公开(公告)号：KR1020100038274A

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：KR1020090093078

申请日：2009-09-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쯔나가마사노부 ,  노데라노부따께 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: PURPOSE: A vertical batch CVD apparatus, a method for forming a film in the same, and a computer readable medium are provided to improve uniformity of the film thickness. CONSTITUTION: A source gas(DSC) is supplied to a process region in the adsorption process. The source gas is adsorbed on the surface of a substrate(W). In the reaction process, a reactive gas(NH3) is supplied to the process region. The source gas and the reactive are alternatively reacted. In the adsorption process, the reactive gas is not supplied to the process region. The adsorption process is inserted between a supply sub process(T1a) and a material sub process(T1b) and is repeated several times. The supply sub process supplies the source gas to the process region. An interposition sub process stops the supply of the source gas to the process region. The reactive process maintains the block of the supply of the source gas to the process region. The reactive process continuously supplies the reactive gas to the process region.

Abstract translation: 目的：提供垂直分批CVD装置，其中形成膜的方法和计算机可读介质，以提高膜厚度的均匀性。 构成：在吸附过程中向原料气体（DSC）供应原料气。 源气体被吸附在基板（W）的表面上。 在反应过程中，反应气体（NH 3）被提供给处理区域。 源气体和反应性交替反应。 在吸附过程中，反应气体不被供应到工艺区域。 吸附过程被插入在供应子过程（T1a）和材料子过程（T1b）之间并被重复几次。 供应子过程将源气体提供给过程区域。 插入子过程停止向处理区域供应源气体。 反应过程保持源气体供应到工艺区域的块。 反应过程将反应气体连续地供应到过程区域。

公开(公告)号：KR101105130B1

公开(公告)日：2012-01-16

申请号：KR1020090003552

申请日：2009-01-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  노데라노부따께 ,  마쯔나가마사노부 ,  사또오쥰 ,  주파오화

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542

Abstract: 성막 방법은 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 동시에, 제2 처리 가스를 공급할 때에 여기하기 위한 여기 기구에 연통하는 처리 영역 내에서 플라즈마 사이클 및 비플라즈마 사이클을 복수회 반복하여 실리콘 질화막을 피처리 기판 상에 형성한다. 이 방법은 실리콘 질화막의 막질 요소에 대한 플라즈마 사이클 및 비플라즈마 사이클의 사이클 혼합 형태의 관계를 나타내는 관계식 또는 관계표를 구하는 공정과, 막질 요소의 목표값으로부터 관계식 또는 관계표를 참조하여 사이클 혼합 형태의 구체적 형태를 결정하는 공정과, 구체적 형태에 따라서 성막 처리를 어레인지하는 공정을 구비한다.
성막 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 보온통, 승강 기구, 가스 여기부

Abstract translation: 成膜方法是选择性地向等离子体处理室供给含有硅烷系气体的第一处理气体和含有氮化气体的第二处理气体的方法， 循环和非等离子体循环被重复多次以在待处理的衬底上形成氮化硅膜。 等离子体循环的方法，和非一步骤，以获得关系表达式或一个关系表，其示出了等离子体循环的混合物的循环关系，请参见对氮化硅膜的膜质量因子从膜质量元件的目标值来循环混合形式的关系或关系表 确定特定形状的步骤，以及根据特定形式布置成膜处理的步骤。

公开(公告)号：KR1020090037340A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：KR1020080099370

申请日：2008-10-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  사또오쥰 ,  마쯔나가마사노부 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45519

Abstract: An apparatus for forming a film for a semiconductor process and a using method thereof are provided to improve yield of a semiconductor device by preventing generation of a particle due to an exfoliation of quartz and a by-product film. An apparatus(1) for forming a film includes a reaction tube(2) of a cylindrical shape. An exhaust pipe(3) for exhausting a gas is formed in a side of a bottom part of the reaction tube. An exhaust part(GE) is connected to the exhaust pipe through an exhaust tube(4). A pressure control unit is arranged on the exhaust part. A cover(5) is arranged on a bottom of the reaction tube, and is moved to top and bottom by a boat elevator. A wafer boat(6) is loaded on a top of the cover. A plurality of semiconductor wafers(W) is loaded in the wafer boat. A heater(7) composed of a resistance heating body is installed around the reaction tube. The heater is arranged inside an insulation cover(71). A gas dispersion nozzle(8,9) and a gas nozzle(16) are inserted in a bottom part of the reaction tube, and are connected to a processing gas supply part(GS) through a mass flow control. A plasma generating part(10) is arranged in one part of a side wall of the reaction tube.

