodating a cleaning solution. CONSTITUTION: A quartz member not installed in a vertical annealing apparatus is comprised. A diluted hydrofluoric acid cleaning is performed by cleaning the quartz member using a diluted hydrofluoric acid. A first deionized water cleaning is performed by cleaning the quartz member using deionized water. A hydrochloric acid cleaning is performed by cleaning the quartz member with hydrochloric acid. A second deionized water cleaning is performed by cleaning the quartz member with deionized water. An exhaust pipe(44) is arranged on the bottom of a cleaning bath(41) of a deionized water cleaning apparatus(4). A pump(45), a filter(46) and a valve(47) are installed in the exhaust pipe.

Abstract translation: 目的：提供一种用于去除垂直退火装置的石英构件附着的金属污染物的方法和系统，以通过将石英构件浸入容纳清洁溶液的清洁浴中来除去附着在石英构件上的金属污染物。 构成：未安装在垂直退火装置中的石英部件。 通过使用稀释的氢氟酸清洗石英构件来进行稀释的氢氟酸清洗。 首先通过使用去离子水清洗石英部件来进行去离子水清洗。 用盐酸清洗石英部件进行盐酸清洗。 通过用去离子水清洗石英构件进行第二次去离子水清洗。 排气管（44）布置在去离子水清洗装置（4）的清洗槽（41）的底部。 泵（45），过滤器（46）和阀（47）安装在排气管中。

公开(公告)号：KR1020080033102A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：KR1020070102328

申请日：2007-10-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까오겐 ,  가또오히또시 ,  오까베쯔네유끼 ,  오까다미쯔히로 ,  혼마마나부 ,  하네이시도모끼

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B08B7/00 ,  B08B9/00 ,  B08B9/027 ,  C23C16/455

Abstract: A gas supply apparatus, a gas supply method, a cleaning method of a thin-film forming apparatus, a thin-film forming method and a thin-film forming apparatus are provided to clean a heat treatment apparatus stably by preventing damage of components near a nozzle of a hydrogen inlet. A thin-film forming apparatus(1) comprises a reaction chamber(2) and an exhaust tube(5). A fluorine inlet and a hydrogen inlet are connected with the reaction chamber, so as to supply a cleaning gas containing the fluorine and hydrogen into the reaction chamber or exhaust tube. The hydrogen inlet comprises an internal flow channel and an external flow channel which covers the internal flow channel. The hydrogen is supplied through the internal flow channel, and the nitrogen is supplied from the external flow channel. Thus, the hydrogen supplied from the internal flow channel is supplied from the hydrogen inlet, in a state that the hydrogen is surrounded with the nitrogen.

Abstract translation: 提供气体供给装置，气体供给方法，薄膜形成装置的清洁方法，薄膜形成方法和薄膜形成装置，以通过防止在附近的部件的损坏来稳定地清洁热处理装置 喷嘴的氢气入口。 薄膜形成装置（1）包括反应室（2）和排气管（5）。 氟入口和氢气入口与反应室连接，以将含氟和氢气的清洁气体供应到反应室或排气管中。 氢气入口包括内部流动通道和覆盖内部流动通道的外部流动通道。 通过内部流路供给氢，从外部流路供给氮。 因此，在氢被氮气包围的状态下，从氢气入口供给从内部流路供给的氢。

公开(公告)号：KR1020070051717A

公开(公告)日：2007-05-18

申请号：KR1020060111991

申请日：2006-11-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까베쯔네유끼 ,  오오꾸라시게유끼

IPC: H01L21/02

CPC classification number: F22B1/287 ,  F22B1/30 ,  H01L21/67109 ,  Y10S261/65

Abstract: 반도체 처리 시스템은 피처리 기판을 수납하는 처리실 내에 수증기를 공급하는 가스 공급계를 갖는다. 가스 공급계는 순수로부터 수증기를 얻기 위한 가스 생성 장치를 포함한다. 가스 생성 장치는 순수를 캐리어 가스에 의해 분무하는 동시에 가열함으로써 미스트를 포함하는 일차 수증기를 생성하는 제1 기화부와, 일차 수증기 중의 미스트를 기화시킴으로써 일차 수증기로부터 처리용 수증기를 생성하는 제2 기화부를 포함한다. 제2 기화부는 제1 기화부가 처리실과의 사이에서 일차 수증기의 통로를 가로지르도록 설치된 미스트를 포착하는 메쉬 형상 구조체로 이루어지는 박막을 포함한다.
가스 공급계, 박막, 가열로, 순수 공급관, 기화기

Abstract translation: 半导体处理系统包括被配置为将水蒸汽供应到容纳目标基板的处理室中的气体供应系统。 气体供给系统设置有用于从净化水产生水蒸汽的气体发生装置。 气体发生装置包括：第一蒸发部，其配置为与载气一起喷射净化水，并对净化水进行加热，以产生含有雾的预备水蒸气;以及第二蒸发部，其将包含在预备水中的雾蒸发 蒸气，以便从预备水蒸气中产生工艺水蒸气。 在第二蒸发部分中，具有网状结构的薄膜跨越预备水蒸汽的通道设置，并且构造成在第一蒸发部和处理室之间捕集雾。

