公开(公告)号：KR101436710B1

公开(公告)日：2014-09-01

申请号：KR1020127030322

申请日：2011-04-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토다카시 ,  스기우라마사히토 ,  고이즈미겐지로 ,  가시와기유사쿠

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  B82B3/00 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/503 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/0226 ,  C01B32/16 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 표면에 하나 또는 복수의 개구부를 갖고, 당해 개구부 저면에 촉매 금속층이 형성된 피처리체를 준비한다(스텝 1). 촉매 금속층에 산소 플라즈마 처리를 실시하고(스텝 2), 촉매 금속층에 수소 플라즈마 처리를 더 실시하여, 촉매 금속층의 표면을 활성화한다(스텝 3). 그 후, 필요에 따라 퍼지 처리(스텝 4)를 행한 후, 촉매 금속층 상에 플라즈마 CVD에 의해 카본 나노튜브를 성장시켜, 피처리체의 개구부 내를 카본 나노튜브로 충전한다(스텝 5).

公开(公告)号：KR1020140059192A

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：KR1020147003275

申请日：2012-07-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토다카시 ,  아키야마오사유키

IPC: C01B31/02 ,  H01J9/02 ,  B01J19/12

CPC classification number: C01B32/168 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C01B32/176 ,  H01J9/025 ,  B01J19/12 ,  H01J9/02

Abstract: 카본 나노튜브가 형성된 웨이퍼(W)를 에칭 장치(100)의 처리 용기(1) 내의 스테이지(3) 상에 적재한다. 샤워 링(57)으로부터 처리 용기(1) 내에 플라즈마 생성 가스를 도입하는 동시에, 마이크로파 발생부(35)에서 발생한 마이크로파를, 평면 안테나(33)로 유도하여, 투과판(39)을 통해 처리 용기(1) 내에 도입한다. 이 마이크로파에 의해, 플라즈마 생성 가스를 플라즈마화하고, 플라즈마가 착화된 타이밍에 산화성 가스(예를 들어, O
2 가스) 또는 환원성 가스(예를 들어, H
2 가스나 NH
3 가스)를 처리 용기(1) 내에 도입하여, 플라즈마화한다. 이와 같이 형성되는 저전자 온도의 플라즈마를, 웨이퍼(W) 상의 카본 나노튜브에 작용시킴으로써, 그 선단측으로부터 기단부측을 향해 길이 방향으로 에칭이 진행된다.

公开(公告)号：KR101139175B1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：KR1020097027386

申请日：2008-07-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토요시히로 ,  가시와기유사쿠 ,  마츠모토다카시

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76822 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 반도체 장치의 제조 방법은 페닐기 및 실리콘을 포함하는 동시에 불가피한 불순물 이외의 질소를 포함하지 않는 유기 실란 가스를 활성화하여 플라즈마를 얻는 동시에, 기판의 온도를 200℃ 이하로 설정한 상태에서, 상기 플라즈마에 상기 기판을 노출시켜 페닐기와 실리콘을 포함하는 박막을 상기 기판상에 성막하는 공정(a)과, 그 후, 상기 기판에 대해 에너지를 가하고, 상기 박막으로부터 수분을 탈리시켜 저유전율 막을 얻는 공정(b)을 포함한다. 이 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 유기물을 포함하는 실리콘 산화물계의 저유전율 막에 대해 에칭 처리나 애싱 처리 등의 플라즈마 처리를 실행했을 때, 유기물이 탈리하는 것에 의해서 받는 데미지가 적은 저유전율 막을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130007658A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020127030322

申请日：2011-04-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토다카시 ,  스기우라마사히토 ,  고이즈미겐지로 ,  가시와기유사쿠

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  B82B3/00 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/503 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/0226 ,  C01B32/16 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 표면에 하나 또는 복수의 개구부를 갖고, 당해 개구부 저면에 촉매 금속층이 형성된 피처리체를 준비한다(스텝 1). 촉매 금속층에 산소 플라즈마 처리를 실시하고(스텝 2), 촉매 금속층에 수소 플라즈마 처리를 더 실시하여, 촉매 금속층의 표면을 활성화한다(스텝 3). 그 후, 필요에 따라 퍼지 처리(스텝 4)를 행한 후, 촉매 금속층 상에 플라즈마 CVD에 의해 카본 나노튜브를 성장시켜, 피처리체의 개구부 내를 카본 나노튜브로 충전한다(스텝 5).

公开(公告)号：KR101905227B1

公开(公告)日：2018-10-05

申请号：KR1020147003275

申请日：2012-07-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토다카시 ,  아키야마오사유키

IPC: C01B31/02 ,  H01J9/02 ,  B01J19/12

CPC classification number: C01B32/168 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C01B32/176 ,  H01J9/025

Abstract: 카본나노튜브가형성된웨이퍼(W)를에칭장치(100)의처리용기(1) 내의스테이지(3) 상에적재한다. 샤워링(57)으로부터처리용기(1) 내에플라즈마생성가스를도입하는동시에, 마이크로파발생부(35)에서발생한마이크로파를, 평면안테나(33)로유도하여, 투과판(39)을통해처리용기(1) 내에도입한다. 이마이크로파에의해, 플라즈마생성가스를플라즈마화하고, 플라즈마가착화된타이밍에산화성가스(예를들어, O가스) 또는환원성가스(예를들어, H가스나 NH가스)를처리용기(1) 내에도입하여, 플라즈마화한다. 이와같이형성되는저전자온도의플라즈마를, 웨이퍼(W) 상의카본나노튜브에작용시킴으로써, 그선단측으로부터기단부측을향해길이방향으로에칭이진행된다.