Abstract translation: 提供一种用于形成半导体工艺的膜的设备及其使用方法，以通过防止由于石英和副产物膜的剥离而产生颗粒而提高半导体器件的产量。 用于形成膜的装置（1）包括圆柱形的反应管（2）。 用于排出气体的排气管（3）形成在反应管的底部的一侧。 排气部（GE）通过排气管（4）与排气管连接。 排气部设有压力控制单元。 在反应管的底部设置有盖（5），并通过船用电梯移动到顶部和底部。 晶片舟（6）装载在盖的顶部。 多个半导体晶片（W）装载在晶片舟皿中。 由电阻加热体构成的加热器（7）安装在反应管的周围。 加热器布置在绝缘盖（71）内。 将气体分散喷嘴（8,9）和气体喷嘴（16）插入反应管的底部，并通过质量流量控制与处理气体供给部（GS）连接。 等离子体产生部件（10）布置在反应管的侧壁的一部分中。

公开(公告)号：KR1020080108912A

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：KR1020080054102

申请日：2008-06-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  마쯔나가마사노부 ,  하세베가즈히데 ,  우메자와고오따 ,  주파오화

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: A film formation method and an apparatus for a semiconductor process, and a computer readable medium are provided to suppress the generation of particle and form the silicon nitride film in which the thin film is excellent with the high deposition rate. A film formation method for a semiconductor process comprises the following processes. A plurality of cycles are performed within the process area(5) in which the processed substrate is arranged. The film forming process for the silicon nitride film which has the predetermined thickness by laminating the thin film is provided. Each cycle comprises the first supply process and the second supply process. The first supply process performs the supply of the first process gas about the process area. The first supply process maintains the cut off of the supply of the second process gas about the process area. The second supply process performs the supply of the second process gas about the process area. The second supply process maintains the cut off of the supply of the first process gas about the process area. The first cycle set and the second cycle set is repeated without the task which materially changes the fixing heating temperature about the process area to the mixed product.

Abstract translation: 提供一种成膜方法和半导体工艺装置以及计算机可读介质，以抑制颗粒的产生并形成其中薄膜以高沉积速率优异的氮化硅膜。 半导体工艺的成膜方法包括以下工序。 在其中布置经处理的基板的处理区域（5）内执行多个周期。 提供了通过层叠薄膜而具有预定厚度的氮化硅膜的成膜工艺。 每个循环包括第一个供应过程和第二个供应过程。 第一供应过程执行关于处理区域的第一工艺气体的供应。 第一供应过程维持关于处理区域的第二工艺气体的供应的切断。 第二供应过程执行关于处理区域的第二处理气体的供应。 第二供应过程维持关于处理区域的第一工艺气体的供应的切断。 重复第一循环组和第二循环组，而没有任何将对加工区域的定影加热温度实质上改变为混合产物的任务。

公开(公告)号：KR101149097B1

公开(公告)日：2012-05-25

申请号：KR1020080099370

申请日：2008-10-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  사또오쥰 ,  마쯔나가마사노부 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45519

Abstract: 반응실 내에서 피처리 기판 상에 박막을 형성하기 위한 반도체 처리용 성막 장치의 사용 방법은 성막에 기여하는 성막 가스를 공급하는 성막 가스 공급계로부터 상기 반응실을 통해 배기계에 이르는 가스 경로의 소정 영역에 퇴적된 부생성물막을 제거하기 위해, 상기 반응실 내에 상기 피처리 기판을 수납하지 않은 상태로, 상기 소정 영역에 상기 부생성물막을 에칭하는 클리닝 가스를 공급하여 활성화하면서 상기 부생성물막을 에칭하는 에칭 공정과, 상기 클리닝 가스의 공급을 정지하여 상기 소정 영역이 존재하는 공간을 상기 배기계에 의해 배기하는 배기 공정을 교대로 복수회 반복함으로써 클리닝 처리를 행한다.
반도체 처리용 성막 장치, 클리닝 가스, 성막 가스, 배기계, 부생성물막

公开(公告)号：KR1020090080019A

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：KR1020090003552

申请日：2009-01-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  노데라노부따께 ,  마쯔나가마사노부 ,  사또오쥰 ,  주파오화

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542

Abstract: A film formation method and a film formation apparatus for semiconductor processing are provided to improve characteristics of a device by controlling accurately elements of a silicon nitride layer. A film forming apparatus(2) includes a processing receptacle(4), a supporting member, a heater(86), an exhaust system(GE), a first processing gas supply system(30), a second processing gas supply system(28), an excitation unit, and a control unit(60). The processing receptacle has a processing area for receiving a processing target substrate. The supporting member supports the processing target substrate in the processing area. The heater heats the processing substrate within the processing area. The exhaust system exhausts the processing area. The first processing gas supply system supplies a first processing gas including a silane-based gas to the processing area. The second processing gas supply system supplies a second processing gas including a nitrous gas to the processing area. The excitation unit performs an excitation operation while the second processing gas supply system supplies the second processing gas to the processing area. The controller controls operations of the film forming apparatus.

