公开(公告)号：KR101141913B1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：KR1020070070009

申请日：2007-07-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 주파오화 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405

Abstract: 성막 장치의 사용 방법은, 처리 용기의 처리 영역 내에 제1 성막 가스를 공급하는 제1 성막 처리에 의해, 처리 영역 내에서 제1 피처리 기판 상에 제1 박막을 형성한다. 제1 피처리 기판을 처리 용기로부터 언로드 후, 처리 용기 내의 클리닝 처리를 행한다. 클리닝 처리는, 처리 영역 내에 클리닝 가스를 공급하는 동시에, 여기 기구에 의해 클리닝 가스의 플라즈마를 발생시키는 공정을 포함한다. 다음에, 처리 영역 내에 제2 성막 가스를 공급하는 제2 성막 처리에 의해, 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 제2 박막을 형성한다. 제2 성막 처리는 여기 기구에 의해 제2 성막 가스의 플라즈마를 발생시키면서 행하는 플라즈마 성막 처리이다.
성막 장치, 처리 용기, 클리닝 가스, 박막, 여기 기구

公开(公告)号：KR1020070016071A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：KR1020060072425

申请日：2006-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  주파오화 ,  오가와쥰 ,  김채호 ,  후꾸시마고오헤이 ,  다까하시도시끼 ,  사또오쥰

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/683

Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와, 질화 가스, 산질화 가스 및 산화 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 가스를 포함하는 제2 처리 가스와, 퍼지 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 함유 절연막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1, 제2, 제3 및 제4 공정에 있어서, 각각 제1 처리 가스, 퍼지 가스, 제2 처리 가스 및 퍼지 가스를 공급하고, 나머지 2개의 가스의 공급을 정지한다. 제1 공정 내지 제4 공정에 걸쳐서, 개방도 조정용 밸브가 배치된 배기 통로를 거쳐서 처리 영역 내부를 계속적으로 진공 배기한다. 제1 공정에 있어서의 밸브의 개방도를 제2 및 제4 공정에 있어서의 밸브의 개방도의 5 내지 95 ％로 설정한다.
웨이퍼 보트, 승강 기구, 가스 분산 노즐, 가스 여기부, 배기구, 밸브구

公开(公告)号：KR1020060097619A

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：KR1020060021536

申请日：2006-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 주파오화 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76829

Abstract: An insulating film is formed on a target substrate by CVD, in a process field to be selectively supplied with a first process gas containing a silane family gas, a second process gas containing a nitriding or oxynitriding gas, and a third process gas containing a carbon hydride gas. This method alternately includes first to fourth steps. The first step performs supply of the first and third process gases to the field while stopping supply of the second process gas to the process field. The second step stops supply of the first to third process gases to the field. The third step performs supply of the second process gas to the field while stopping supply of the first and third process gases to the field. The fourth step stops supply of the first to third process gases to the field.

Abstract translation: 包括硅烷基气体的第一处理气体，包含硝化气体或氮氧化气体的第二处理气体以及包含烃气体的第三处理气体， 由此形成绝缘膜。 该成膜方法交替地包括第一至第四步骤。 在第一步骤中，在停止向处理区域供应第二处理气体的同时执行向处理区域供应第一和第三处理气体。 在第二步骤中，停止向处理区域供应第一，第二和第三处理气体。 在第三步骤中，在停止向处理区域供应第一和第三处理气体的同时向处理区域供应第二处理气体。 在第四步骤中，停止向处理区域供应第一，第二和第三处理气体。

公开(公告)号：KR101242274B1

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：KR1020090032026

申请日：2009-04-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가도나가겐따로오 ,  도네가와야마또 ,  주파오화 ,  하세베가즈히데 ,  시바따데쯔야

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31612 ,  H01L29/792

Abstract: 반도체 처리용 성막 방법은, 실리콘 소스 가스와 금속 소스 가스가 선택적으로 공급 가능한 처리 용기의 처리 영역 내에서, 피처리 기판 상에 금속 도프된 실리콘 함유 절연막을 형성하는 성막 처리를 행한다. 성막 처리는 상기 금속 소스 가스의 공급의 차단을 유지하는 동시에, 상기 실리콘 소스 가스를 화학적으로 반응시켜 제1 절연 박층을 형성하는 공정과, 다음에 상기 실리콘 소스 가스의 공급의 차단을 유지하는 동시에, 상기 금속 소스 가스를 화학적으로 반응시켜 제1 금속 박층을 형성하는 공정과, 다음에 상기 금속 소스 가스의 공급의 차단을 유지하는 동시에, 상기 실리콘 소스 가스를 화학적으로 반응시켜 제2 절연 박층을 형성하는 공정을 구비한다.
절연 박층, 금속 박층, 실리콘 소스 가스, 금속 소스 가스, 성막 장치