公开(公告)号：KR101375501B1

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：KR1020120017390

申请日：2012-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토다카시 ,  아키야마오사유키 ,  고이즈미겐지로

IPC: C01B31/02 ,  B01J19/12 ,  C23C16/06

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162

Abstract: 피처리체상에 있어서 수직에 가까운 상태에서 배향하고, 또한 고밀도의 카본 나노 튜브를 극력 낮은 온도에서 형성하는 방법이 제공된다. 카본 나노 튜브의 형성 방법은 촉매 금속층에 온도 T
1 에서 산소 플라즈마를 작용시켜, 표면이 산화된 촉매 금속 미립자를 형성하는 공정과, 촉매 금속 미립자에 온도 T
1 보다 높은 온도 T
2 에서 수소 플라즈마를 작용시켜, 촉매 금속 미립자의 표면을 환원해서 활성화하는 공정과, 활성화된 촉매 금속 미립자의 위에 온도 T
3 에서 열 CVD법에 의해 카본 나노 튜브를 성장시키는 공정을 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1020120098442A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：KR1020120017390

申请日：2012-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토다카시 ,  아키야마오사유키 ,  고이즈미겐지로

IPC: C01B31/02 ,  B01J19/12 ,  C23C16/06

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  B01J19/12

Abstract: PURPOSE: A method for forming carbon nano-tubes and a method for pre-treating the carbon nano-tubes are provided to suppress the introduction of impurities into carbon nano-tubes and to form carbon nano-tubes which are vertically oriented on the surface of a target. CONSTITUTION: A method for forming carbon nano-tubes includes the following: a catalytic metal layer is formed on the surface of a target; oxygen plasma is applied to the catalytic metal layer at the temperature of T1 to form surface oxidized catalytic metal particles(S1); hydrogen plasma is applied to the catalytic metal particles at the temperature of T2, which is higher than the T1, to activate the surfaces of the catalytic metal particles(S2); and carbon nano-tubes are grown on the catalytic metal particles at the temperature of T3 based on a thermal chemical vapor deposition method(S3). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (STEP S1) Oxygen plasma treatment(temperature T1); (STEP S2) Hydrogen plasma treatment(temperature T2); (STEP S3) Carbon nanotube formation(temperature T3)

Abstract translation: 目的：提供一种形成碳纳米管的方法和预处理碳纳米管的方法，以抑制杂质引入到碳纳米管中并形成碳纳米管，该纳米管垂直取向在 一个目标。 构成：形成碳纳米管的方法包括：在靶的表面上形成催化金属层; 在T1的温度下将氧等离子体施加到催化金属层上以形成表面氧化的催化金属颗粒（S1）; 在高于T1的T2温度下，向催化金属颗粒施加氢等离子体以活化催化金属颗粒（S2）的表面; 并且基于热化学气相沉积方法（T3），在T3的温度下在催化金属颗粒上生长碳纳米管。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （步骤S1）氧等离子体处理（温度T1）; （步骤S2）氢等离子体处理（温度T2）; （步骤S3）碳纳米管形成（温度T3）

公开(公告)号：KR102017944B1

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：KR1020170123274

申请日：2017-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와사키히로아키 ,  마츠모토다카시 ,  나가이히로유키 ,  이후쿠료우타

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768

公开(公告)号：KR1020100017957A

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：KR1020097027386

申请日：2008-07-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토요시히로 ,  가시와기유사쿠 ,  마츠모토다카시

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76822 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: This invention provides a process for producing a semiconductor device, comprising a step (a) of activating an organic silane gas containing a phenyl group and silicon and free from nitrogen other than unavoidable impurities to produce plasma, and, in such a state that the temperature of a substrate is set at 200°C or below, exposing the substrate to the plasma to form a thin film containing a phenyl group and silicon on the substrate, and a step (b) of applying energy to the substrate to eliminate water from the thin film to form a low-permittivity film. This production process can provide an organic material-containing silicon oxide-type low-permittivity film which, when subjected to etching treatment, ashing treatment or other plasma treatment, does not cause any significant damage caused by the elimination of the organic matter.

Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括使除了不可避免的杂质以外的含有苯基和硅并且不含氮的有机硅烷气体活化以产生等离子体的工序（a） 将基板设置在200℃以下，将基板暴露于等离子体，以在基板上形成含有苯基和硅的薄膜，以及向基板施加能量以从其中除去水的步骤（b） 薄膜形成低介电常数薄膜。 该制造方法可以提供含有机材料的氧化硅型低电容率膜，当进行蚀刻处理，灰化处理或其他等离子体处理时，不会引起由有机物质的消除引起的任何显着的损坏。