Abstract translation: 提供一种用于半导体处理的成膜方法和成膜装置，以便精确地控制氮化硅层的元素来改善器件的特性。 成膜装置（2）包括处理容器（4），支撑构件，加热器（86），排气系统（GE），第一处理气体供应系统（30），第二处理气体供应系统 ），励磁单元和控制单元（60）。 处理容器具有用于接收处理目标衬底的处理区域。 支撑构件在处理区域中支撑处理目标基板。 加热器加热处理区域内的处理基板。 排气系统排出加工区域。 第一处理气体供给系统向处理区域提供包含硅烷类气体的第一处理气体。 第二处理气体供给系统向处理区域供给包含有氮气的第二处理气体。 励磁单元在第二处理气体供给系统向处理区域供给第二处理气体的同时进行励磁运转。 控制器控制成膜装置的操作。

公开(公告)号：KR101287725B1

公开(公告)日：2013-07-19

申请号：KR1020090093078

申请日：2009-09-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쯔나가마사노부 ,  노데라노부따께 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 종형 뱃치 CVD 장치에 있어서, 성막 방법은 사이클을 복수회 반복하여, 각 회마다 형성되는 박막을 적층하도록 구성된다. 사이클은 원료 가스를 피처리 기판의 표면에 흡착시키는 흡착 공정과, 반응 가스를 흡착 원료 가스와 반응시키는 반응 공정을 교대로 구비한다. 흡착 공정은 반응 가스의 공급의 차단을 유지하면서, 처리 영역에 대한 원료 가스의 공급을 행하는 공급 서브 공정을, 처리 영역에 대한 원료 가스의 공급을 정지하는 개재 서브 공정을 사이에 넣어 복수회 행하도록 구성된다. 반응 공정은 원료 가스의 공급의 차단을 유지하면서, 처리 영역에 대한 반응 가스의 공급을 연속적으로 행하도록 구성된다.
종형 뱃치 CVD 장치, 반응 가스, 흡착 원료 가스, DCS 가스, 웨이퍼 보트

公开(公告)号：KR101086588B1

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：KR1020080054102

申请日：2008-06-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  마쯔나가마사노부 ,  하세베가즈히데 ,  우메자와고오따 ,  주파오화

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명은 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 복수의 사이클을 행하여, 실리콘 질화막을 피처리 기판 상에 형성한다. 각 사이클은 제1 처리 가스의 공급을 행하는 한편 제2 처리 가스의 공급의 차단을 유지하는 제1 공급 공정과, 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편 제1 처리 가스의 공급의 차단을 유지하는 제2 공급 공정을 구비한다. 이 방법은 제2 공급 공정이 제2 처리 가스를 여기하는 여기 기간을 구비하는 제1 사이클 세트와, 제2 공급 공정이 제2 처리 가스를 여기하는 기간을 구비하지 않는 제2 사이클 세트를 복수회 반복한다.
성막 장치, 웨이퍼 보트, 처리 가스 공급계, 퍼지 가스 공급계, 반도체 웨이퍼

公开(公告)号：KR101077695B1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：KR1020080101792

申请日：2008-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  사또오쥰 ,  마쯔나가마사노부 ,  하세베가즈히데 ,  이노우에히사시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174

Abstract: 복수매의피처리기판에대해함께플라즈마처리를실시하는반도체처리용종형플라즈마처리장치는, 처리가스의적어도일부를플라즈마화하는여기기구를구비한다. 여기기구는플라즈마발생영역을사이에두고대향하도록플라즈마생성박스에배치된제1 및제2 전극과, 제1 및제2 전극에플라즈마발생용고주파전력을공급하는고주파전원과, 고주파전원은제1 및제2 출력단자를구비하고, 제1 및제2 출력단자는각각접지및 비접지단자이다. 절환기구가배치되어, 제1 전원과제1 출력단자가접속되고또한제2 전극과제2 출력단자가접속된제1 상태와, 제1 전극과제2 출력단자가접속되고또한제2 전극과제1 출력단자가접속된제2 상태를절환한다.

公开(公告)号：KR1020090040227A

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：KR1020080101792

申请日：2008-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  사또오쥰 ,  마쯔나가마사노부 ,  하세베가즈히데 ,  이노우에히사시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174

Abstract: A vertical plasma processing apparatus and a method for using the same are provided to improve throughput by reducing a frequency of a cleaning process by switching a non-ground side and a ground side. A processing container(4) has a processing region receiving a subject to be processed. A retaining support retains or supports a plurality of substrates in the processing container which loading the substrates in a vertical direction with a predetermined interval. A gas supply system supplies the process gas to the processing container. An exhaust system exhausts the gas in the processing container. An excitation device(66) converts a part of the process gas to the plasma. A plasma generating box(72) is mounted in the processing container by corresponding to the process region. A first electrode and a second electrode are arranged in the plasma generating box to face each other while interposing the plasma generating region.

Abstract translation: 提供了一种垂直等离子体处理装置及其使用方法，以通过切换非接地侧和接地侧来降低清洗处理的频率来提高生产率。 处理容器（4）具有接收待处理对象的处理区域。 保持支撑件保持或支撑处理容器中的多个基板，其以预定间隔在垂直方向上装载基板。 气体供应系统将处理气体提供给处理容器。 排气系统排出处理容器中的气体。 激励装置（66）将一部分处理气体转换成等离子体。 等离子体生成箱（72）通过对应于处理区域安装在处理容器中。 等离子体发生箱中的第一电极和第二电极被布置在彼此相对的同时插入等离子体产生区域。