公开(公告)号：KR1020050089894A

公开(公告)日：2005-09-09

申请号：KR1020037013403

申请日：2003-02-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까베쯔네유끼 ,  오오꾸라시게유끼

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45557 ,  F17D1/04

Abstract: A fluid control device, comprising a flow controller (13g) in a gas line (13), a pressure control system area (14) provided on the upstream side of the flow controller (13g) in the gas line (13), and an extension part (15) extending from the upstream side end of the gas line (13) in a direction orthogonal to the gas line (13), wherein supply sources of different types of processing gases A, B, and C are connected to the extension part (15).

Abstract translation: 一种流体控制装置，包括在气体管线（13）中的流量控制器（13g），设置在气体管线（13）中的流量控制器（13g）的上游侧的压力控制系统区域（14），以及 延伸部分（15）从气体管线（13）的上游侧端部沿与气体管线（13）正交的方向延伸，其中不同类型的处理气体A，B和C的供应源连接到延伸部分 第（15）部分。

公开(公告)号：KR101557522B1

公开(公告)日：2015-10-06

申请号：KR1020120021581

申请日：2012-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까베쯔네유끼

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/67017 ,  Y02E60/321 ,  Y02E60/34 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/2599 ,  Y10T137/7039 ,  Y10T137/7043 ,  Y10T137/776 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/7762

Abstract: 본발명은대기압보다도낮은프로세스압력으로프로세스가행해지는챔버로가스를공급하는가스감압공급장치가제공된다. 이가스감압공급장치는 1차압을감압하고, 대기압보다도낮고프로세스압력보다도높은압력으로 2차압을조정하는압력조정기; 압력조정기의 2차측배관내의압력을측정하는압력측정기; 2차측배관에설치되는제1 개폐밸브; 제1 개폐밸브를개폐하는개폐밸브제어기; 압력측정기에의해측정되는 2차측배관내의압력을제1 설정압력과비교하는압력비교기; 및 2차측배관내의압력이제1 설정압력이하라고압력비교기에의해판정된경우에, 제1 개폐밸브를폐지하는폐지신호를개폐밸브제어기로출력하는제어부를구비한다.

公开(公告)号：KR101343250B1

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：KR1020070102328

申请日：2007-10-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까오겐 ,  가또오히또시 ,  오까베쯔네유끼 ,  오까다미쯔히로 ,  혼마마나부 ,  하네이시도모끼

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B08B7/00 ,  B08B9/00 ,  B08B9/027 ,  C23C16/455

Abstract: 박막형성장치(1)는, 반응실(2)과, 반응실(2)에연결된배기관(5)을갖고, 반응실(2) 또는배기관(5)에불소와수소를포함하는클리닝가스를공급하기위해, 불소도입관(17c)과수소도입관(17d)이반응실(2)에연결되어있다. 이중 수소도입관(17d)은, 내부유로(174)와, 내부유로(174)를덮도록형성된외부유로(175)를갖고있다. 내부유로(174)로부터수소가공급되고, 외부유로(175)로부터질소가공급된다. 이로인해, 내부유로(174)로부터공급된수소는, 그주위가질소로덮인상태에서수소도입관(17d)으로부터공급된다.

公开(公告)号：KR100934296B1

公开(公告)日：2009-12-29

申请号：KR1020050090886

申请日：2005-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까베쯔네유끼 ,  오오꾸라시게유끼

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4486 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109

Abstract: 기액 혼합의 유체로부터 처리 가스를 얻기 위한 기화기는 상기 기화기의 처리 공간을 규정하는 용기를 포함한다. 상기 용기 내에 상기 유체를 분출하는 복수의 토출구를 갖는 공급 헤드가 배치된다. 상기 토출구의 하측에서 상기 용기 내에 가열 통로가 배치된다. 상기 가열 통로는 상기 유체를 통과 중에 가열하여 상기 처리 가스를 생성한다. 상기 가열 통로의 하측으로부터 상기 처리 가스를 횡방향으로 도출하도록 상기 용기에 가스 도출로가 접속된다. 상기 가스 도출로보다도 하측에서 상기 용기에 미스트 저장부가 배치된다.
기화기, 공급 헤드, 가열 통로, 가스 도출로, 미스트 저장부

Abstract translation: 用于从气液混合物流体产生工艺气体的蒸发器包括限定蒸发器的工艺空间的容器。 具有多个喷射孔以喷射流体的供给头设置在容器内。 加热通道设置在容器内的喷射孔下方。 加热通道被配置为加热从中通过的流体并由此产生工艺气体。 气体输送通道连接到容器以从加热通道下方横向输送工艺气体。 在气体输送通道下方的容器处设置雾接收器。