公开(公告)号：KR101105130B1

公开(公告)日：2012-01-16

申请号：KR1020090003552

申请日：2009-01-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  노데라노부따께 ,  마쯔나가마사노부 ,  사또오쥰 ,  주파오화

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542

Abstract: 성막 방법은 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 동시에, 제2 처리 가스를 공급할 때에 여기하기 위한 여기 기구에 연통하는 처리 영역 내에서 플라즈마 사이클 및 비플라즈마 사이클을 복수회 반복하여 실리콘 질화막을 피처리 기판 상에 형성한다. 이 방법은 실리콘 질화막의 막질 요소에 대한 플라즈마 사이클 및 비플라즈마 사이클의 사이클 혼합 형태의 관계를 나타내는 관계식 또는 관계표를 구하는 공정과, 막질 요소의 목표값으로부터 관계식 또는 관계표를 참조하여 사이클 혼합 형태의 구체적 형태를 결정하는 공정과, 구체적 형태에 따라서 성막 처리를 어레인지하는 공정을 구비한다.
성막 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 보온통, 승강 기구, 가스 여기부

Abstract translation: 成膜方法是选择性地向等离子体处理室供给含有硅烷系气体的第一处理气体和含有氮化气体的第二处理气体的方法， 循环和非等离子体循环被重复多次以在待处理的衬底上形成氮化硅膜。 等离子体循环的方法，和非一步骤，以获得关系表达式或一个关系表，其示出了等离子体循环的混合物的循环关系，请参见对氮化硅膜的膜质量因子从膜质量元件的目标值来循环混合形式的关系或关系表 确定特定形状的步骤，以及根据特定形式布置成膜处理的步骤。

公开(公告)号：KR1020090110786A

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：KR1020090032026

申请日：2009-04-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가도나가겐따로오 ,  도네가와야마또 ,  주파오화 ,  하세베가즈히데 ,  시바따데쯔야

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31612 ,  H01L29/792

Abstract: PURPOSE: A film forming method for a semiconductor process is provided to control metal concentration in forming a metal doped insulation film including silicon. CONSTITUTION: While supply of a metal source gas is blocked, a first insulation film is formed by chemically reacting to a silicon source gas(S1). While supply of the silicon source gas is blocked, a first metal film is formed by chemically reacting to the metal source gas(S2). While supply of the metal source gas is blocked, a second insulation film is formed by chemically reacting to the silicon source gas(S3). The first insulation film, the first metal film, and the second insulation film are successively laminated.

Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体工艺的成膜方法，以在形成包括硅的金属掺杂绝缘膜的过程中控制金属浓度。 构成：当金属源气体的供给被阻塞时，通过与硅源气体（S1）发生化学反应形成第一绝缘膜。 当硅源气体的供给被阻塞时，通过与金属源气体化学反应形成第一金属膜（S2）。 当金属源气体的供给被阻挡时，通过与硅源气体化学反应形成第二绝缘膜（S3）。 第一绝缘膜，第一金属膜和第二绝缘膜依次层叠。

公开(公告)号：KR101086588B1

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：KR1020080054102

申请日：2008-06-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  마쯔나가마사노부 ,  하세베가즈히데 ,  우메자와고오따 ,  주파오화

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명은 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 복수의 사이클을 행하여, 실리콘 질화막을 피처리 기판 상에 형성한다. 각 사이클은 제1 처리 가스의 공급을 행하는 한편 제2 처리 가스의 공급의 차단을 유지하는 제1 공급 공정과, 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편 제1 처리 가스의 공급의 차단을 유지하는 제2 공급 공정을 구비한다. 이 방법은 제2 공급 공정이 제2 처리 가스를 여기하는 여기 기간을 구비하는 제1 사이클 세트와, 제2 공급 공정이 제2 처리 가스를 여기하는 기간을 구비하지 않는 제2 사이클 세트를 복수회 반복한다.
성막 장치, 웨이퍼 보트, 처리 가스 공급계, 퍼지 가스 공급계, 반도체 웨이퍼

公开(公告)号：KR1020080076828A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：KR1020080013866

