公开(公告)号：KR101086588B1

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：KR1020080054102

申请日：2008-06-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  마쯔나가마사노부 ,  하세베가즈히데 ,  우메자와고오따 ,  주파오화

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명은 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 복수의 사이클을 행하여, 실리콘 질화막을 피처리 기판 상에 형성한다. 각 사이클은 제1 처리 가스의 공급을 행하는 한편 제2 처리 가스의 공급의 차단을 유지하는 제1 공급 공정과, 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편 제1 처리 가스의 공급의 차단을 유지하는 제2 공급 공정을 구비한다. 이 방법은 제2 공급 공정이 제2 처리 가스를 여기하는 여기 기간을 구비하는 제1 사이클 세트와, 제2 공급 공정이 제2 처리 가스를 여기하는 기간을 구비하지 않는 제2 사이클 세트를 복수회 반복한다.
성막 장치, 웨이퍼 보트, 처리 가스 공급계, 퍼지 가스 공급계, 반도체 웨이퍼

公开(公告)号：KR101140069B1

公开(公告)日：2012-04-30

申请号：KR1020070088261

申请日：2007-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  주파오-화 ,  우메자와고오따 ,  가도나가겐따로오 ,  장패리

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C03C17/225 ,  C03C2217/281 ,  C03C2217/282 ,  C03C2217/283 ,  C03C2218/152 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578

Abstract: An insulating film is formed on a target substrate by CVD, in a process field to be selectively supplied with a first process gas containing a silane family gas, a second process gas containing a nitriding gas or oxynitriding gas, a third process gas containing a boron-containing gas, and a fourth process gas containing a carbon hydride gas. A first step performs supply of the first process gas and a preceding gas, which is one of the third and fourth process gases, while stopping supply of the second process gas and a succeeding gas, which is the other of the third and fourth process gases. A second step performs supply of the succeeding gas, while stopping supply of the second process gas and the preceding gas. A third step performs supply of the second process gas while stopping supply of the first process gas.

公开(公告)号：KR1020080076766A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：KR1020080012970

申请日：2008-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시바따데쯔야 ,  우메자와고오따 ,  이께우찌도시유끼

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554

Abstract: A heat processing method and apparatus for a semiconductor process, and a computer readable medium are provided to enable an oxide layer or an oxide nitride layer having excellent electric characteristics to be formed. A heat processing method for a semiconductor process includes receiving a plurality of processed substrates in a process region(5) of a process vessel(4); supplying oxidizing gas and reducing gas in the process region, heating the process region to react the oxidizing gas and the reducing gas in order to produce active oxygen species and active hydro-species; oxidizing a target layer to be processed on the substrates using the active oxygen species and active hydro-species; and heating the target layer under anneal gas atmosphere composed of active ozone or oxidizing species.

Abstract translation: 提供了一种用于半导体处理的热处理方法和装置以及计算机可读介质，以能够形成具有优异电特性的氧化物层或氧化物氮化物层。 一种用于半导体工艺的热处理方法包括在处理容器（4）的处理区域（5）中接收多个经处理的衬底; 在工艺区域供应氧化气体和还原气体，加热工艺区域以使氧化气体和还原气体反应，以产生活性氧和活性水物; 使用活性氧和活性水族物质在底物上氧化待处理的靶层; 并在由活性臭氧或氧化物质组成的退火气体气氛下加热目标层。

公开(公告)号：KR100848993B1

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：KR1020040094867

申请日：2004-11-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  우메자와고오따 ,  다까하시유따까

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: 본 발명의 과제는 형성되는 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 개선하는 것이 가능한 피처리체의 산화 방법을 제공하는 데 있다.
소정의 피치로 배열된 복수매의 피처리체(W)를 수용하는 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(22) 내에 산화성 가스와 환원성 가스를 공급하여 상기 양 가스를 반응시킴으로써 발생한 산소 활성종과 수산기 활성종을 주체로 하는 분위기 속에서 상기 피처리체의 표면을 산화하도록 한 피처리체의 산화 방법에 있어서, 상기 산화성 가스와 환원성 가스 중 적어도 어느 한 쪽의 가스를 상기 피처리체가 수용된 수용 영역(S)을 흐르는 가스 흐름 중 적어도 상류 영역(S1)과 하류 영역(S3)과 중류 영역(S2)으로 분사하여 공급한다.
피처리체, 처리 용기, 분사 노즐, 유량 제어기, 웨이퍼 보트, 가스 분사구

