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    처리 장치
    1.
    发明授权
    처리 장치 有权

    公开(公告)号：KR101274781B1

    公开(公告)日：2013-06-13

    申请号：KR1020097025320

    申请日：2008-05-29

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 노무라마사미치 ,  고이즈미겐지로 ,  가사이시게루

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/68792 ,  C23C14/505 ,  H01J37/32761

    Abstract: 부상용 전자석 어셈블리(F)의 자기 흡인력에 의해, 피처리체(W)를 지지하는 회전 부상체(30)를 부상시키고, 회전 부상체(30)의 수평 방향 위치를 위치용 전자석 어셈블리(H)의 자기 흡인력에 의해 제어하면서, 회전 부상체(30)를 회전 전자석 어셈블리(R)의 자기 흡인력에 의해 회전시킨다. 부상용 전자석 어셈블리(F)는 자기 흡인력을 수직 방향 하방을 향해 작용하여, 처리 용기(2)의 내벽에 비접촉식으로 부양 지지되도록 회전 부상체(30)를 부상시킨다.

    처리 장치
    3.
    发明公开
    처리 장치 有权
    加工设备

    公开(公告)号：KR1020100018530A

    公开(公告)日：2010-02-17

    申请号：KR1020097025320

    申请日：2008-05-29

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 노무라마사미치 ,  고이즈미겐지로 ,  가사이시게루

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/68792 ,  C23C14/505 ,  H01J37/32761

    Abstract: A rotary floater (30) for supporting a treatment object (W) is floated by the magnetic attraction of a floating electromagnet assembly (F), and the rotary floater (30) is rotated by the magnetic attraction of a rotary electromagnet assembly (R) while its horizontal position being controlled by the magnetic attraction of a positioning electromagnet assembly (H). The floating electromagnet assembly (F) causes the magnetic attraction to act vertically downward, so that the rotary floater (30) is floated and suspended without contact from the inner wall of a treating container (2).

    Abstract translation: 用于支撑处理物体（W）的旋转浮子（30）通过浮动电磁体组件（F）的磁吸引而浮起，旋转浮子（30）通过旋转电磁体组件（R）的磁吸引力而旋转， 而其水平位置由定位电磁铁组件（H）的磁吸引力控制。 浮动电磁体组件（F）使得磁吸引力垂直向下作用，使得旋转浮子（30）浮动并悬挂而不与处理容器（2）的内壁接触。

    카본 나노 튜브의 형성 방법 및 전처리 방법
    7.
    发明授权
    카본 나노 튜브의 형성 방법 및 전처리 방법 有权
    碳纳米管形成方法及其预处理方法

    公开(公告)号：KR101375501B1

    公开(公告)日：2014-03-18

    申请号：KR1020120017390

    申请日：2012-02-21

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 마츠모토다카시 ,  아키야마오사유키 ,  고이즈미겐지로

    IPC: C01B31/02 ,  B01J19/12 ,  C23C16/06

    CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162

    Abstract: 피처리체상에 있어서 수직에 가까운 상태에서 배향하고, 또한 고밀도의 카본 나노 튜브를 극력 낮은 온도에서 형성하는 방법이 제공된다. 카본 나노 튜브의 형성 방법은 촉매 금속층에 온도 T
    1 에서 산소 플라즈마를 작용시켜, 표면이 산화된 촉매 금속 미립자를 형성하는 공정과, 촉매 금속 미립자에 온도 T
    1 보다 높은 온도 T
    2 에서 수소 플라즈마를 작용시켜, 촉매 금속 미립자의 표면을 환원해서 활성화하는 공정과, 활성화된 촉매 금속 미립자의 위에 온도 T
    3 에서 열 CVD법에 의해 카본 나노 튜브를 성장시키는 공정을 구비하고 있다.

