公开(公告)号：KR101500822B1

公开(公告)日：2015-03-09

申请号：KR1020127026865

申请日：2011-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다가쿠 ,  미야시타고이치 ,  지쿠마다카마사 ,  고미사토시 ,  리춘무이 ,  다카노구니오

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H01L21/677

CPC classification number: G05B19/4065 ,  G05B2219/32226 ,  Y02P90/14

Abstract: 조작 사항, 확인 사항을 포함하는 점검 사항으로 이루어지는 점검 항목을 지정하기 위한 화면을 표시하는 스텝과, 지정된 점검 항목에 대응하는 점검 사항을 기억부로부터 읽어내어 작업순으로 배열하고 각 점검 사항이 자동 실행인지 수동 실행인지의 실행 속성을 부여해서 화면에 표시하는 스텝과, 점검 개시 지령을 접수하는 것에 의해, 1번째의 점검 사항을 기억부로부터 읽어내는 스텝을 실행하는 동시에, a．점검 사항이 조작 사항이고, 실행 속성이 자동 실행인 경우, b．점검 사항이 조작 사항이고 실행 속성이 수동 실행인 경우, c. 점검 사항이 확인 사항이고 실행 속성이 자동 실행인 경우, d. 점검 사항이 확인 사항이고 실행 속성이 수동 실행인 경우에 따른 스텝을, 다음의 점검 사항이 없어질 때까지 실행하도록 구성되어 있는 반도체 제조 장치를 점검하기 위한 프로그램을 갖는 반도체 제조 시스템.

公开(公告)号：KR100970516B1

公开(公告)日：2010-07-16

申请号：KR1020077028696

申请日：2006-11-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다가쿠 ,  오사다게이지 ,  다카노구니오

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67745

Abstract: 제 2 클러스터(12)로부터 제 1 클러스터(10)로 돌아올 웨이퍼(W101)가 패스부(PA)에 건네졌을 때, 제 1 클러스터(10)의 진공 반송 로봇(RB
1 )은 웨이퍼(W101)를 패스부(PA)에 대기시킨 채, 제 1 클러스터(10) 내에서의 시리얼 반송을 우선적으로 실행한다. 그 후, 진공 반송 로봇(RB
1 )은 이어서 제 1 클러스터(10)로부터 제 2 클러스터(12)로 보낼 웨이퍼(W104)를 한쪽 아암에 유지한 상태로, 픽 & 플레이스 동작에 의해 다른쪽 아암을 이용해서 패스부(PA)에 있는 웨이퍼(W101)를 꺼내고, 이에 교체해서 상기 한쪽 아암에 의해 웨이퍼(W104)를 패스부(PA)로 건넨다. 이 순서에 의하면, 2개의 클로스터(멀티 챔버 장치:10, 12)의 복수의 프로세스 모듈을 이용한 연속 처리의 스루풋이 가급적 향상한다.

公开(公告)号：KR1020130007608A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020127026865

申请日：2011-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다가쿠 ,  미야시타고이치 ,  지쿠마다카마사 ,  고미사토시 ,  리춘무이 ,  다카노구니오

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H01L21/677

CPC classification number: G05B19/4065 ,  G05B2219/32226 ,  Y02P90/14 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/67718

Abstract: 조작 사항, 확인 사항을 포함하는 점검 사항으로 이루어지는 점검 항목을 지정하기 위한 화면을 표시하는 스텝과, 지정된 점검 항목에 대응하는 점검 사항을 기억부로부터 읽어내어 작업순으로 배열하고 각 점검 사항이 자동 실행인지 수동 실행인지의 실행 속성을 부여해서 화면에 표시하는 스텝과, 점검 개시 지령을 접수하는 것에 의해, 1번째의 점검 사항을 기억부로부터 읽어내는 스텝을 실행하는 동시에, a．점검 사항이 조작 사항이고, 실행 속성이 자동 실행인 경우, b．점검 사항이 조작 사항이고 실행 속성이 수동 실행인 경우, c. 점검 사항이 확인 사항이고 실행 속성이 자동 실행인 경우, d. 점검 사항이 확인 사항이고 실행 속성이 수동 실행인 경우에 따른 스텝을, 다음의 점검 사항이 없어질 때까지 실행하도록 구성되어 있는 반도체 제조 장치를 점검하기 위한 프로그램을 갖는 반도체 제조 시스템.