申请日：2008-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 주파오화 ,  하세베가즈히데

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/00

Abstract: A film forming method and a film forming apparatus are provided to improve controllability of the film thickness during cleaning and form an SiCN film that can function sufficiently as an etching stopper film or an interlayer insulating film by maintaining a relatively low etching rate during cleaning even when a film is formed at a relatively low temperature. An apparatus(2) for forming an SiCN film on a substrate to be treated comprises: a treatment vessel(4) having a treatment zone(5) for receiving the substrate to be treated; a supporting member for supporting the substrate to be treated within the treatment zone; a heater(72) for heating the substrate to be treated in the treatment zone; an exhaust system(73) for exhausting the inside of the treatment zone; a first treatment gas supply system(30) for supplying a first treatment gas comprising a silane-based gas to the treatment zone; a second treatment gas supply system(32) for supplying a second treatment gas comprising a nitriding gas to the treatment zone; a third treatment gas supply system(28) for supplying a third treatment gas comprising a hydrocarbon gas to the treatment zone; and a control part(74) for controlling the operation of the apparatus, the control part being set to carry out a method for forming an SiCN film with a predetermined thickness on the substrate to be treated by repeating a cycle several times, thereby laying up thin films formed per the cycle, wherein the cycle comprises: performing a first process of supplying a first treatment gas to the treatment zone, a second process of supplying a second treatment gas to the treatment zone, a third process of supplying a third treatment gas to the treatment zone, and a fourth process of cutting off the supply of the first treatment gas to the treatment zone; supplying the first to third treatment gases to the treatment zone without plasmarizing the treatment gases outside the treatment zone; and heating the treatment zone in the first to fourth processes to a first temperature at which the silane-based gas, the nitriding gas, and the hydrocarbon gas react with one another.

Abstract translation: 提供了一种成膜方法和成膜装置，以提高清洁期间的膜厚度的可控性，并形成可以充分发挥作为蚀刻停止膜或层间绝缘膜的SiCN膜的作用，即使在清洁期间保持相对较低的蚀刻速率， 在相对低的温度下形成膜。 一种用于在待处理的基底上形成SiCN膜的设备（2）包括：处理容器（4），具有用于接收待处理的基底的处理区（5） 支撑构件，用于在处理区域内支撑待处理的基底; 加热器（72），用于加热待处理区域中的待处理基底; 排气系统（73），用于排出处理区域的内部; 第一处理气体供给系统（30），用于向处理区域供应包含硅烷类气体的第一处理气体; 第二处理气体供给系统（32），用于将包含氮化气体的第二处理气体供给到所述处理区域; 第三处理气体供给系统（28），用于将包含烃气体的第三处理气体供给到所述处理区域; 以及用于控制装置的操作的控制部分（74），控制部分被设置为通过重复一次循环数次来在待处理的基板上执行用于形成具有预定厚度的SiCN膜的方法，由此布置 每个循环形成薄膜，其中循环包括：执行向处理区域供应第一处理气体的第一过程，向处理区域供应第二处理气体的第二过程，提供第三处理气体的第三过程 到处理区域，以及切断向处理区域供应第一处理气体的第四过程; 将第一至第三处理气体供应到处理区域，而不使处理区域外的处理气体等离子体化; 并且将第一至第四工序中的处理区域加热至硅烷系气体，氮化气体和烃气体彼此反应的第一温度。

公开(公告)号：KR1020070076478A

公开(公告)日：2007-07-24

申请号：KR1020070004154

申请日：2007-01-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 주파오화 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/36 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/318

Abstract: A layer deposition method and a layer deposition apparatus are provided to comparatively reduce an etching rate during a cleaning process, even if the layer deposition method is performed in a relatively low temperature, using an excited processing gas during a preset excitation period. A first process gas includes a silane based gas(30S). A second process gas includes a nitrification gas(32S). A third process gas includes a hydrocarbon gas(28S). The first to the third process gases are selectively supplied into a process region(5) so that a substrate(W) to be processed is provided with an dielectric film by a CVD. The steps of supplying the first to the third process gases into the processing region are repeated. In the step of supplying the third processing gas, an excitation mechanism(66) is used to excite the third process gas, so that the excited process gas is supplied into the process region during a preset excitation period.

Abstract translation: 提供层淀积方法和层淀积装置，即使在预设的激发期间使用激发的处理气体，在相对低的温度下进行层沉积方法，也可以在清洁过程中相对降低蚀刻速率。 第一工艺气体包括硅烷基气体（30S）。 第二工艺气体包括硝化气体（32S）。 第三工艺气体包括烃气体（28S）。 第一至第三工艺气体被选择性地供应到工艺区域（5）中，使得待处理的衬底（W）通过CVD提供介电膜。 重复将第一至第三处理气体供应到处理区域中的步骤。 在提供第三处理气体的步骤中，使用激励机构（66）来激励第三处理气体，使得在预设的激励期间将被激发的工艺气体供给到处理区域。

公开(公告)号：KR101141870B1

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：KR1020070004154

申请日：2007-01-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 주파오화 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/36 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/318

Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스와 탄화 수소 가스를 포함하는 제3 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 절연막을 형성한다. 이 성막 방법은 처리 영역에 대한 제1 처리 가스의 공급을 행하는 공정과, 처리 영역에 대한 제2 처리 가스의 공급을 행하는 공정과, 처리 영역에 대한 제3 처리 가스의 공급을 행하는 공정을 반복하여 구비한다. 제3 처리 가스의 공급을 행하는 공정은, 제3 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태에서 처리 영역에 공급하는 여기 기간을 구비한다.
처리 영역, 성막 장치, 매니폴드, 가스 여기부, 유량 제어기