公开(公告)号：KR1020060041970A

公开(公告)日：2006-05-12

申请号：KR1020050012519

申请日：2005-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈끼게이스께 ,  이께우찌도시유끼 ,  우메자와고오따

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67757

Abstract: 본 발명의 과제는 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 높게 유지하는 것이 가능한 피처리체의 산화 방법을 제공하는 것이다.
소정의 길이를 갖는 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(22) 내에 피처리체(W)를 복수매 수용하고, 상기 처리 용기 내에 산화성 가스와 환원성 가스를 공급하여 상기 양 가스를 반응시킴으로써 발생한 산소 활성종과 수산기 활성종을 갖는 분위기 중에서 상기 피처리체의 표면을 산화하도록 한 피처리체의 산화 방법에 있어서, 상기 산화성 가스를 상기 처리 용기의 길이 방향의 일단부측으로부터 공급하고, 상기 환원성 가스를 상기 처리 용기의 길이 방향의 다른 위치에 설치한 복수의 가스 분사구로부터 공급할 수 있게 하는 동시에, 상기 처리 용기 내의 상기 피처리체의 수용 매수와 수용 위치에 따라서 상기 가스 분사구 중 어느 하나를 선택하고, 상기 선택된 가스 분사구로부터 환원성 가스를 공급한다. 이에 의해, 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 높게 유지한다.
산화 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 가열 수단, 가스 분사구

公开(公告)号：KR1020050049377A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：KR1020040094867

申请日：2004-11-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  우메자와고오따 ,  다까하시유따까

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: 본 발명의 과제는 형성되는 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 개선하는 것이 가능한 피처리체의 산화 방법을 제공하는 데 있다.
소정의 피치로 배열된 복수매의 피처리체(W)를 수용하는 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(22) 내에 산화성 가스와 환원성 가스를 공급하여 상기 양 가스를 반응시킴으로써 발생한 산소 활성종과 수산기 활성종을 주체로 하는 분위기 속에서 상기 피처리체의 표면을 산화하도록 한 피처리체의 산화 방법에 있어서, 상기 산화성 가스와 환원성 가스 중 적어도 어느 한 쪽의 가스를 상기 피처리체가 수용된 수용 영역(S)을 흐르는 가스 흐름 중 적어도 상류 영역(S1)과 하류 영역(S3)과 중류 영역(S2)으로 분사하여 공급한다.

公开(公告)号：KR101309930B1

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：KR1020120137159

申请日：2012-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도미따마사히꼬 ,  우메자와고오따 ,  손량 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01L21/67109

Abstract: 반도체 처리용 처리 장치의 사용 방법은, 제품용 피처리 기판을 수용하지 않는 상기 처리 장치의 처리 용기 내에 산화성 가스 및 환원성 가스를 공급하는 공정과, 상기 처리 용기 내에 있어서, 상기 산화성 가스 및 상기 환원성 가스가 활성화하는 제1 환경하에서 상기 산화성 가스 및 상기 환원성 가스를 반응시켜 활성종을 발생시키는 공정과, 상기 활성종을 사용하여 상기 처리 용기의 상기 내면으로부터 오염 물질을 제거하는 공정을 포함한다.

