公开(公告)号：KR20180037621A

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：KR20187008876

申请日：2013-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미야시타데츠야 ,  후루카와신지 ,  마에다고지 ,  하라마사미치 ,  스즈키나오유키 ,  미키히로시 ,  히라타도시하루

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: C23C14/568 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67745 ,  H01L43/12

Abstract: 처리모듈이사용할수 없게되었을때, 장치의가동을정지하지않고기판의처리를속행함으로써, 웨이퍼(W)의폐기수를저감한다. 반송실내에서웨이퍼(W)의전달이가능한웨이퍼반송기구(3)의열과, 이열의좌우양측에서당해열을따라배치되고, 웨이퍼(W)에대하여처리를행하는처리모듈(PM)의열을구비하고, 상기처리모듈(PM)의열은, 상기일련의처리의각 처리가적어도 2 개의처리모듈(PM) 모두에서행할수 있도록구성되어있다. 이때문에, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때는, 당해처리와동일한처리를행할수 있는다른처리모듈(PM)로웨이퍼(W)를신속하게반송할수 있다. 따라서, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때에도, 장치의가동을정지하지않고웨이퍼(W)의처리를속행할수 있어, 웨이퍼(W)의폐기수가저감된다

Abstract translation: 一种设备包括：一排衬底传送装置3，其可以在传送室内传送晶片W; 以及沿着该行布置在该行基板传送装置的左右侧的处理模块PM，该处理模块PM被配置为对晶片W执行处理。处理模块PM的行被布置为使得每个处理可以 由至少两个处理模块PM执行。 因此，当不能使用单个处理模块PM时，可以将晶片W快速地转移到另一处理模块PM，该另一个处理模块PM可以执行与在相应处理模块中执行的处理相同的处理。 因此，即使在不能使用一个处理模块PM的情况下，也能够在不停止装置的动作的情况下继续对晶圆W进行处理，能够减少浪费的晶圆W的数量。

公开(公告)号：KR101888000B1

公开(公告)日：2018-08-13

申请号：KR1020187008876

申请日：2013-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미야시타데츠야 ,  후루카와신지 ,  마에다고지 ,  하라마사미치 ,  스즈키나오유키 ,  미키히로시 ,  히라타도시하루

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01J37/32733 ,  C23C14/568 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67745 ,  H01L43/12

Abstract: 처리모듈이사용할수 없게되었을때, 장치의가동을정지하지않고기판의처리를속행함으로써, 웨이퍼(W)의폐기수를저감한다. 반송실내에서웨이퍼(W)의전달이가능한웨이퍼반송기구(3)의열과, 이열의좌우양측에서당해열을따라배치되고, 웨이퍼(W)에대하여처리를행하는처리모듈(PM)의열을구비하고, 상기처리모듈(PM)의열은, 상기일련의처리의각 처리가적어도 2 개의처리모듈(PM) 모두에서행할수 있도록구성되어있다. 이때문에, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때는, 당해처리와동일한처리를행할수 있는다른처리모듈(PM)로웨이퍼(W)를신속하게반송할수 있다. 따라서, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때에도, 장치의가동을정지하지않고웨이퍼(W)의처리를속행할수 있어, 웨이퍼(W)의폐기수가저감된다

公开(公告)号：KR101443488B1

公开(公告)日：2014-09-22

申请号：KR1020130005083

申请日：2013-01-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로세가츠히토 ,  미야자와도시오 ,  히라타도시하루 ,  다나카도시마사

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/66

CPC classification number: C23C16/4551 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/52 ,  F16K37/00 ,  F16K37/0041 ,  G01M13/00 ,  H03K21/00 ,  H03K21/023

Abstract: 본 발명은 처리 용기 내에 가스를 공급하는 가스 공급 시스템에 있어서의 밸브의 동작 상태를 파악하고, 밸브의 이상을 실시간으로 검출, 혹은 미연에 회피할 수 있는 처리 장치 및 밸브 동작 확인 방법을 제공한다. DO 개폐 카운터(421) 및 DI 개폐 카운터(423)를 MC(401)보다 하위의 제어 유닛인 I/O 보드(415)에 마련하고, 챔버 밸브(37, 47, 57, 67)의 개폐 횟수를 카운트한다. DO 개폐 카운터(421) 및 DI 개폐 카운터(423)에 의거하는 챔버 밸브(37)의 동작 상태는 DO 개폐 카운터(421)의 카운트값 A, DI 개폐 카운터(423)의 카운트값 B가, A=B면 정상, A≠B면 이상 있음으로 판정된다.