    카본 나노 튜브의 형성 방법 및 전처리 방법
    8.
    发明公开
    카본 나노 튜브의 형성 방법 및 전처리 방법 有权
    碳纳米管形成方法及其预处理方法

    公开(公告)号：KR1020120098442A

    公开(公告)日：2012-09-05

    申请号：KR1020120017390

    申请日：2012-02-21

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 마츠모토다카시 ,  아키야마오사유키 ,  고이즈미겐지로

    IPC: C01B31/02 ,  B01J19/12 ,  C23C16/06

    CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  B01J19/12

    Abstract: PURPOSE: A method for forming carbon nano-tubes and a method for pre-treating the carbon nano-tubes are provided to suppress the introduction of impurities into carbon nano-tubes and to form carbon nano-tubes which are vertically oriented on the surface of a target. CONSTITUTION: A method for forming carbon nano-tubes includes the following: a catalytic metal layer is formed on the surface of a target; oxygen plasma is applied to the catalytic metal layer at the temperature of T1 to form surface oxidized catalytic metal particles(S1); hydrogen plasma is applied to the catalytic metal particles at the temperature of T2, which is higher than the T1, to activate the surfaces of the catalytic metal particles(S2); and carbon nano-tubes are grown on the catalytic metal particles at the temperature of T3 based on a thermal chemical vapor deposition method(S3). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (STEP S1) Oxygen plasma treatment(temperature T1); (STEP S2) Hydrogen plasma treatment(temperature T2); (STEP S3) Carbon nanotube formation(temperature T3)

    Abstract translation: 目的：提供一种形成碳纳米管的方法和预处理碳纳米管的方法，以抑制杂质引入到碳纳米管中并形成碳纳米管，该纳米管垂直取向在 一个目标。 构成：形成碳纳米管的方法包括：在靶的表面上形成催化金属层; 在T1的温度下将氧等离子体施加到催化金属层上以形成表面氧化的催化金属颗粒（S1）; 在高于T1的T2温度下，向催化金属颗粒施加氢等离子体以活化催化金属颗粒（S2）的表面; 并且基于热化学气相沉积方法（T3），在T3的温度下在催化金属颗粒上生长碳纳米管。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （步骤S1）氧等离子体处理（温度T1）; （步骤S2）氢等离子体处理（温度T2）; （步骤S3）碳纳米管形成（温度T3）

    처리 장치 및 그 동작 방법
    9.
    发明公开
    처리 장치 및 그 동작 방법 无效
    处理装置及其操作方法

    公开(公告)号：KR1020120030564A

    公开(公告)日：2012-03-28

    申请号：KR1020127001941

    申请日：2010-07-21

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 노무라마사미치 ,  고이즈미겐지로 ,  가사이시게루 ,  다나카스미

    IPC: H01L21/683 ,  C23C14/50 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/68792

    Abstract: 본 발명은 피처리체에 대해 소정의 처리를 실시하는 처리 장치에 있어서, 배기 가능하게 된 처리 용기와, 상기 처리 용기내에 배치되어 상단측에서 상기 피처리체를 지지하는 비자성 재료로 이루어지는 회전 부상체와, 상기 회전 부상체에 그 둘레방향을 따라 소정의 간격으로 마련된 자성 재료로 이루어지는 복수의 회전 XY용 흡착체와, 상기 회전 부상체에 그 둘레방향을 따라 마련된 자성 재료로 이루어지는 링형상의 부상용 흡착체와, 상기 처리 용기의 외측에 마련되어 상기 부상용 흡착체에 수직방향 위쪽을 향하는 자기 흡인력을 작용시켜 상기 회전 부상체의 기울기를 조정하면서 부상시키는 부상용 전자석군과, 상기 처리 용기의 외측에 마련되어 상기 회전 XY용 흡착체에 자기 흡인력을 작용시켜 상기 부상된 상기 회전 부상체를 수평방향에서 � �치 조정하면서 회전시키는 회전 XY용 전자석군과, 상기 처리 용기내에 필요한 가스를 공급하는 가스 공급 수단과, 상기 피처리체에 소정의 처리를 실시하는 처리 기구와, 장치 전체의 동작을 제어하는 장치 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 처리 장치이다.

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