公开(公告)号：KR101131655B1

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：KR1020097026923

申请日：2008-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 세키도고이치 ,  마에카와고지 ,  다카노구니오

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/68 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67745 ,  H01J37/32431 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67276

Abstract: 열처리 모듈에서 웨이퍼에 대해 복수회의 열처리를 실행함에 있어서, 지지 부재의 지지에 기인한 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 기판 처리 장치는 반도체 웨이퍼의 처리 레시피에 있어서의 처리 조건과 반도체 웨이퍼의 방향을 대응지어 설정하기 위한 레시피 설정부를 갖는다. 이 레시피 설정부를 거쳐서 반도체 웨이퍼의 방향을 설정하고, 위치 맞춤 모듈에 있어서 설정한 방향으로 되도록 반도체 웨이퍼의 방향을 맞출 수 있다. 이와 같은 구성에 의하면, 열처리 모듈에서 실행되는 열처리마다, 반도체 웨이퍼의 이면 중의 지지 부재에 의해서 지지되는 부위를 변화시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR102242431B1

公开(公告)日：2021-04-19

申请号：KR1020190080349

申请日：2019-07-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠하시다카후미 ,  다카노구니오 ,  히라타도시하루

IPC: H01L21/677

Abstract: 본발명은, 각각미리정해진처리를행하는복수의처리모듈에대하여, 기판을순차반송하여기판에일련의처리를행할때에, 스루풋의저하를억제하면서, 기판에의한처리결과의불균일을억제할수 있는기술을제공한다. 기판처리시스템은, 각각미리정해진처리를행하는복수의처리모듈을갖는처리부와, 복수의기판을유지하며, 처리부에대하여기판을반출입하는반출입부와, 기판을반송하는반송부와, 처리부, 반출입부및 반송부를제어하는제어부를구비하고, 제어부는, 복수의기판이반출입부로부터처리부에순차반송되며, 반송된기판이, 복수의처리모듈에대하여, 순차시리얼로반송되도록제어하고, 또한, 반출입부의미리정해진모듈로부터기판을반출한후, 다음기판을반출하기까지의인터벌을설정하고, 그인터벌의설정값으로복수의기판을미리정해진모듈로부터순차반출하도록제어한다.

公开(公告)号：KR1020100018584A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：KR1020097026923

申请日：2008-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 세키도고이치 ,  마에카와고지 ,  다카노구니오

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/68 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67745 ,  H01J37/32431 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67276

Abstract: Provided is a substrate treatment apparatus wherein breakage of a wafer (W) due to having the wafer supported by a supporting member is eliminated when heat treatment is performed to the wafer (W) a plurality of times by a heat treatment module. The substrate processing apparatus is provided with a recipe setting section for setting treatment conditions for a treatment recipe for the semiconductor wafer (W) and a direction of the semiconductor wafer (W), by associating the conditions and the direction with each other. Through the recipe setting section, the direction of the semiconductor wafer (W) can be set, and the semiconductor wafer (W) can be arranged in a direction set by an aligning module. Thus, portions (R) to be supported by the supporting members (60a, 60b, 60c) on the rear surface of the semiconductor wafer can be changed every time the heat treatment module performs heat treatment.

Abstract translation: 提供了一种基板处理装置，其中，当通过热处理模块对晶片（W）进行多次加热处理时，消除了由支撑构件支撑的晶片导致的晶片（W）的断裂。 基板处理装置具有配方设定部，其通过使条件和方向相关联，来设定半导体晶片（W）的处理方案和半导体晶片（W）的方向的处理条件。 通过配方设定部，可以设定半导体晶片（W）的方向，半导体晶片（W）可以由对准模块设定的方向配置。 因此，每当热处理模块进行热处理时，可以改变在半导体晶片的后表面上由支撑构件（60a，60b，60c）支撑的部分（R）。

公开(公告)号：KR1020080008411A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：KR1020077028696

申请日：2006-11-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다가쿠 ,  오사다게이지 ,  다카노구니오

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67742

Abstract: When a wafer (W101) to be returned from a second cluster (12) to a first cluster (10) is delivered to a pass area (PA), a vacuum transport robot (RB1) in the first cluster (10) performs serial transportation in the first cluster (10) preferentially while keeping the wafer (W101) waiting at the pass area (PA). Subsequently, the vacuum transport robot (RB1) receives the wafer (W101) existing in the pass area (PA) by the other arm through pick and place operation under a state where the wafer (W104) to be sent from the first cluster (10) to the second cluster (12) is held by one arm and delivers the wafer (W104) to the pass area (PA) instead by one arm. According to the procedure, throughput of continuous processing employing a plurality of process modules of two clusters (multichamber units)(10,12) is enhanced as much as possible.

Abstract translation: 当从第二集群（12）返回到第一集群（10）的晶片（W101）被传送到通过区域（PA）时，第一集群（10）中的真空传送机器人（RB1）执行串行传输 优选地在第一簇（10）中保持晶片（W101）在通过区域（PA）处等待。 随后，真空输送机器人（RB1）通过在从第一集群（10）发送的晶片（W104）的状态下进行拾取和放置操作，接收存在于通过区域（PA）中的晶片（W101） ）到第二簇（12）由一个臂保持，并且通过一个臂将晶片（W104）传送到通过区域（PA）。 根据该过程，尽可能地增强采用多个两个簇（多个单元单元）（10,12）的多个处理模块的连续处理的吞吐量。