公开(公告)号：KR1020130084266A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：KR1020130005083

申请日：2013-01-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로세가츠히토 ,  미야자와도시오 ,  히라타도시하루 ,  다나카도시마사

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/66

CPC classification number: C23C16/4551 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/52 ,  F16K37/00 ,  F16K37/0041 ,  G01M13/00 ,  H03K21/00 ,  H03K21/023

Abstract: PURPOSE: A processing device and a valve operation checking method are provided to rapidly detect an abnormality in a valve by checking the operation of the valve on the basis of a valve opening and closing detection signal. CONSTITUTION: A sensor unit independently monitors opening and closing operations of multiple valves. A control unit (300) determines an operation state of the valve based on multiple valve opening and closing driving signals transmitted to a valve driving unit and/or multiple valve opening and closing detection signals transmitted from the sensor unit. A DO opening and closing counter (421) and a DI opening and closing counter (423) are formed on an I/O board (415) and count the number of opening and closing multiple chamber valves. A is a count value of the DO opening and closing counter, and B is a count value of the DI opening and closing counter. If A=B, the operation state of the chamber valve is normal. If A≠B, the operation state of the chamber valve is abnormal. [Reference numerals] (37a,47a) Solenoid; (39,49) CV sensor; (413) I/O module; (415,416) I/O board; (421) DO opening and closing counter; (423) DI opening and closing counter; (501) User interface; (507) Storage medium; (603) Host computer

Abstract translation: 目的：提供一种处理装置和阀门操作检查方法，以通过基于阀门打开和关闭检测信号检查阀的操作来快速检测阀中的异常。 构成：传感器单元独立监控多个阀门的打开和关闭操作。 控制单元（300）基于传递到阀驱动单元的多个阀打开和关闭驱动信号和/或从传感器单元传送的多个阀打开和关闭检测信号来确定阀的操作状态。 在I / O板（415）上形成DO开闭计数器（421）和DI开闭计数器（423），并计数多个开闭阀的数量。 A是DO打开和关闭计数器的计数值，B是DI开关计数器的计数值。 如果A = B，则室阀的运行状态正常。 如果A≠B，则室阀的操作状态异常。 （参考数字）（37a，47a）电磁阀; （39,49）CV传感器; （413）I / O模块; （415,416）I / O板; （421）DO开关柜台; （423）DI开关柜; （501）用户界面; （507）存储介质; （603）主机

公开(公告)号：KR1020120006950A

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：KR1020110069572

申请日：2011-07-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야시타데츠야 ,  하라마사미치 ,  미즈사와야스시 ,  히라타도시하루

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/67736

Abstract: PURPOSE: A vacuum processing apparatus is provided to control time which is required for transferring and loading a substrate by controlling the footprint of a whole device. CONSTITUTION: A preparatory vacuum chamber(2a) for carrying-in carries a substrate from an atmospheric pressure mode. The preparatory vacuum chamber(2b) for carrying-out takes out the substrate, which is processed at a process station, to the atmospheric pressure mode. A transfer module(12) takes out the substrate, in which processing is completed, to the preparatory vacuum chamber. A controller(20) controls the driving of a vacuum processing device. A loader(23) includes a heater for heating the substrate and an electrostatic chuck for electrostatically absorbing the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种真空处理设备，通过控制整个设备的占地面积来控制传送和加载基板所需的时间。 构成：用于携带的预备真空室（2a）从大气压模式运载基板。 用于进行的预备真空室（2b）将在处理站处理的基板取出到大气压模式。 转移模块（12）将完成了处理的基板取出到预备真空室。 控制器（20）控制真空处理装置的驱动。 装载机（23）包括用于加热基板的加热器和用于静电吸收基板的静电卡盘。

公开(公告)号：KR101989366B1

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：KR1020187021262

申请日：2013-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미야시타데츠야 ,  후루카와신지 ,  마에다고지 ,  하라마사미치 ,  스즈키나오유키 ,  미키히로시 ,  히라타도시하루

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

公开(公告)号：KR101336420B1

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：KR1020110069572

申请日：2011-07-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야시타데츠야 ,  하라마사미치 ,  미즈사와야스시 ,  히라타도시하루

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/67736

Abstract: 본 발명은 복수의 처리 영역에 있어서 각각 기판에 대해 진공 처리를 실행함에 있어서, 장치 전체의 풋프린트를 억제하면서, 기판의 이송 탑재에 요하는 시간을 짧게 억제할 수 있는 진공 처리 장치를 제공한다. 제 1 및 제 2 로드록실(2a, 2b)간에, 상류측에서 하류측을 향해 일렬로 3개의 처리 유닛(11) 및 반송 모듈(12)을 순차적으로 기밀하게 배열한다. 또한, 각각의 처리 유닛(11)내에 상류측으로부터 웨이퍼(W)를 이송 탑재하기 위한 웨이퍼 반송 장치(24)를 배치하는 동시에, 하류단의 처리 유닛(11)으로부터 제 2 로드록실(2b)에 웨이퍼(W)의 이송 탑재를 실행하기 위한 웨이퍼 반송 장치(24)를 반송 모듈(12)내에 마련한다. 그리고, 제 1 로드록실(2a)로부터 상류단의 처리 유닛(11)에의 웨이퍼(W)의 이송 탑재와, 하류단의 처리 유닛(11)으로부터 제 2 로드록실(2b)에의 웨이퍼(W)의 이송 탑재와, 상류측의 처리 유닛(11a)으로부터 하류측의 처리 유닛(11)에의 웨이퍼(W)의 이송 탑재를 동시에 실행한다.