Abstract translation: 使用用于半导体处理的处理设备的方法包括以下步骤：将氧化气体和还原气体供应到处理设备的处理容器中，该处理设备不包含待处理产品的基板; 在活化物质被活化的第一环境下使氧化气体和还原气体反应以产生活性物质;以及使用活性物质从处理容器的内表面去除污染物。

公开(公告)号：KR101232970B1

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：KR1020120024990

申请日：2012-03-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시바따데쯔야 ,  우메자와고오따 ,  이께우찌도시유끼

IPC: H01L21/324

Abstract: 반도체 처리용 열처리 방법은 처리 용기의 처리 영역 내에 간격을 두고 적층된 상태에서 복수의 피처리 기판을 수납한다. 피처리 기판은 처리 대상층을 표면에 갖는다. 다음에, 처리 영역에 산화성 가스 및 환원성 가스를 공급하는 동시에, 처리 영역을 가열함으로써 산화성 가스 및 환원성 가스를 반응시켜 산소 활성종과 수산기 활성종을 발생시키고, 산소 활성종과 수산기 활성종을 사용하여 피처리 기판 상의 처리 대상층에 대해 산화를 행한다. 다음에, 산화 후의 처리 대상층을 오존 또는 산화성 활성종으로 이루어지는 어닐 가스의 분위기 중에서 가열함으로써 처리 대상층에 대해 어닐을 행한다.

公开(公告)号：KR1020120031290A

公开(公告)日：2012-04-02

申请号：KR1020120024990

申请日：2012-03-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시바따데쯔야 ,  우메자와고오따 ,  이께우찌도시유끼

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67242

Abstract: PURPOSE: A heat processing method and apparatus for processing a semiconductor and a computer readable medium are provided to improve a processed amount by setting oxidation, nitridation, and anneal processes to be at the same temperature. CONSTITUTION: An exhaust outlet(6) is located on a ceiling part of a processing container(4). A manifold(16) is connected to an opening of a bottom part of the processing container through a seal member(20). A wafer boat(18) is ascended and descended through the opening of the bottom part of the manifold. A plurality of semiconductor wafers(W) is loaded into multiple stages in the wafer boat. A table(24) is supported on the top end part of a rotary shaft(28) passing through a cover(26). The rotary shaft is installed at a tip-end part of an arm(36) supported by an elevating mechanism(34).

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理半导体和计算机可读介质的热处理方法和设备，以通过将氧化，氮化和退火处理设定在相同的温度来提高处理量。 构成：排气口（6）位于处理容器（4）的顶部。 歧管（16）通过密封构件（20）连接到处理容器的底部的开口。 晶片舟（18）通过歧管底部的开口而上升并下降。 多个半导体晶片（W）被装入晶片舟皿的多个阶段。 桌子（24）支撑在通过盖（26）的旋转轴（28）的顶端部分上。 旋转轴安装在由升降机构（34）支撑的臂（36）的前端部。

公开(公告)号：KR101018597B1

公开(公告)日：2011-03-04

申请号：KR1020050018908

申请日：2005-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈끼게이스께 ,  이께우찌도시유끼 ,  우메자와고오따

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명의 과제는 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 높게 유지하는 것이 가능한 피처리체의 산화 방법, 산화 장치 및 이를 제어하는 프로그램을 기억하는 기억 매체를 제공하는 것이다.
소정의 길이를 갖는 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(22) 내에 피처리체(W)를 복수매 수용하고, 상기 처리 용기 내에 산화성 가스와 환원성 가스를 공급하여 상기 양 가스를 반응시킴으로써 발생한 산소 활성종과 수산기 활성종을 갖는 분위기 중에서 상기 피처리체의 표면을 산화하도록 한 피처리체의 산화 방법에 있어서, 상기 산화성 가스를 상기 처리 용기의 길이 방향의 일단부측으로부터 공급하고, 상기 환원성 가스를 상기 처리 용기의 길이 방향의 다른 위치에 설치한 복수의 가스 분사구로부터 공급할 수 있게 하는 동시에, 상기 처리 용기 내의 상기 피처리체의 수용 매수와 수용 위치에 따라서 상기 가스 분사구 중 어느 하나를 선택하고, 상기 선택된 가스 분사구로부터 환원성 가스를 공급한다. 이에 의해, 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 높게 유지한다.
산화 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 가열 수단, 가스 분사구