公开(公告)号：KR1020090067187A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：KR1020097008000

申请日：2007-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시 ,  다카야마다카미츠

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

Abstract: A Ti film forming method includes a step (step (1)) of cleaning inside a chamber by introducing a cleaning gas containing fluorine into the chamber in a state where a wafer (W) is not on a susceptor; a step (step 2) of heating the susceptor in the state where the wafer (W) is not on the susceptor, jetting a processing gas containing Ti from a shower head into the chamber and forming a pre-coat film at least on the surface of the shower head; and a step (step (3)) of placing the wafer (W) on the susceptor (2) in a state where the susceptor is heated, supplying a processing gas into the chamber (1) and forming a Ti film on the wafer (W). The pre-coat film forming step is performed at a temperature lower than that in the film forming step.

Abstract translation: Ti膜形成方法包括：在晶片（W）不在感受体上的状态下，通过将含有氟的清洗气体引入室内的方法，在室内进行清洗的工序（工序（1））; 在晶片（W）不在基座上的状态下加热基座的步骤（步骤2），将含有Ti的处理气体从喷头喷射到室中，并至少在表面上形成预涂膜 的淋浴头; 以及在基座被加热的状态下将晶片（W）放置在基座（2）上的步骤（步骤（3）），将处理气体供应到腔室（1）中并在晶片上形成Ti膜 W）。 在低于成膜步骤的温度下进行预涂膜形成步骤。

公开(公告)号：KR101139165B1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：KR1020097008000

申请日：2007-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시 ,  다카야마다카미츠

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

Abstract: 서셉터에 웨이퍼(W)가 존재하지 않는 상태에서 챔버내에 불소를 함유하는 클리닝 가스를 도입하여 챔버내를 클리닝하는 공정(공정 1)과, 서셉터에 웨이퍼(W)가 존재하지 않는 상태에서 서셉터를 가열하는 동시에 샤워헤드로부터 Ti를 포함하는 처리 가스를 챔버내에 토출시켜, 적어도 샤워헤드의 표면에 프리코트막을 형성하는 공정(공정 2)과, 그 후, 서셉터(2)를 가열한 상태에서 그 위에 웨이퍼(W)를 탑재하고, 챔버(1)내에 처리 가스를 공급하는 것에 의해 웨이퍼(W)에 대해 Ti계 막을 성막하는 공정(공정 3)을 포함하고, 프리코트막 형성 공정은 서셉터의 온도를 성막 공정시의 온도보다 낮게 해서 실행된다.

公开(公告)号：KR1020170003447A

公开(公告)日：2017-01-09

申请号：KR1020160081350

申请日：2016-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이케히로시 ,  다카야마다카미츠

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67196 ,  B08B9/00 ,  G01N29/022 ,  G01N29/036 ,  G01N29/4427 ,  G01N2291/014 ,  G01N2291/0256 ,  G01N2291/0426 ,  H01L21/67253

Abstract: 본발명은기판반송장치의분위기를양호하게하는것을목적으로한다. 기판을반송하는반송실과, 기판에처리를실시하는처리실을가지며, 상기반송실은해당반송실의오염상태를검출하는오염모니터를가지는기판반송장치가제공된다.

Abstract translation: 基板转印装置包括其中转印有基板的转印室和被配置为在其中处理基板的处理室。 在传送室中设置污染监测器，并且构造成检测传送室的污染状况。

公开(公告)号：KR1020160084802A

公开(公告)日：2016-07-14

申请号：KR1020150186298

申请日：2015-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카야마다카미츠 ,  하라다아키토시 ,  야쿠시지히데아키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32706

Abstract: 직류전압(HV)을인가할때의기판주변에의파티클의인입을억제하는것을목적으로한다. 플라즈마처리가행해지는챔버내에기판을반입하는공정과, 기판을배치하는배치대에, 플라즈마여기용고주파전력의주파수보다낮은주파수의바이어스용고주파전력을인가하는공정과, 상기배치대상의기판을정전흡착하는정전척에직류전압을인가하는공정을포함하고, 상기직류전압을인가하는공정은, 상기바이어스용고주파전력을인가하는공정후에실행되는, 플라즈마처리방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明的目的是在施加直流电压时抑制颗粒在基板周围的流入。 提供了一种等离子体处理方法，其包括以下步骤：将基板装载到执行等离子体处理的室中; 将具有低于用于等离子体激发的高频激励功率的频率的高频偏置功率施加到其上安装有基板的安装台; 并将直流电压施加到静电吸盘上，以静电吸收安装台上的基板。 在施加高频偏置功率的步骤之后执行施加直流电压的步骤。