公开(公告)号：KR100871003B1

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：KR1020077002871

申请日：2005-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라타도시하루

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/285 ,  H01L21/316

Abstract: 본 발명은, 감압 가능한 처리 용기와 진공 펌프를 연결하는 배기로에 컨덕턴스 밸브를 마련하고, 상기 처리 용기 내에 피처리 기판을 배치하여, 성막 처리 시간 중에 제 1 반응 가스를 공급하는 제 1 단계와 제 2 반응 가스를 공급하는 제 2 단계를 포함하는 사이클을 1회 또는 복수회 반복하여, 상기 기판 상에 상기 제 1 반응 가스와 상기 제 2 반응 가스의 화학 반응을 이용하여 막을 형성하는 박막 형성 방법으로서, 상기 성막 처리 시간의 개시에 앞선 준비 시간 중에, 상기 처리 용기 내를 배기하면서 소망의 가스를 설정 유량으로 상기 처리 용기 내에 공급하고, 상기 처리 용기 내의 압력이 설정값과 대략 일치할 때의 상기 컨덕턴스 밸브의 밸브 개방도를 확인하여 기준값으로 하는 제 1 공정과, 상기 성막 처리 시간 중의 각각의 상기 사이클에 있어서 적어도 상기 제 1 및 제 2 단계 중에는 상기 컨덕턴스 밸브의 밸브 개방도를 상기 기준값으로 유지하는 제 2 공정을 갖는 박막 형성 방법을 이용하고 있다.

公开(公告)号：KR1020070031439A

公开(公告)日：2007-03-19

申请号：KR1020077002871

申请日：2005-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라타도시하루

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/285 ,  H01L21/316

Abstract: 본 발명은, 감압 가능한 처리 용기와 진공 펌프를 연결하는 배기로에 컨덕턴스 밸브를 마련하고, 상기 처리 용기 내에 피처리 기판을 배치하여, 성막 처리 시간 중에 제 1 반응 가스를 공급하는 제 1 단계와 제 2 반응 가스를 공급하는 제 2 단계를 포함하는 사이클을 1회 또는 복수회 반복하여, 상기 기판 상에 상기 제 1 반응 가스와 상기 제 2 반응 가스의 화학 반응을 이용하여 막을 형성하는 박막 형성 방법으로서, 상기 성막 처리 시간의 개시에 앞선 준비 시간 중에, 상기 처리 용기 내를 배기하면서 소망의 가스를 설정 유량으로 상기 처리 용기 내에 공급하고, 상기 처리 용기 내의 압력이 설정값과 대략 일치할 때의 상기 컨덕턴스 밸브의 밸브 개방도를 확인하여 기준값으로 하는 제 1 공정과, 상기 성막 처리 시간 중의 각각의 상기 사이클에 있어서 적어도 상기 제 1 및 제 2 단계 중에는 상기 컨덕턴스 밸브의 밸브 개방도를 상기 기준값으로 유지하는 제 2 공정을 갖는 박막 형성 방법을 이용하고 있다.

Abstract translation: 本发明中，减压，包括：提供一个可能的处理容器和真空泵的排气传导阀到连接的第一步骤，和通过将目标基板在所述处理容器中，供给第一反应气体流入膜形成时间和 包括用于供给第二反应气体或一次的第二步骤的循环重复多次，作为薄膜用于使用所述第一反应气体的衬底上的化学反应和第二反应气体形成的成膜方法 在成膜处理时间开始之前的准备时间期间，在以预定流速向处理容器中供给期望的气体的同时排空处理容器， 该方法包括：第一步，确定阀的阀开度作为参考值; 同样在第一步骤和第二步骤是使用具有维持导通阀的阀开度与基准值的第一步骤中，薄膜形成方法。

公开(公告)号：KR102242431B1

公开(公告)日：2021-04-19

申请号：KR1020190080349

申请日：2019-07-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠하시다카후미 ,  다카노구니오 ,  히라타도시하루

IPC: H01L21/677

Abstract: 본발명은, 각각미리정해진처리를행하는복수의처리모듈에대하여, 기판을순차반송하여기판에일련의처리를행할때에, 스루풋의저하를억제하면서, 기판에의한처리결과의불균일을억제할수 있는기술을제공한다. 기판처리시스템은, 각각미리정해진처리를행하는복수의처리모듈을갖는처리부와, 복수의기판을유지하며, 처리부에대하여기판을반출입하는반출입부와, 기판을반송하는반송부와, 처리부, 반출입부및 반송부를제어하는제어부를구비하고, 제어부는, 복수의기판이반출입부로부터처리부에순차반송되며, 반송된기판이, 복수의처리모듈에대하여, 순차시리얼로반송되도록제어하고, 또한, 반출입부의미리정해진모듈로부터기판을반출한후, 다음기판을반출하기까지의인터벌을설정하고, 그인터벌의설정값으로복수의기판을미리정해진모듈로부터순차반출하도록제어한다.